晶體三極管的種類：硅管和鍺管（按半導體材料分），鍺管比硅管的起始工工作電壓低、飽和壓降較低。三極管導通時，發射極和集電極的電壓鍺管比硅管更低。因為鍺材料制成的PN結比硅材料制成的PN結的正向導通電壓低，前者為0.2～0.3V，后者為0.6～0.7V。所以鍺三極管在發射極和基極之間只有0.2～0.3V的電壓，晶體管就開始工作。常用型號有：3AX系列的鍺低頻管、3AG系列的鍺高頻管、3AK系列的鍺開關管、3AD系列的鍺低頻大功率管、3BX系列的鍺低頻管等。三極管使用壽命受溫度、工作狀態和頻率等因素影響，需謹慎使用和保養。佛山達林頓三極管行價

按照用途可以分為四種 ：普通功率型晶體管 高頻大功率晶體管 超高頻大功率晶體管 特種功率型晶體管 按制造工藝分為六種：雙擴散硅雙基型 （bjt） 雙擴散鋁雙基型 （btjt） 單向晶閘管 （smcntctbtct等 ） 多晶閘管及門陣列式 （pmicmosfet等 ） 其他種類 根據不同的應用場合和要求可以制作出各種不同結構和功能的特殊二極管和三極管。應用領域 主要應用于整流器、穩壓電源、振蕩器等電路 [11] . 工作原理 當外加正向電壓時（即給三極管輸入一個信號電壓），通過控制三端子的電流大小來改變輸出信號的大小。中山半導體三極管工作原理三極管的價格相對較低，且易于采購，使得三極管在電子制造領域具有普遍的應用前景。

搭建如下電路，使集電結反偏，發射結正偏。反向偏置的集電結在外部電場的幫助下變寬，同時正向偏置的發射結，由于內部電場被削弱，自由電子擴散運動增強，發射區內部的大量自由電子擴散到了基區，被集電結的內部電場捕獲，被電場加速送到了集電結，集電區內部的自由電子被反向偏置電壓吸出，產生大量空穴，這些空穴收集發射過來的電子，從而形成集電極電流Ic。發射區注入基區的電子只有極少的被基極偏置電壓吸出，形成基極電流Ib。Ic=βIb，β叫做放大倍數，這放大倍數是和制作工藝相關的，同一批制作出來的三極管也不一定相同，但是每個三極管的放大倍數可以認為是不會變的，也就是說只要控制了基極電流Ib，就能控制集電極電流Ic。

下面介紹的是三極管工作原理，一起來看看吧。三極管有哪三極？1、NPN型三極管的三極：NPN型三極管，由三塊半導體構成，其中兩塊N型和一塊P型半導體組成，P型半導體在中間，兩塊N型半導體在兩側。有一個箭頭的電極是發射極e，箭頭朝外的是NPN型三極管。箭頭方向也表示著發射極電流Ie的實際方向。2、PNP型三極管的三極：同樣PNP型三極管，由三塊半導體構成，由兩塊P型和一塊N型半導體組成，N型半導體在中間，兩塊P型半導體在兩側。一樣有一個箭頭的電極是發射極e，而箭頭朝內的是NPN型三極管。在設計電路時，合理利用三極管的特性，能夠實現信號的整形、濾波等復雜功能。

可能朋友們都有一個疑惑，集電結反向偏置了應該截止，怎么導通了？擊穿了？這還要從二極管原理說起，上一篇介紹了二極管原理的文章提到了，當給PN結施加反向偏置電壓的時候，內部電場強度增強，空間電荷區變寬，空間電荷區的自由電子被電場加速，穿過PN結形成反向飽和電流。當然這些自由電子屬于少子，形成的反向電流也很小。如果人為把自由電子注入空間電荷區，這些電子同樣被電場加速形成反向電流。因此只需要控制注入的電子數量就能夠實現對電流的控制。三極管生產的每一個環節，南科功率都嚴格把控，確保品質；中山半導體三極管工作原理

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三極管具有三個工作狀態，分別為：截止區、放大區、飽和區。在模擬電路中可以用這些特性實現不一樣的功能，在數字電路中，只有0和1兩個狀態，所以數字電路中三極管主要用作電子開關來使用，這時候三極管工作在截止和飽和狀態，即要么導通，要么斷開，就相當于一個開關。三極管的原理，三極管的工作原理相對比較復雜，這里不做詳細講解，用一個圖來意會一下，記住這張圖你就會能知道的是怎么工作的了，詳細知識可以參考專業資料做進一步了解，有不懂的可以留言或與小編交流。佛山達林頓三極管行價