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云南UV納米光刻膠生產廠家

來源: 發布時間:2025-06-15

LCD顯示

? 彩色濾光片(CF):

? 黑色矩陣(BM)光刻膠:隔離像素,線寬精度±2μm,透光率<0.1%。

? RGB色阻光刻膠:形成紅/綠/藍像素,需高色純度(NTSC≥95%)和耐光性。

? 陣列基板(Array):

? 柵極絕緣層光刻膠:用于TFT-LCD的柵極圖案化,分辨率≤3μm。

 OLED顯示(柔性/剛性)

? 像素定義層(PDL)光刻膠:在基板上形成有機發光材料的 confinement 結構,線寬精度±1μm,需耐溶劑侵蝕(適應蒸鍍工藝)。

? 觸控電極(如ITO/PET):通過光刻膠圖形化實現透明導電線路,線寬≤5μm。

 Mini/Micro LED

? 巨量轉移前的芯片制備:使用高分辨率光刻膠(分辨率≤5μm)定義微米級LED陣列,良率要求>99.99%。
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 感光機制

? 重氮型(雙液型):需混合光敏劑(如二疊氮二苯乙烯二磺酸鈉),曝光后通過交聯反應固化,適用于精細圖案(如PCB電路線寬≤0.15mm)。

? SBQ型(單液型):預混光敏劑,無需調配,感光度高(曝光時間縮短30%),適合快速制版(如服裝印花)。

? 環保型:采用無鉻配方(如CN10243143A),通過多元固化體系(熱固化+光固化)實現12-15mJ/cm2快速曝光,分辨率達2μm,符合歐盟REACH標準。

 功能細分

? 耐溶劑型:如日本村上AD20,耐酒精、甲苯等溶劑,適用于電子油墨印刷。

? 耐水型:如瑞士科特1711,抗水性強,適合紡織品水性漿料。

? 厚版型:如德國K?ppen厚版膠,單次涂布可達50μm,用于立體印刷。


典型應用場景:

? PCB制造:使用360目尼龍網+重氮感光膠,配合LED曝光(405nm波長),實現0.15mm線寬,耐酸性蝕刻液。

? 紡織印花:圓網制版采用9806A型感光膠,涂布厚度20μm,耐堿性染料色漿,耐印率超10萬次。

? 包裝印刷:柔版制版選用杜邦賽麗® Lightning LFH版材,UV-LED曝光+無溶劑工藝,碳排放降低40%。
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主要原材料“卡脖子”:從樹脂到光酸的依賴

 樹脂與光酸的技術斷層
光刻膠成本中50%-60%來自樹脂,而國內KrF/ArF光刻膠樹脂的單體國產化率不足10%。例如,日本信越化學的KrF樹脂純度達99.999%,金屬雜質含量低于1ppb,而國內企業的同類產品仍存在批次穩定性問題。光酸作為光刻膠的“心臟”,其合成需要超純試劑和復雜純化工藝,國內企業在純度控制(如金屬離子含量)上與日本關東化學等國際巨頭存在代差。

 原材料供應鏈的脆弱性
光刻膠所需的酚醛樹脂、環烯烴共聚物(COC)等關鍵原料幾乎全部依賴進口。日本信越化學因地震導致KrF光刻膠產能受限后,國內部分晶圓廠采購量從100kg/期驟降至10-20kg/期。更嚴峻的是,光敏劑原料焦性沒食子酸雖由中國提取,但需出口至日本加工成光刻膠光敏劑后再高價返銷,形成“原料出口-技術溢價-高價進口”的惡性循環。

市場拓展

? 短期目標:2025年前實現LCD光刻膠國內市占率10%,半導體負性膠進入中芯國際、華虹供應鏈,納米壓印膠完成臺積電驗證。

? 長期愿景:成為全球的半導體材料方案提供商,2030年芯片光刻膠營收占比超40%,布局EUV光刻膠和第三代半導體材料。

. 政策與產業鏈協同

? 受益于廣東省“強芯工程”和東莞市10億元半導體材料基金,獲設備采購補貼(30%)和稅收減免,加速KrF/ArF光刻膠研發。

? 與松山湖材料實驗室、華為終端建立聯合研發中心,共同攻關光刻膠關鍵技術,縮短客戶驗證周期(目前平均12-18個月)。

. 挑戰與應對

? 技術壁壘:ArF/EUV光刻膠仍依賴進口,計劃2026年建成中試線,突破分辨率和靈敏度瓶頸(目標曝光劑量<10mJ/cm2)。

? 供應鏈風險:部分原材料(如樹脂)進口占比超60%,正推進“國產替代計劃”,與鼎龍股份、久日新材建立戰略合作為原材料供應。
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廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產品,各有特性與優勢,適用于不同領域。

LCD 正性光刻膠 YK - 200:具有較大曝光、高分辨率、良好涂布和附著力的特點,重量 100g。適用于液晶顯示領域的光刻工藝,能確保 LCD 生產過程中圖形的精確轉移和良好的涂布效果。

半導體正性光刻膠 YK - 300:具備耐熱耐酸、耐溶劑性、絕緣阻抗和緊密性,重量 100g。主要用于半導體制造工藝,滿足半導體器件對光刻膠在化學穩定性和電氣性能方面的要求。

耐腐蝕負性光刻膠 JT - NF100:重量 1L,具有耐腐蝕的特性,適用于在有腐蝕風險的光刻工藝中,比如一些特殊環境下的半導體加工或電路板制造。 正性光刻膠生產原料。內蒙古水性光刻膠

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吉田半導體 YK-300 正性光刻膠:半導體芯片制造的材料

YK-300 正性光刻膠以高分辨率與耐蝕刻性,成為 45nm 及以上制程的理想選擇。
YK-300 正性光刻膠分辨率達 0.35μm,線寬粗糙度(LWR)≤3nm,適用于半導體芯片前道工藝。其耐溶劑性與絕緣阻抗性能突出,在顯影與蝕刻過程中保持圖形穩定性。產品已通過中芯國際量產驗證,良率達 98% 以上,生產過程執行 ISO9001 標準,幫助客戶降低封裝成本 20% 以上。支持小批量試產與定制化需求,為國產芯片制造提供穩定材料支撐。
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