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全品類覆蓋
吉田半導體產品線涵蓋正性 / 負性光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD 光刻膠、厚膜光刻膠及水性光刻膠等,覆蓋芯片制造、顯示面板、PCB 及微納加工等多領域需求,技術布局全面性于多數國內廠商。
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關鍵技術突破
納米壓印技術:JT-2000 納米壓印光刻膠耐高溫達 250℃,支持納米級精度圖案復制,適用于第三代半導體(GaN/SiC)及 Mini LED 等新興領域,技術指標接近國際先進水平。
水性環保配方:JT-1200 水性感光膠以水為溶劑替代傳統有機溶劑,低 VOC 排放,符合 RoHS 和 REACH 標準,環保性能優于同類產品。
厚膜工藝能力:JT-3001 厚板光刻膠膜厚可控(達數十微米),滿足高密度像素陣列及 MEMS 器件的制造需求。
吉田半導體材料的綠色環保與可持續發展。蘇州光刻膠報價
憑借多年研發積累,公司形成了覆蓋光刻膠、焊接材料、電子膠等領域的豐富產品線。在焊接材料方面,不僅提供常規錫膏、助焊膏,還針對特殊場景開發了 BGA 助焊膏、針筒錫膏等定制化產品,滿足精密電子組裝的多樣化需求。同時,感光膠系列產品分為水性與油性兩類,兼具耐潮性與易操作性,廣泛應用于印刷電路板制造。
公司產品遠銷全球,并與多家跨國企業及電子加工企業建立長期合作關系。通過在重點區域設立辦事處,提供快速響應的技術支持與售后服務。依托東莞 “世界工廠” 的產業資源,公司強化供應鏈協同,縮短交付周期,為客戶提供高效解決方案。
未來,廣東吉田半導體材料有限公司將繼續深化技術創新,拓展產品應用領域,以可靠的產品與專業的服務,持續鞏固其在半導體材料行業的重要地位。
深圳納米壓印光刻膠供應商納米壓印光刻膠哪家強?吉田半導體附著力提升 30%!
吉田半導體 YK-300 正性光刻膠:半導體芯片制造的材料
YK-300 正性光刻膠以高分辨率與耐蝕刻性,成為 45nm 及以上制程的理想選擇。
YK-300 正性光刻膠分辨率達 0.35μm,線寬粗糙度(LWR)≤3nm,適用于半導體芯片前道工藝。其耐溶劑性與絕緣阻抗性能突出,在顯影與蝕刻過程中保持圖形穩定性。產品已通過中芯國際量產驗證,良率達 98% 以上,生產過程執行 ISO9001 標準,幫助客戶降低封裝成本 20% 以上。支持小批量試產與定制化需求,為國產芯片制造提供穩定材料支撐。
晶圓制造(前道工藝)
? 功能:在硅片表面形成高精度電路圖形,是光刻工藝的主要材料。
? 細分場景:
? 邏輯/存儲芯片:用于28nm及以上成熟制程的KrF光刻膠(分辨率0.25-1μm)、14nm以下先進制程的ArF浸沒式光刻膠(分辨率≤45nm),以及極紫外(EUV)光刻膠(目標7nm以下,研發中)。
? 功率半導體(如IGBT):使用厚膜光刻膠(膜厚5-50μm),滿足深溝槽刻蝕需求。
? MEMS傳感器:通過高深寬比光刻膠(如SU-8)實現微米級結構(如加速度計、陀螺儀的懸臂梁)。
芯片封裝(后道工藝)
? 先進封裝技術:
? Flip Chip(倒裝芯片):用光刻膠形成凸點(Bump)下的 Redistribution Layer(RDL),線寬精度要求≤10μm。
? 2.5D/3D封裝:在硅通孔(TSV)工藝中,光刻膠用于定義通孔開口(直徑5-50μm)。
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廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產品,各有特性與優勢,適用于不同領域。
厚板光刻膠 JT - 3001:具有優異的分辨率和感光度,抗深蝕刻性能良好。符合歐盟 ROHS 標準,保質期 1 年,適用于對光刻精度和抗蝕刻要求較高的厚板加工場景,如一些特殊的電路板制造。
SU - 3 負性光刻膠:分辨率優異,對比度良好,曝光靈敏度高,光源適應。重量為 100g,常用于對曝光精度和光源適應性要求較高的微納加工、半導體制造等領域。
液晶平板顯示器負性光刻膠 JT - 1000:有 1L 和 100g 兩種規格,具有優異的分辨率,準確性和穩定性好。主要應用于液晶平板顯示器的制造,能滿足其對光刻膠高精度和穩定性的需求。
JT - 2000 UV 納米壓印光刻膠:耐強酸強堿,耐高溫達 250°C,長期可靠性高,粘接強度高。重量 100g,適用于需要在特殊化學和高溫環境下進行納米壓印光刻的工藝,如一些半導體器件的制造。
光刻膠:半導體之路上的挑戰與突破。內蒙古LCD光刻膠國產廠家
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研發投入
? 擁有自己實驗室和研發團隊,研發費用占比超15%,聚焦EUV光刻膠前驅體、低缺陷納米壓印膠等前沿領域,與中山大學、華南理工大學建立產學研合作。
? 專項布局:累計申請光刻膠相關的項目30余項,涵蓋樹脂合成、配方優化、涂布工藝等細致環節。
生產體系
? 全自動化產線:采用德國曼茨(Manz)涂布設備、日本島津(Shimadzu)檢測儀器,年產能超500噸(光刻膠),支持小批量定制(小訂單100g)和大規模量產。
? 潔凈環境:生產車間達萬級潔凈標準(ISO 8級),避免顆粒污染,確保光刻膠缺陷密度<5個/cm2。
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