二極管的主要原理就是利用PN結的單向導電性，在PN結上加上引線和封裝就成了一個二極管。晶體二極管為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于PN結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流。 當外加的反向電壓高到一定程度時，PN結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現象。PN結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。二極管在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。杭州瞬變抑制二極管用途

二極管在20世紀20年代由熱離子二極管所取代。20世紀50年代，高純度的半導體材料出現。因為新出現的鍺二極管價格便宜，晶體收音機重新開始被大規模使用。貝爾實驗室還開發了鍺二極管微波接收器。20世紀40年代中后期，美國電話電報公司在美國四處新建的微波塔上開始應用這種微波接收器，主要用于傳輸電話和網絡電視信號。不過貝爾實驗室并未研發出效果令人滿意的熱離子二極管微波接收器。之后隨著量子力學和半導體材料的發展和應用，逐漸發展并形成了目前人們使用的半導體二極管結構和配套的應用產業。 金華二極管生產商二極管由N區引出的電極是負極，又叫陰極。

二極管的主要原理就是利用PN結的單向導電性，在PN結上加上引線和封裝就成了一個二極管。晶體二極管為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于PN結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流。 當外加的反向電壓高到一定程度時，PN結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現象。PN結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。

半導體二極管的非線性電流-電壓特性，可以根據選擇不同的半導體材料和摻雜不同的雜質從而形成雜質半導體來改變。特性改變后的二極管在使用上除了用做開關的方式之外，還有很多其他的功能，如：用來調節電壓（齊納二極管），限制高電壓從而保護電路（雪崩二極管），無線電調諧（變容二極管），產生射頻振蕩（隧道二極管、耿氏二極管、IMPATT二極管）以及產生光（發光二極管）。半導體二極管中，有利用P型和N型兩種半導體接合面的PN結效應，也有利用金屬與半導體接合產生的肖特基效應達到整流作用的類型。若是PN結型的二極管，在P型側就是陽極，N型側則是陰極。二極管長期連續工作時，允許通過的正向平均電流值。

固態二極管1874年，德國物理學家卡爾·布勞恩發現了晶體的“單向傳導”的能力，并在1899年將晶體整流器申請了。氧化亞銅和硒整流器則是在1930年代為了供電應用而發明的。印度人賈格迪什·錢德拉·博斯在1894年成為了個使用晶體檢測無線電波的科學家。他也在厘米和毫米級別對微波進行了研究。1903年，格林里夫·惠特勒·皮卡德（Greenleaf Whittier Pickard）發明了硅晶檢波器，并在1906年11月20日注冊了。也正是因為格林里夫，使得晶體檢波器發展成了可實用于無線電報的裝置。其他實驗者嘗試了多種其他物質，其中普遍使用的是礦物方鉛礦（硫化鉛），因它價格便宜且容易獲取。在這些早期的晶體收音機集的晶體檢波器包括一個可調節導線的點接觸設備（即所謂的“貓須”）。可以通過手動調節晶體表面上的導線，以獲得的信號。 開關二極管：開關二極管是二極管的一種。中山電子二極管分類

二極管是用半導體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件。杭州瞬變抑制二極管用途

二極管控制電路的一般分析方法說明對于控制電路的分析通常要分成多種情況，例如將控制信號分成大、中、小等幾種情況。就這一電路而言，控制電壓Ui對二極管VD1的控制要分成下列幾種情況。（1）電路中沒有錄音信號時，直流控制電壓Ui為0，二極管VD1截止，VD1對電路工作無影響，級錄音放大器輸出的信號可以全部加到第二級錄音放大器中。2）當電路中的錄音信號較小時，直流控制電壓Ui較小，沒有大于二極管VD1的導通電壓，所以不足以使二極管VD1導通，此時二極管VD1對級錄音放大器輸出的信號也沒有分流作用。（3）當電路中的錄音信號比較大時，直流控制電壓Ui較大，使二極管VD1導通，錄音信號愈大，直流控制電壓Ui愈大，VD1導通程度愈深，VD1的內阻愈小。杭州瞬變抑制二極管用途

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