掘進(jìn)機(jī)常見故障分析及處理方法
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晶圓探針臺(tái)還可以在晶圓劃片線上執(zhí)行任何測(cè)試電路。一些公司從這些劃線測(cè)試結(jié)構(gòu)中獲得大部分有關(guān)器件性能的信息。當(dāng)特定芯片的所有測(cè)試圖案都通過時(shí),它的位置會(huì)被記住,以便以后在IC封裝過程中使用。有時(shí),芯片有內(nèi)部備用資源可用于修復(fù)(即閃存IC);如果它沒有通過某些測(cè)試模式,則可以使用這些備用資源。如果故障管芯的冗余是不可能的,則管芯被認(rèn)為有故障并被丟棄。未通過電路通常在芯片中間用一個(gè)小墨水點(diǎn)標(biāo)記,或者通過/未通過信息存儲(chǔ)在一個(gè)名為wafermap的文件中。該地圖通過使用bins對(duì)通過和未通過的die進(jìn)行分類。然后將bin定義為好或壞的裸片。磁場(chǎng)探針臺(tái)主要用于半導(dǎo)體材料、微納米器件、磁性材料。貴州直流探針臺(tái)
手動(dòng)探針臺(tái)的使用方式:待測(cè)點(diǎn)位置確認(rèn)好后,再調(diào)節(jié)探針座的位置,將探針裝上后可眼觀先將探針移到接近待測(cè)點(diǎn)的位置旁邊,再使用探針座X-Y-Z三個(gè)微調(diào)旋鈕,慢慢的將探針移至被測(cè)點(diǎn),此時(shí)動(dòng)作要小心且緩慢,以防動(dòng)作過大誤傷芯片,當(dāng)探針針尖懸空于被測(cè)點(diǎn)上空時(shí),可先用Y軸旋鈕將探針退后少許,再使用Z軸旋鈕進(jìn)行下針,然后則使用X軸旋鈕左右滑動(dòng),觀察是否有少許劃痕,證明是否已經(jīng)接觸。確保針尖和被測(cè)點(diǎn)接觸良好后,則可以通過連接的測(cè)試設(shè)備開始測(cè)試。常見故障的排除當(dāng)您使用本儀器時(shí),可能會(huì)碰到一些問題,下表列舉了常見的故障及解決方法。手動(dòng)探針臺(tái)技術(shù)參數(shù)。安徽探針臺(tái)配件廠家上海勤確科技有限公司秉承專業(yè)、科技、快捷、準(zhǔn)確、誠信的服務(wù)精神。
手動(dòng)探針臺(tái)應(yīng)用領(lǐng)域:Failureanalysis集成電路失效分析;Waferlevelreliability晶元可靠性認(rèn)證;Devicecharacterization元器件特性量測(cè);Processmodeling塑性過程測(cè)試(材料特性分析);ICProcessmonitoring制成監(jiān)控;PackagepartprobingIC封裝階段打線品質(zhì)測(cè)試;Flatpanelprobing液晶面板的特性測(cè)試;PCboardprobingPC主板的電性測(cè)試;ESD&TDRtestingESD和TDR測(cè)試;Microwaveprobing微波量測(cè)(高頻);Solar太陽能領(lǐng)域檢測(cè)分析;LED、OLED、LCD領(lǐng)域檢測(cè)分析。
磁場(chǎng)探針臺(tái)主要用于半導(dǎo)體材料、微納米器件、磁性材料、自旋電子器件及相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的電、磁學(xué)特性測(cè)試,能夠提供磁場(chǎng)或變溫環(huán)境,并進(jìn)行高精度的直流/射頻測(cè)量。我們生產(chǎn)各類磁場(chǎng)探針臺(tái),穩(wěn)定性強(qiáng)、功能多樣、可升級(jí)擴(kuò)展,適用于各大高校、研究所及半導(dǎo)體行業(yè)的實(shí)驗(yàn)研究和生產(chǎn)。詳細(xì)參數(shù):二維磁場(chǎng)探針臺(tái),包含兩組磁鐵,可同時(shí)提供垂直與面內(nèi)磁場(chǎng);面內(nèi)磁鐵極頭間距可根據(jù)樣品尺寸調(diào)整以獲得大的磁場(chǎng),兼容性強(qiáng);大兼容7組探針(4組RF,3組DC同時(shí)測(cè)試使用);Y軸提供大行程位移裝置,在不移動(dòng)探針情況下快速抽拉更換樣品;配備樣品臺(tái)傾斜微調(diào)旋鈕,確保樣品平面平行于面內(nèi)磁場(chǎng)方向;至多支持7組探針同時(shí)放置:直流探針(3組)+微波探針(4組);XY軸位移行程±12.5mm,T軸旋轉(zhuǎn)±5°;面內(nèi)磁場(chǎng)單獨(dú)施加時(shí),磁場(chǎng)垂直分量?jī)?yōu)于0.025%。探針臺(tái)把晶圓片安放在一個(gè)可移動(dòng)的金屬板上。
為什么要射頻探測(cè)?由于器件小形化及高頻譜的應(yīng)用,電路尺寸不斷縮小,類似微帶線及PCB版本Pad的測(cè)試沒有物理接口,使得儀表本身無法與待測(cè)物進(jìn)行直接連接,如果人為的焊接射頻接口難免會(huì)引入不確定的誤差,所以射頻探針的使用完美的解決了這個(gè)問題。射頻探頭和校準(zhǔn)基板允許工程師進(jìn)行精確、重復(fù)的測(cè)量與校準(zhǔn)。且任何受過一定訓(xùn)練的工程師都可以進(jìn)行探針臺(tái)的架設(shè)與儀表的校準(zhǔn),以分鐘為單位進(jìn)行測(cè)量。同樣一個(gè)Pad測(cè)試點(diǎn),如果通過探針測(cè)量與通過焊接SMA接口引出測(cè)量線的方法進(jìn)行測(cè)試對(duì)比會(huì)發(fā)現(xiàn),探針的精度是高于焊接Cable的精度。上海勤確科技有限公司一切從實(shí)際出發(fā)、注重實(shí)質(zhì)內(nèi)容。黑龍江芯片測(cè)試探針臺(tái)機(jī)構(gòu)
如果發(fā)現(xiàn)問題,就需要復(fù)雜的診斷過程和人工分析,才能找到問題的原因。貴州直流探針臺(tái)
精細(xì)探測(cè)技術(shù)帶來新優(yōu)勢(shì):先進(jìn)應(yīng)力控制技術(shù)亦是必須的。為減少或消除造成良率下降之墊片損傷,在銅質(zhì)墊片加上鋁帽將能減少對(duì)易碎低K/高K介電的負(fù)面效應(yīng)。以先進(jìn)工藝驅(qū)動(dòng)在有效區(qū)域上墊片的測(cè)試,以低沖擊的探針卡,避免接觸所產(chǎn)生阻抗問題。另一個(gè)可能損害到晶圓的來源是探針力道過猛或不平均,因此能動(dòng)態(tài)控制探針強(qiáng)度也是很重要的;若能掌握可移轉(zhuǎn)的參數(shù)及精細(xì)的移動(dòng)控制,即可提升晶圓翻面時(shí)的探測(cè)精確度,使精細(xì)的Z軸定位接觸控制得到協(xié)調(diào),以提高精確度,并縮短索引的時(shí)間。貴州直流探針臺(tái)