MOS場效應管也被稱為金屬氧化物半導體場效應管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡型和增強型兩種。增強型MOS場效應管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型也叫P溝道型。對于N溝道的場效應管其源極和漏極接在N型半導體上，同樣對于P溝道的場效應管其源極和漏極則接在P型半導體上。場效應管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制，可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時這也是我們稱之為場效應管的原因。 場效應管（簡稱FET）是一種半導體器件，其原理是利用半導體材料中的電場控制電流的流動。上海半自動場效應管推薦廠家

場效應管MOSFET分類MOSFET分為兩大類：N溝道和P溝道。在功率系統中，MOSFET起到的作用相當于一個開關。當在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，其開關導通。導通時，電流可經開關從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內阻，稱為導通電阻RDS（ON）。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端，因此，總 是要在柵極加上一個電壓。如果柵極為懸空，器件將不能按設計意圖工作，并可能在不恰當的時刻導通或關閉，導致系統產生潛在的功率損耗。當源極和柵極間的電 壓為零時，開關關閉，而電流停止通過器件。雖然這時器件已經關閉，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流，即IDSS。 臺州P溝道場效應管推薦廠家場效應晶體管（Field Effect Transistor(FET)）簡稱場效應管。

場效應管判定柵極:用萬用表黑表筆碰觸管子的一個電極，紅表筆分別碰觸另外兩個電極。若兩次測出的阻值都很大，說明均是反向電阻，該管屬于N溝道場效應管，黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場效應管的源極和漏極是對稱的，可以互換使用，并不影響電路的正常工作，所以不必加以區分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。注意不能用此法判定絕緣柵型場效應管的柵極。因為這種管子的輸入電阻極高，柵源間的極間電容又很小，測量時只要有少量的電荷，就可在極間電容上形成很高的電壓，容易將管子損壞。

場效應管與雙極性晶體管的比較場效應管是電壓控制器件，柵極基本不取電流，而晶體管是電流控制器件，基極必須取一定的電流。因此，在信號源額定電流極小的情況，應選用場效應管。場效應管是多子導電，而晶體管的兩種載流子均參與導電。由于少子的濃度對溫度、輻射等外界條件很敏感，因此，對于環境變化較大的場合，采用場效應管比較合適。場效應管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開關外，還可作壓控可變線性電阻使用。場效應管的源極和漏極在結構上是對稱的，可以互換使用，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負。因此，使用場效應管比晶體管靈活。 場效應管可以方便地用作恒流源。

VMOS場效應管:VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之后新發展起來的高效、功率開關器件。它不光繼承了MOS場效應管輸入阻抗高（≥108W）、驅動電流?。ㄗ笥?.1μA左右），還具有耐壓高（較高可耐壓1200V）、工作電流大（1.5A～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導的線性好、開關速度快等優良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優點集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數可達數千倍）、功率放大器、開關電源和逆變器中正獲得普遍應用。 場效應管可以用于放大音頻和射頻信號。江蘇非絕緣型場效應管推薦

場效應管的作用是放大電信號或作為開關控制電路中的電流。上海半自動場效應管推薦廠家

場效應晶體管可以由各種半導體制成，其中硅是目前常見的。大多數場效應晶體管是使用傳統的批量半導體加工技術并由單晶半導體晶片作為有源區或溝道制造而成。特殊的基體材料包括非晶硅、多晶硅、其他非晶半導體以及薄膜晶體管、有機半導體基有機晶體管(OFET)。有機晶體管的柵極絕緣體和電極通常是由有機材料制成。這種特殊的場效應晶體管使用各種材料制造，例如碳化硅(SiC)、砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)和砷化銦鎵(InGaAs)。2011年6月，IBM宣布已成功地將石墨烯基場效應晶體管應用于集成電路中。這些晶體管的頻率上限約為2.23 GHz，比標準硅基場效應晶體管高得多。 上海半自動場效應管推薦廠家

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