光刻機的主要性能指標有：支持基片的尺寸范圍，分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等。分辨率是對光刻工藝加工可以達到的較細線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以與光源、光刻系統、光刻膠和工藝等各方面的限制。對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。曝光光源波長分為紫外、深紫外和極紫外區域，光源有汞燈，準分子激光器等。廣東省科學院半導體研究所。微納加工技術與微電子工藝技術有密切關系。上海集成電路半導體器件加工流程

半導體行業技術高、進步快，一代產品需要一代工藝，而一代工藝需要一代設備。半導體工藝設備為半導體大規模制造提供制造基礎。很多半導體器件，如光碟機(CD、VCD和DVD)和光纖通信中用的半導體激光器，雷達或衛星通信設備中的微波集成電路，甚至許多普通的微電子集成電路，都有相當部分的制作工序是在真空容器中進行的。真空程度越高，制作出來的半導體器件的性能也就越好。現在，很多高性能的半導體器件都是在超高真空環境中制作出來的。廣東省科學院半導體研究所。湖南集成電路半導體器件加工設備芯片封裝是利用陶瓷或者塑料封裝晶粒及配線形成集成電路。

MEMS制造工藝是下至納米尺度，上至毫米尺度微結構加工工藝的通稱。廣義上的MEMS制造工藝，方式十分豐富，幾乎涉及了各種現代加工技術。起源于半導體和微電子工藝，以光刻、外延、薄膜淀積、氧化、擴散、注入、濺射、蒸鍍、刻蝕、劃片和封裝等為基本工藝步驟來制造復雜三維形體的微加工技術。微納加工技術指尺度為亞毫米、微米和納米量級元件以及由這些元件構成的部件或系統的優化設計、加工、組裝、系統集成與應用技術，涉及領域廣、多學科交叉融合，其較主要的發展方向是微納器件與系統（MEMS和NEMS）。微納器件與系統是在集成電路制作上發展的系列適用技術，研制微型傳感器、微型執行器等器件和系統，具有微型化、批量化、成本低的鮮明特點，對現代的生活、生產產生了巨大的促進作用，并催生了一批新興產業。

晶圓的制作工藝流程：硅提純：將沙石原料放入一個溫度約為2000℃，并且有碳源存在的電弧熔爐中，在高溫下，碳和沙石中的二氧化硅進行化學反應(碳與氧結合，剩下硅)，得到純度約為98%的純硅，又稱作冶金級硅，這對微電子器件來說不夠純，因為半導體材料的電學特性對雜質的濃度非常敏感，因此對冶金級硅進行進一步提純：將粉碎的冶金級硅與氣態的氯化氫進行氯化反應，生成液態的硅烷，然后通過蒸餾和化學還原工藝，得到了高純度的多晶硅，其純度高達99.99%，成為電子級硅。選用整流二極管時，主要應考慮其較大整流電流、較大反向工作電流、截止頻率及反向恢復時間等參數。

半導體器件的生產，除需要超凈的環境外，有些工序還必須在真空中進行。在我們生活的大氣環境中，充滿了大量的氮氣、氧氣和其他各種氣體分子，這些氣體分子時時刻刻都在運動著。當這些氣體分子運動到物體的表面時，就會有一部分黏附在該物體的表面。這在日常生活中，不會產生多大的影響。但在對周圍環境要求極高的半導體器件的生產工序中，這些細微的變化就會給生產帶來各種麻煩。每一半導體器件都包含著許多層各種各樣的材料，如果在這些不同的材料層之間混入氣體分子，就會破壞器件的電學或光學性能。比如，當希望在晶體層上再生長一層晶體時(稱為外延），底層晶體表面吸附的氣體分子，會阻礙上面的原子按照晶格結構進行有序排列，結果在外延層中引入大量缺陷，嚴重時，甚至長不出晶體，而只能得到原子排列雜亂無章的多晶或非晶體。單晶圓清洗取代批量清洗是先進制程的主流，單晶圓清洗通常采用單晶圓清洗設備。遼寧功率器件半導體器件加工價格

傳感MEMS技術是指用微電子微機械加工出來的。上海集成電路半導體器件加工流程

在MEMS制程中，刻蝕就是用化學的、物理的或同時使用化學和物理的方法，在光刻的基礎上有選擇地進行圖形的轉移。刻蝕技術主要分為干法刻蝕與濕法刻蝕。干法刻蝕主要利用反應氣體與等離子體進行刻蝕；以FATRIUTC為例，在MEMS制造中的ICP刻蝕機主要用來刻蝕Si、Si3N4、SiO2等。濕法刻蝕主要利用化學試劑與被刻蝕材料發生化學反應進行刻蝕；以FATRIUTC的MEMS制程為例，在濕法槽進行濕法刻蝕的對象有SiO2、Si3N4、金屬、光刻膠等，晶圓作業中的清洗步驟也需在濕法槽中進行。上海集成電路半導體器件加工流程