一般情況下陰極表面或芯片邊緣有一燒損的小黑點說明是由于電壓引起的，由電壓引起燒壞晶閘管模塊的原因有兩中可能，一是晶閘管模塊電壓失效，就是我們常說的降伏，電壓失效分早期失效、中期失效和晚期失效。二是線路問題，線路中產生了過電壓，且對晶閘管模塊所采取的保護措施失效。電流燒壞晶閘管模塊通常是陰極表面有較大的燒損痕跡，甚至將芯片、管殼等金屬大面積溶化。由di/dt所引起的燒壞晶閘管模塊的現象較容易判斷，一般部是門極或放大門極附近燒成一小黑點。我們知道晶閘管模塊的等效電路是由兩只可控硅構成，門極所對應的可控硅做觸發用，目的是當觸發信號到來時將其放大，然后盡快的將主可控硅導通，然而在短時間內如果電流過大，主可控硅還沒有完全導通，大的電流主要通過相當于門極的可控硅流過，而此可控硅的承載電流的能力是很小的，所以造成此可控硅燒壞，表面看就是門極或放大門極附近燒成一小黑點。至于dv/dt其本身是不會燒壞晶閘管模塊的，只是高的dv/dt會使晶閘管模塊誤觸發導通，其表面現象跟電流燒壞的現象差不多。淄博正高電氣建立雙方共贏的伙伴關系是我們孜孜不斷的追求。濟南整流晶閘管調壓模塊配件

選擇可控硅模塊時不能只看表面，應參考實際工作條件來選擇，選用可控硅模塊的額定電流時，除了考慮通過元件的平均電流外，還應注意正常工作時導通角的大小、散熱通風條件等因素。在工作中還應注意管殼溫度不超過相應電流下的允許值。1.可控硅模塊的冷卻及環境條件:(1)強迫風冷：風速≥6m/s，風溫≤40℃；(2)水冷：流量≥4L/mm，壓強±。水溫≤35℃.水電阻率≥20KΩ.cm，HP值6—8；(3)自冷和負冷環境溫度—40℃—40℃.水冷以環境溫度5℃—40℃；(4)空氣相對濕度≤85%；(5)空氣中無腐蝕性氣體和破壞絕緣的塵埃；(6)氣壓86—106Kpa；(7)無劇烈震動或沖擊；(8)若有特殊場合，應進行相應的試驗，證明工作可靠方可使用。2、可控硅模塊選購注意事項:(1)注明您需要的產品的型號、結構（螺栓、凹臺、凸臺）、配置散熱器型號。(2)注明您關注的參數要求。(3)選擇電流電壓時要留有適當的余量；3、可控硅模塊使用注意事項：(1)線路中須有過壓過流保護措施，串并聯使用時必須有均流措施。(2)用萬用表簡單判斷器件是否損壞：門陰極間電阻，應有十幾或幾十Ω，否則門極已短路或開路。陰陽極間電阻，應大于1MΩ，（整流管正向除外），電阻小于1MΩ表明器件極間絕緣性能不良。安徽三相晶閘管調壓模塊價格淄博正高電氣生產的產品質量上乘。

在使用晶閘管模塊前必須了解的知識晶閘管模塊也是可控硅模塊，應用范圍很大，多數應用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中，是一種能夠在高電壓、大電流條件下工作，成為一些電路中不可或缺的重要元件。但是在晶閘管模塊是需要注意很多常識，下面一起來看看。1、在選用晶閘管模塊的額定電流時，就要注意，除了要考慮通過元件的平均電流之外，還要注意正常工作時導通角的大小、散熱通風條件等諸多因素，與此同時，管殼溫度不得超過相應電流下的允許值。2、使用晶閘管模塊，要用萬用表檢查晶閘管模塊是否良好，發現有短路或者斷路現象時，就要立即更換。3、嚴禁使用兆歐表來檢查元件的絕緣情況。4、電力為5A以上的晶閘管模塊要裝散熱器，并且保證所規定的冷卻條件，同時，為了保證散熱器與晶閘管模塊的管心接觸良好，它們之間也要涂上一層有機硅油或者是硅脂，以幫助能夠更加良好的散熱。5、按照規定來對主電路中的晶閘管模塊采用過壓及過流保護裝置。6、防止控制極的正向過載和反向擊穿。

