PVD技術特征：過濾陰極弧。過濾陰極電弧配有高效的電磁過濾系統，可將弧源產生的等離子體中的宏觀大顆粒過濾掉，因此制備的薄膜非常致密和平整光滑，具有抗腐蝕性能好，與機體的結合力很強。離子束：離子束加工是在真空條件下，先由電子槍產生電子束，再引入已抽成真空且充滿惰性氣體之電離室中，使低壓惰性氣體離子化。由負極引出陽離子又經加速、集束等步驟，獲得具有一定速度的離子投射到材料表面，產生濺射效應和注入效應。由于離子帶正電荷，其質量比電子大數千、數萬倍，所以離子束比電子束具有更大的撞擊動能，是靠微觀的機械撞擊能量來加工的。磁控濺射解決了二極濺射沉積速率低，等離子體離化率低等問題。山東金屬磁控濺射分類

磁控濺射靶材的原理如下：在被濺射的靶極與陽極之間加一個正交磁場和電場，在高真空室中充入所需要的惰性氣體，永久磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場，同高壓電場組成正交電磁場。在電場的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有一定的負高壓，從靶極發出的電子受磁場的作用與工作氣體的電離幾率增大，在陰極附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來的原子遵循動量轉換原理以較高的動能脫離靶面飛向基片淀積成膜。磁控濺射一般分為二種：直流濺射和射頻濺射，其中直流濺射設備原理簡單，在濺射金屬時，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為普遍，除可濺射導電材料外，也可濺射非導電的材料，同時還可進行反應濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，如今，常用的有電子回旋共振型微波等離子體濺射。安徽高溫磁控濺射優點直流磁控濺射法要求靶材能夠將從離子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極。

PVD技術特征如下：在真空室內充入放電所需要的惰性氣體，在高壓電場作用下氣體分子因電離而產生大量正離子。帶電離子被強電場加速，便形成高能量的離子流轟擊蒸發源材料。在離子轟擊下，蒸發源材料的原子將離開固體表面，以高速度濺射到基片上并沉積成薄膜。RF濺射：RF濺射使用的頻率約為13.56MHz，它不需要熱陰極，能在較低的氣壓和較低的電壓下進行濺射。RF濺射不只可以沉積金屬膜，而且可以沉積多種材料的絕緣介質膜，因而使用范圍較廣。電弧離子鍍：陰極弧技術是在真空條件下，通過低電壓和高電流將靶材離化成離子狀態，從而完成薄膜材料的沉積，該技術材料的離化率更高，薄膜性能更加優異。

磁控濺射的基本原理是利用Ar一O2混合氣體中的等離子體在電場和交變磁場的作用下，被加速的高能粒子轟擊靶材表面，能量交換后，靶材表面的原子脫離原晶格而逸出，轉移到基體表面而成膜。磁控濺射的特點是成膜速率高，基片溫度低，膜的粘附性好，可實現大面積鍍膜。該技術可以分為直流磁控濺射法和射頻磁控濺射法。磁控濺射設備一般根據所采用的電源的不同又可分為直流濺射和射頻濺射兩種。直流磁控濺射的特點是在陽極基片和陰極靶之間加一個直流電壓，陽離子在電場的作用下轟擊靶材，它的濺射速率一般都比較大。磁控濺射的優點如下：基板低溫性。

磁控濺射方法可用于制備多種材料，如金屬、半導體、絕緣子等。它具有設備簡單、易于控制、涂覆面積大、附著力強等優點。磁控濺射發展至今，除了上述一般濺射方法的優點外，還實現了高速、低溫、低損傷。磁控濺射鍍膜常見領域應用：1.各種功能薄膜：如具有吸收、透射、反射、折射、偏振等功能.例如，在低溫下沉積氮化硅減反射膜以提高太陽能電池的光電轉換效率；2.微電子：可作為非熱鍍膜技術，主要用于化學氣相沉積(CVD).3.裝飾領域的應用：如各種全反射膜和半透明膜；比如手機殼、鼠標等。磁控濺射在靶材表面建立與電場正交磁場。山東金屬磁控濺射分類

磁控濺射鍍膜常見領域應用：各種功能薄膜。如具有吸收、透射、反射、折射、偏振等功能。山東金屬磁控濺射分類

磁控濺射的優點如下：1、沉積速度快、基材溫升低、對膜層的損傷小；2、對于大部分材料，只要能制成靶材，就可以實現濺射；3、濺射所獲得的薄膜與基片結合較好；4、濺射所獲得的薄膜純度高、致密度好、成膜均勻性好；5、濺射工藝可重復性好，可以在大面積基片上獲得厚度均勻的薄膜；6、能夠控制鍍層的厚度，同時可通過改變參數條件控制組成薄膜的顆粒大小；7、不同的金屬、合金、氧化物能夠進行混合，同時濺射于基材上；8、易于實現工業化。山東金屬磁控濺射分類

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