恒流二極管 （ 英語 ： Constant Current Diode ） （或稱定電流二極管，CRD、Current Regulative Diode），被施加順方向電壓的場合，無論電壓多少，可以得到一定的電流的元件。通常的電流容量在1~15mA的范圍。雖然被稱為二極管，但是構造、動作原理都與接合型電場效應晶體管相似。變容二極管，施加反向偏置，二極管PN接合的耗盡層厚度會因電壓不同而變化，產生靜電容量（接合容量）的變化，可當作由電壓控制的可變電容器使用。沒有機械零件所以可靠度高，普遍應用于壓控振蕩器或可變電壓濾波器，也是電視接收器和移動電話不可缺少的零件。二極管采用PN結構，正向偏置時電子和空穴結合，反向偏置時形成勢壘，導致電流很小。江門二極管價位

接面電壓，當二極管的P-N結處于正向偏置時，必須有相當的電壓被用來貫通耗盡區，導致形成一反向的電壓源，此電壓源的電壓就稱為障壁電壓，硅二極管的障壁電壓約0.6V～0.7V，鍺二極管的障壁電壓約0.3～0.4V。種類：依照材料及發展年代分類：二極真空管；鍺二極管；硒二極管；硅二極管；砷化鎵二極管。依照應用及特性分類：PN結二極管（PN Diode），施加正向偏置，利用半導體中PN接合的整流性質，是較基本的半導體二極管，常見應用于整流方面以及與電感并聯保護其他元件用。細節請參照PN結的條目。江門二極管價位在數字電路中，二極管可用作邏輯門電路的組成部分，實現邏輯運算。

半導體二極管的參數包括較大整流電流IF、反向擊穿電壓VBR、較大反向工作電壓VRM、反向電流IR、較高工作頻率fmax和結電容Cj等。幾個主要的參數介紹如下：1、較大整流電流IF：是指管子長期運行時，允許通過的較大正向平均電流。因為電流通過PN結要引起管子發熱，電流太大，發熱量超過限度，就會使PN結燒壞。例如2APl較大整流電流為16mA。2、反向擊穿電壓VBR：指管子反向擊穿時的電壓值。擊穿時，反向電流劇增，二極管的單向導電性被破壞，甚至因過熱而燒壞。一般手冊上給出的較高反向工作電壓約為擊穿電壓的一半，以確保管子安全運行。例如2APl較高反向工作電壓規定為2OV， 而反向擊穿電壓實際上大于40V。

晶體二極管分類如下：平面型二極管，在半導體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上，擴散P型雜質，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上只選擇性地擴散一部分而形成的PN結。因此，不需要為調整PN結面積的藥品腐蝕作用。由于半導體表面被制作得平整，故而得名。并且，PN結合的表面，因被氧化膜覆蓋，所以公認為是穩定性好和壽命長的類型。較初，對于被使用的半導體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱為外延平面型。對平面型二極管而言，似乎使用于大電流整流用的型號很少，而作小電流開關用的型號則很多。使用二極管時，需要注意正向電壓不超過其額定值，以避免損壞。

江崎二極管，阻尼二極管又稱隧道二極管、穿隧效應二極管、穿隧二極管、透納二極管，英文名稱為Tunnel Diode，它是一種可以高速切換的半導體二極管，其切換速度可到達微波頻率的范圍，其原理是利用量子穿隧效應。它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。江崎二極管是采用砷化鎵（GaAs）和銻化鎵（GaSb）等材料混合制成的半導體二極管，其優點是開關特性好，速度快、工作頻率高；缺點是熱穩定性較差。一般應用于某些開關電路或高頻振蕩等電路中。二極管的結構簡單，由兩個電極組成，易于使用和維護。江門二極管價位

反向偏置時，PN結的耗盡區增大，導致電流截止。江門二極管價位

光電二極管，光電二極管又稱光敏二極管，英文名稱為Photo-Diode，光電二極管是在反向電壓作用之下工作的，在一般照度的光線照射下，所產生的電流叫光電流。如果在外電路上接上負載，負載上就獲得了電信號，而且這個電信號隨著光的變化而相應變化。光電二極管和發光二極管外形很像，只不過前者是被動接受光源導通電路，后者是主動發出光源，因此光電二極管的發光方向是向內的，表示是外部照時進來的光源，原理圖庫和發光二極管有點不同。江門二極管價位