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天津水性光刻膠供應商

來源: 發布時間:2025-05-22

厚板光刻膠

  • 電路板制造:在制作對線路精度和抗蝕刻性能要求高的電路板時,厚板光刻膠可確保線路的精細度和穩定性,比如汽車電子、工業控制等領域的電路板,能承受復雜環境和大電流、高電壓等工況。
  • 功率器件制造:像絕緣柵雙極晶體管(IGBT)這類功率器件,需要承受高電壓和大電流,厚板光刻膠可用于其芯片制造過程中的光刻環節,保障芯片內部電路的精細布局,提高器件的性能和可靠性。


負性光刻膠

  • 半導體制造:在芯片制造過程中,用于制作一些對精度要求高、圖形面積較大的結構,如芯片的金屬互連層、接觸孔等。通過負性光刻膠的曝光和顯影工藝,能實現精確的圖形轉移,確保芯片各部分之間的電氣連接正常。
  • 平板顯示制造:在液晶顯示器(LCD)和有機發光二極管顯示器(OLED)的制造中,用于制作電極、像素等大面積圖案。以 LCD 為例,負性光刻膠可幫助形成液晶層與玻璃基板之間的電極圖案,控制液晶分子的排列,從而實現圖像顯示。


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廣東吉田半導體材料有限公司的產品體系豐富且功能強大。

在光刻膠領域,芯片光刻膠為芯片制造中的精細光刻環節提供關鍵支持,確保芯片線路的精細刻畫;

納米壓印光刻膠適用于微納加工,助力制造超精細的微納結構;

LCD 光刻膠則滿足液晶顯示面板生產過程中的光刻需求,保障面板成像質量。

在電子焊接方面,半導體錫膏與焊片性能,能實現可靠的電氣連接,廣泛應用于各類電子設備組裝。

靶材產品在材料濺射沉積工藝中發揮關鍵作用,通過精細控制材料沉積,為半導體器件制造提供高質量的薄膜材料。憑借出色品質,遠銷全球,深受眾多世界 500 強企業和電子加工企業青睞 。 天津水性光刻膠供應商技術突破加速國產替代,國產化布局贏得市場。

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光刻膠的工作原理:

1. 涂覆與曝光:在基底(如硅片、玻璃、聚合物)表面均勻涂覆光刻膠,通過掩膜(或直接電子束掃描)對特定區域曝光。

2. 化學變化:曝光區域的光刻膠發生光化學反應(正性膠曝光后溶解,負性膠曝光后交聯不溶)。

3. 顯影與刻蝕:溶解未反應的部分,留下圖案化的膠層,作為后續刻蝕或沉積的掩模,將圖案轉移到基底上。

在納米技術中,關鍵挑戰是突破光的衍射極限(λ/2),因此需依賴高能束曝光技術(如電子束光刻、極紫外EUV光刻)和高性能光刻膠(高分辨率、低缺陷)。

技術挑戰與發展趨勢

 更高分辨率需求:

? EUV光刻膠需解決“線邊緣粗糙度(LER)”問題(目標<5nm),通過納米顆粒分散技術或新型聚合物設計改善。

 缺陷控制:

? 半導體級正性膠要求金屬離子含量<1ppb,顆粒(>50nm)<1個/mL,需優化提純工藝(如多級過濾+真空蒸餾)。

 國產化突破:

? 國內企業(如上海新陽、南大光電、容大感光)已在KrF/ArF膠實現批量供貨,但EUV膠仍被日本JSR、美國陶氏、德國默克壟斷,需突破樹脂合成、PAG純度等瓶頸。

 環保與節能:

? 開發水基顯影正性膠(減少有機溶劑使用),或低烘烤溫度膠(降低半導體制造能耗)。

典型產品示例

? 傳統正性膠:Shipley S1813(G/I線,用于PCB)、Tokyo Ohka TSM-305(LCD黑矩陣)。

? DUV正性膠:信越化學的ArF膠(用于14nm FinFET制程)、中芯國際認證的國產KrF膠(28nm節點)。

? EUV正性膠:JSR的NeXAR系列(7nm以下,全球市占率超70%)。

正性光刻膠是推動半導體微縮的主要材料,其技術進步直接關聯芯片制程的突破,未來將持續向更高精度、更低缺陷、更綠色工藝演進。
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憑借多年研發積累,公司形成了覆蓋光刻膠、焊接材料、電子膠等領域的豐富產品線。在焊接材料方面,不僅提供常規錫膏、助焊膏,還針對特殊場景開發了 BGA 助焊膏、針筒錫膏等定制化產品,滿足精密電子組裝的多樣化需求。同時,感光膠系列產品分為水性與油性兩類,兼具耐潮性與易操作性,廣泛應用于印刷電路板制造。

公司產品遠銷全球,并與多家跨國企業及電子加工企業建立長期合作關系。通過在重點區域設立辦事處,提供快速響應的技術支持與售后服務。依托東莞 “世界工廠” 的產業資源,公司強化供應鏈協同,縮短交付周期,為客戶提供高效解決方案。

未來,廣東吉田半導體材料有限公司將繼續深化技術創新,拓展產品應用領域,以可靠的產品與專業的服務,持續鞏固其在半導體材料行業的重要地位。

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以 15% 年研發投入為驅動,吉田半導體加速 EUV 光刻膠與木基材料研發,搶占行業制高點。布局下一代光刻技術。
面對極紫外光刻技術挑戰,吉田半導體與中科院合作開發化學放大型 EUV 光刻膠,在感光效率(<10mJ/cm2)和耐蝕性(>80%)指標上取得階段性進展。同時,公司前瞻性布局木基光刻膠研發,對標日本王子控股技術,探索生物基材料在半導體封裝中的應用。這些技術儲備為 7nm 及以下制程提供支撐,助力中國在下一代光刻技術中占據重要地位。天津水性光刻膠供應商

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