光刻膠(Photoresist)是一種對光敏感的高分子材料,主要用于光刻工藝中,通過光化學反應實現圖案的轉移,是半導體、集成電路(IC)、印刷電路板(PCB)、液晶顯示(LCD)等制造領域的材料之一。
光刻膠特性與組成
? 光敏性:在特定波長(如紫外光、極紫外光EUV等)照射下,會發生化學結構變化(如交聯或分解),從而改變在顯影液中的溶解性。
? 主要成分:
? 樹脂(成膜劑):形成基礎膜層,決定光刻膠的機械和化學性能。
? 光敏劑:吸收光能并引發化學反應(如光分解、光交聯)。
? 溶劑:調節粘度,便于涂覆成膜。
? 添加劑:改善性能(如感光度、分辨率、對比度等)。
光刻膠:半導體之路上的挑戰與突破。江蘇制版光刻膠感光膠
作為深耕半導體材料領域二十余年的綜合性企業,廣東吉田半導體材料有限公司始終將環保理念融入產品研發與生產全流程。公司位于東莞松山湖產業集群,依托區域產業鏈優勢,持續推出符合國際環保標準的半導體材料解決方案。
公司在錫膏、焊片等產品中采用無鹵無鉛配方,嚴格遵循 RoHS 指令要求,避免使用有害物質。以錫膏為例,其零鹵素配方通過第三方機構認證,不僅減少了電子產品廢棄后的環境負擔,還提升了焊接可靠性,適用于新能源汽車、精密電子設備等領域。同時,納米壓印光刻膠與 LCD 光刻膠的生產過程中,公司通過優化原料配比,減少揮發性有機物(VOCs)排放,確保產品符合歐盟 REACH 法規。
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光刻膠的工作原理:
1. 涂覆與曝光:在基底(如硅片、玻璃、聚合物)表面均勻涂覆光刻膠,通過掩膜(或直接電子束掃描)對特定區域曝光。
2. 化學變化:曝光區域的光刻膠發生光化學反應(正性膠曝光后溶解,負性膠曝光后交聯不溶)。
3. 顯影與刻蝕:溶解未反應的部分,留下圖案化的膠層,作為后續刻蝕或沉積的掩模,將圖案轉移到基底上。
在納米技術中,關鍵挑戰是突破光的衍射極限(λ/2),因此需依賴高能束曝光技術(如電子束光刻、極紫外EUV光刻)和高性能光刻膠(高分辨率、低缺陷)。
以無鹵無鉛配方與低 VOC 工藝為,吉田半導體打造環保光刻膠,助力電子產業低碳轉型。面對全球環保趨勢,吉田半導體推出無鹵無鉛錫膏與焊片,通過歐盟 RoHS 認證,焊接可靠性提升 30%。其 LCD 光刻膠采用低 VOC 配方(<50g/L),符合歐盟 REACH 法規,生產過程中通過多級廢氣處理與水循環系統,實現零排放。公司嚴格執行 8S 現場管理,工業固廢循環利用率超 90%,為新能源汽車、光伏儲能等領域提供綠色材料解決方案,成為全球客戶信賴的環保材料供應商。光刻膠廠家推薦吉田半導體,23 年研發經驗,全自動化生產保障品質!
定義與特性
負性光刻膠是一種在曝光后,未曝光區域會溶解于顯影液的光敏材料,形成與掩膜版(Mask)圖案相反的圖形。與正性光刻膠相比,其主要特點是耐蝕刻性強、工藝簡單、成本低,但分辨率較低(通常≥1μm),主要應用于對精度要求相對較低、需要厚膠或高耐腐蝕性的場景。
化學組成與工作原理
主要成分
基體樹脂:
? 早期以聚異戊二烯橡膠(天然或合成)為主,目前常用環化橡膠(Cyclized Rubber)或聚乙烯醇肉桂酸酯,提供膠膜的機械強度和耐蝕刻性。
光敏劑:
? 主要為雙疊氮化合物(如雙疊氮芪)或重氮醌類衍生物,占比約5%-10%,吸收紫外光后引發交聯反應。
交聯劑:
? 如六亞甲基四胺(烏洛托品),在曝光后與樹脂發生交聯,形成不溶性網狀結構。
溶劑:
? 多為有機溶劑(如二甲苯、環己酮),溶解樹脂和光敏劑,涂布后揮發形成均勻膠膜。
工作原理
曝光前:光敏劑和交聯劑均勻分散在樹脂中,膠膜可溶于顯影液(有機溶劑)。
曝光時:
? 光敏劑吸收紫外光(G線436nm為主)后產生活性自由基,引發交聯劑與樹脂分子間的共價鍵交聯,使曝光區域形成不溶于顯影液的三維網狀結構。
顯影后:
? 未曝光區域的樹脂因未交聯,被顯影液溶解去除,曝光區域保留,形成負性圖案(與掩膜版相反)。
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光刻膠技術突破加速,對芯片制造行業有哪些影響?江蘇制版光刻膠感光膠
廣東吉田半導體材料有限公司以光刻膠為中心,逐步拓展至半導體全材料領域,形成了 “技術驅動、全產業鏈覆蓋” 的發展格局。公司產品不僅包括芯片與 LCD 光刻膠,還延伸至錫膏、焊片、靶材等配套材料,為客戶提供一站式采購服務。
市場與榮譽:
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產品遠銷全球 50 多個地區,客戶包括電子制造服務商(EMS)及半導體廠商。
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獲評 “廣東省專精特新企業”“廣東省創新型中小企業”,并通過技術企業認證。
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生產基地配備自動化設備,年產能超千噸,滿足大規模訂單需求。
未來展望:
公司計劃進一步擴大研發中心規模,聚焦第三代半導體材料研發,如 GaN、SiC 相關光刻膠技術。同時,深化全球化布局,在東南亞、歐洲等地設立分支機構,強化本地化服務能力。
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