當MOS電容的GATE相對于backgate是負電壓時的情況。電場反轉，往表面吸引空穴排斥電子。硅表層看上去更重的摻雜了，這個器件被認為是處于accumulation狀態了。MOS電容的特性能被用來形成MOS管。Gate，電介質和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個額外的選擇性摻雜的區域。其中一個稱為source，另一個稱為drain。假設source和backgate都接地，drain接正電壓。只要GATE對BACKGATE的電壓仍舊小于閾值電壓，就不會形成channel。Drain和backgate之間的PN結反向偏置，所以只有很小的電流從drain流向backgate。如果GATE電壓超過了閾值電壓，在GATE電介質下就出現了channel。這個channel就像一薄層短接drain和source的N型硅。由電子組成的電流從source通過channel流到drain。
總的來說，只有在gate對source電壓V超過閾值電壓Vt時，才會有drain電流。 場效應管的可靠性較高，壽命長。杭州雙極場效應管參數

用測電阻法判別場效應管的好壞：測電阻法是用萬用表測量場效應管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極Ｇ1與柵極Ｇ2之間的電阻值同場效應管手冊標明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100檔，測量源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊中可知，各種不同型號的管，其電阻值是各不相同的），如果測得阻值大于正常值，可能是由于內部接觸不良；如果測得阻值是無窮大，可能是內部斷極。然后把萬用表置于Ｒ×１０ｋ檔，再測柵極Ｇ1與Ｇ2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當測得其各項電阻值均為無窮大，則說明管是正常的；若測得上述各阻值太小或為通路，則說明管是壞的。要注意，若兩個柵極在管內斷極，可用元件代換法進行檢測。上海N溝耗盡型場效應管型號由于場效應管的輸入阻抗高，可以減少電路中的信號損失，因此在放大低電平信號時非常有用。

   場效應管測試儀儀器主要用以功率場效應管和IGBT的質量檢驗、參數的配對及其它電子電子元件的耐壓測試之用。儀器分N溝導型測試儀和P溝導型測試儀兩種。耐壓測試儀方法特性：是按照IEC、ISO、BS、UL、JIS等國內、國際的安全基準而設計，是交流安全通用測試儀器，合適家電及低壓電器的安全測試。測試電壓和漏電流使用4位LED數碼管顯示，測試時間使用2位LED數碼管顯示。漏電流值由粗調和細調旋鈕調節。漏電流超差時自動切斷測試電壓，并發出聲光報警信號。有外控端子。臣式機箱、塑料面框、外形新穎美觀。主要技術參數：測試電壓：AC0～5KV。測試電壓誤差：低于3％。測試電壓波形：50Hz市電正弦波。輸出容量：500VA(DF2670)，500VA/750VA(DF2670A)。漏電流范圍：2mA～20mA共六檔(DF2670)～2mA/～20mA(DF2670A)。漏電流測試誤差：低于3％。測試時間：1～99秒。時間誤差：低于1％。一：場效應管的主要參數(1)直流參數飽和漏極電流IDSS它可概念為：當柵、源極之間的電壓相等零，而漏、源極之間的電壓大于夾斷電壓時，對應的漏極電流。夾斷電壓UP它可概念為：當UDS一定時，使ID減少到一個細微的電流時所需的UGS打開電壓UT它可概念為：當UDS一定時，使ID到達某一個數值時所需的UGS。

場效應管的制造工藝也在不斷發展和改進。隨著半導體技術的不斷進步，場效應管的制造工藝越來越先進，尺寸越來越小，性能越來越高。目前，場效應管的制造工藝主要包括平面工藝、雙極工藝、CMOS工藝等。這些制造工藝各有特點，可以根據不同的需求選擇合適的工藝進行生產。同時，隨著納米技術的發展，場效應管的尺寸也在不斷縮小，未來有望實現更小尺寸、更高性能的場效應管。在電源管理電路中，場效應管也起著重要的作用。例如，在開關電源中，場效應管作為功率開關，實現對輸入電源的高效轉換。通過控制場效應管的導通和截止時間，可以調節輸出電壓和電流，實現對負載的穩定供電。此外，場效應管還可以用于電源保護電路中，如過壓保護、過流保護等。在電源管理電路中，場效應管的性能和可靠性對整個電源系統的性能有著重要的影響。場效應管的靜態功耗較低。

場效應管MOSFET分類MOSFET分為兩大類：N溝道和P溝道。在功率系統中，MOSFET起到的作用相當于一個開關。當在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，其開關導通。導通時，電流可經開關從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內阻，稱為導通電阻RDS（ON）。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端，因此，總 是要在柵極加上一個電壓。如果柵極為懸空，器件將不能按設計意圖工作，并可能在不恰當的時刻導通或關閉，導致系統產生潛在的功率損耗。當源極和柵極間的電 壓為零時，開關關閉，而電流停止通過器件。雖然這時器件已經關閉，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流，即IDSS。場效應晶體管可由溝道和柵極之間的絕緣方法來區分。杭州雙極場效應管特點

場效應管的性能受溫度影響較大。杭州雙極場效應管參數

場效應管的發展可以追溯到上世紀中葉。早期的研究為其后續的廣泛應用奠定了基礎。在發展過程中，技術不斷改進和創新。從初的簡單結構到如今的高性能、高集成度的器件，場效應管經歷了多次重大突破。例如，早期的場效應管性能有限，應用范圍相對較窄。隨著半導體工藝的進步，尺寸不斷縮小，性能大幅提升。這使得場效應管能夠在更小的空間內實現更強大的功能，為電子設備的微型化和高性能化提供了可能。場效應管具有許多出色的性能特點。首先，其輸入電阻極高，可達數百兆歐甚至更高。這意味著它對輸入信號的電流要求極小，從而減少了信號源的負擔。杭州雙極場效應管參數