公司成立于2023年，總部設立在深圳，同時在成都設有研發中心。**研發團隊來自國內外前列半導體公司，擁有多位海歸大廠技術骨干，都擁有著10年以上的芯片開發經驗，擁有強大的研發創新能力。創立之初便推出了多款移動電源SOC，幫助客戶實現產品升級，受到客戶的高度認可。移動電源SOC具有高集成、多協議雙向快充，集成了同步開關升降壓變換器、電池充放電管理模塊、電量計算模塊、顯示模塊、協議模塊，并提供輸入/輸出的過壓/欠壓，電池過充/過放、NTC過溫、放電過流、輸出短路保護等保護功能，支持1-6節電池。線性穩壓器使用在其線性區域內運行的晶體管或 FET，減去超額的電壓，產生經過調節的輸出電壓。佛山DS2730賽芯廠家

    多節鋰電保護產品二級保護解析二級保護的定義和作用在鋰電池應用中，由于過充電、過放電以及過充電過放電電流等情況會導致電池內部發生化學副反應，嚴重影響電池性能與使用壽命，甚至引發安全問題，因此需要對電池進行保護。一級保護通常由IC和MOSFET在充電和放電周期期間為電池組提供，而二級保護則是在一級保護的基礎上，確保完整的用戶安全，為裝置在正常操作范圍之外的情況下提供保護14。二級保護的具體體現電壓異常保護過充電保護：當電池充電時，若任意一節電池達到充滿狀態，二級保護會發揮作用。設計的8串15A放電鋰電保護板中，任意一節電池充滿，相應的OC口會變為低電平，使對應的管子截止，進而讓OC變為低電平，結束充電周期。 珠海XBM4551賽芯內置均衡 內置MOS 2節鋰保3~4串集成均衡/NTC/Sense XBM5244.

    3或4串電池組的二級保護芯片主要描述XBM4X30系列產品內置高精度的電壓檢測電路和延遲電路，是一款用于可充電電池組的二級保護芯片，通過檢測電池包中每一節電芯的電壓，為電池包提供過充電保護和過放保護1。功能特點高精度電池電壓檢測功能：過充電檢測電壓-（步進50mV），精度±25mV；過充電電壓0-（步進50mV），精度±50mV；過放電檢測電壓-（步進100mV），精度±80mV；過放電電壓0V-（步進100mV），精度±100mV1。保護延時內置可選：可根據不同應用場景選擇合適的保護延時1。內置斷線保護功能（可選）：增加了電池使用的安全性1。輸出方式可選：有CMOS輸出、N溝道開路漏級輸出、P溝道開路漏級輸出三種方式1。輸出邏輯可選：動態輸出H、動態輸出。

    二級保護電路設計要點二級保護電路的設計要點主要包括以下幾個方面：1.電路組成和工作原理二級保護電路通常包括***級靜電保護電路和第二級靜電保護電路。***級靜電保護電路連接于輸入管腳和接地端之間，而第二級靜電保護電路則包括電阻和MOS晶體管，其中MOS晶體管的源極和漏極均與輸出管腳相連，其柵極與接地端相連，襯體端也與接地端相連。這樣的設計可以在減少占用芯片面積的同時，維持相同的靜電保護效果3。2.保護電路的選擇和應用在設計保護電路時，需要根據具體的應用場景選擇合適的保護元件。例如，瞬態電壓抑制二極管（TVS）是一種常用的電子元件，用于保護電路免受過電壓的影響。在電力系統、通信設備、計算機硬件和其他敏感電子設備中，TVS是不可或缺的保護元件1。3.電路的穩定性和可靠性在設計二級保護電路時，還需要考慮電路的穩定性和可靠性。例如，在激光二極管保護電路的設計中，需要重點分析電流、瞬態電壓處理等關鍵因素。 2串 內置均衡MOS,帶船運/SenseXBM325X.

    降壓型C+CA多口快充SOC  DS2730數據手冊—降壓型C+CA多口快充SOC  DS2730集成了過壓/欠壓保護、過流保護、過溫保護、短路保護功能。?過壓/欠壓保護：放電過程中，DS2730實時監測輸入/輸出電壓，并和預設的閾值電壓比較。如果電壓高于過壓閾值或低于欠壓閾值，且維持時間達到一定長度時，芯片關閉放電通路。?過流保護：放電過程中，利用內部的高精度ADCADC，實時監測流經采樣電阻的電流。當電流大于預設的過流閾值時，首先降低輸出功率；如果降低功率后仍然持續過流，則觸發過流保護，芯片自動關閉放電通路。?過溫保護：放電過程中，利用連接在TS管腳上的NTCNTC，實時監測芯片自身的溫度或應用方案中關鍵元件的溫度（例如，MOS管）。當溫度超出預設的保護門限時，降低放電功率。?短路保護：放電過程中，實時檢測VBUS的電壓和放電電流。發生VBUSBUS輸出短路時，自動關閉放電通路。 移動電源SOC DS6036 30W-100W 2串-6串移動電源.珠海XBM4551賽芯內置均衡 內置MOS 2節鋰保

可用模擬和PWM信號調光的高壓線性LED驅動集成電路。佛山DS2730賽芯廠家

    PCBLayout參考---兩顆芯片并聯兩個同型號的鋰電保護可以直接并聯，實現幾乎是直接翻倍的帶載能力，降低內阻，提高效率，但布板清注意：①兩個芯片盡量對稱，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM盡量大面積鋪地，減小布線內阻和加強散熱。③，每片鋰電保護IC都需要一個。100Ω電阻**好共用一顆電阻，并且布的離VDD近些，盡量與兩個芯片距離差不都。④VDD采樣線可以略長些，也無需多粗，但需要繞開干擾源-VDD采樣線里面沒有大電流。PCBLayout參考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封裝較小，PCB板上，封裝焊盤略大一些，避免虛焊。②，走線經過電阻后，先經過電容再到芯片的VDD。③電容的GND盡量短的回到芯片的GND，使整個電容環路**小。④芯片的GND（B-）到VM建議預留一個C2（）電容位置，C2電容可以提高ESD和抗干擾能力。⑤芯片的EPAD，建議連接芯片的GND（B-）或者懸空。 佛山DS2730賽芯廠家