可控硅移相觸發器主要用于觸發可控硅實現交流調壓，包括電源、電阻、導線、大電流晶閘管、小功率雙向晶閘管，現代有可控硅移相觸發器的出現，縮小觸發器體積與重量，節省大量的生產成本，為生產企業帶來明顯的經濟與社會效益。下面正高帶了解可控硅移相觸發器的功能。CON對COM必須為正，極性相反則輸出端失控，全開或全閉。當控制端CON從，交流負載上的電壓從0伏到相當大值可調，對阻性負載而言。其中CON在，可靠關斷模塊的輸出CON在，即隨著控制電壓的增大，導通角∝從180°到0°線性減小，交流負載上的電壓從0伏增大到相當大值，CON在，交流負載上的電壓為相當大值。移相觸發器均可使用在100-420Vac，50Hz的電網上，100V以下可定制。CON對COM的輸入阻抗分，G型為250歐。移相觸發器模塊可以觸發:1000A以內可控硅，注意觸發端接法。移相觸發器模塊本身發熱很小，不需另外散熱。可控硅移相觸發器主要適用于交流供電的雙向可控硅或反并聯可控硅線路的交流相位控制。能由交流電網直接供電并無需外加同步信號、輸出變壓器和直流工作電源，并且能直接與與可控硅控制極直接耦合觸發。具有鋸齒波線性好、移相范圍寬、控制方式簡單、有交互保護、輸出電流大等優點。淄博正高電氣始終堅持以人為本，恪守質量為金，同建雄績偉業。

加在控制極G上的觸發脈沖的大小或時間改變時，就能改變其導通電流的大小。雙向可控硅模塊與單向可控硅模塊的區別是，雙向可控硅G極上觸發脈沖的極性改變時，其導通方向就隨著極性的變化而改變，從而能夠控制交流電負載。而單向可控硅經觸發后只能從陽極向陰極單方向導通，所以可控硅有單雙向之分。雙向可控硅模塊按象限來分，又分為四象三端雙向可控硅、三象限雙向可控硅；按封裝分，分為一般半塑封裝、外絕緣式全塑封裝；按觸發電流來分，分為微觸型、高靈敏度型、標準觸發型；按電壓分，常規電壓品種、高壓品種。可控硅模塊由于它在電路應用中的效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強等優點，自上個世紀六十長代以來，獲得了迅猛發展，并已形成了一門單獨的學科。可控硅模塊發展到現在，在工藝上已經非常成熟，品質更好，成品率大幅提高，并向高壓大電流發展。可控硅模塊在應用電路中的作用體現在：可控整流：如同二極管整流一樣，將交流整流為直流，并且在交流電壓不變的情況下，有效地控制直流輸出電壓的大小即可控整流，實現交流→可變直流之轉變；無觸點功率靜態開關（固態開關）：作為功率開關元件，可控硅模塊可以代替接觸器、繼電器用于開關頻率很高的場合。淄博正高電氣不斷從事技術革新，改進生產工藝，提高技術水平。北京進口晶閘管調壓模塊配件

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正高談智能晶閘管模塊在電氣控制中的應用來源，晶閘管模塊出現在1957年，而后隨著半導體技術及其應用技術的不斷發展，使晶閘管模塊在電氣控制領域中發揮了很大的作用，但是，過去人們只能以分立器件的形式把晶閘管用在各種電氣控制裝置中，由分立器件組成的電路復雜、體積大，安裝調試麻煩，可靠性也較差。但是淄博正高電氣生產的智能晶閘管模塊從根本上解決了上述問題，下面一起來看看。智能晶閘管模塊就是將晶閘管模塊主電路與移相觸發電路以及具有控制功能的電路封裝在同一外殼內的新型模塊。智能晶閘管模塊的移相觸發電路為全數字電路，功能電路由單片機完成，并且內置有多路電流、電壓、溫度傳感器，通過模塊上的接插件可將各種控制線引到鍵盤，進行各種功能和電氣參數設定，并可進行LED或LCD顯示。模塊的每支芯片的電流已達1000A，電壓達1600～2200V，智能晶閘管模塊實際上已是一個準電力電子裝置，不論在體積、容量、功能、智能化程度以及可靠性等方面與傳統裝置相比都有很大優勢，且安裝、使用特別方便。毫無疑問，有了這種模塊，今后將會使配電系統內的各種電氣控制發生重大變化。智能晶閘管模塊一般由電力晶閘管。移相觸發器，軟件控制的單片機。濟南整流晶閘管調壓模塊配件

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