二極管的發現和發展:1874年，德國物理學家卡爾·布勞恩在卡爾斯魯厄理工學院發現了晶體的整流能力。因此1906年開發出的代二極管——“貓須二極管”是由方鉛礦等礦物晶體制成的。20世紀初，由于無線電接收器探測器的需要，熱離子二極管（真空管）和固態二極管（半導體二極管）大約在相同的時間分別研發。直到20世紀50年代之前，真空管二極管在收音機中都更為常用。這是因為早期的點接觸式半導體二極管（貓須探測器）并不穩定，并且那時大多數的收音機放大器都是由真空管制成，二極管可以直接放入其中。而且那時真空管整流器和充氣整流器處理一些高電壓、高電流整流任務的能力更是遠在半導體二極管（如硒整流器）之上?，F如今的二極管大多是使用硅來生產，鍺等其它半導體材料有時也會用到。目前常見的結構是，一個半導體性能的結晶片通過PN結連接到兩個電終端。開關二極管：開關二極管是二極管的一種。上海晶體二極管作用

二極管PN結形成原理：P型半導體是在本征半導體（一種完全純凈的、結構完整的半導體晶體）摻入少量三價元素雜質，如硼等。因硼原子只有三個價電子，它與周圍的硅原子形成共價鍵，因缺少一個電子，在晶體中便產生一個空位，當相鄰共價鍵上的電子獲得能量時就有可能填補這個空位，使硼原子成了不能移動的負離子，而原來的硅原子的共價鍵則因缺少一個電子，形成了空穴，但整個半導體仍呈中性。這種P型半導體中以空穴導電為主，空穴為多數載流子，自由電子為少數載流子。 N型半導體形成的原理和P型原理相似。在本征半導體中摻入五價原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價鍵，產生了自由電子。在N型半導體中，電子為多數載流子，空穴為少數載流子。 上海晶體二極管作用發光二極管與霓虹燈相比除了壽命長，還有節能、驅動和控制簡易、無需維護等特點。

反向偏壓（Reverse Bias）在陽極側施加相對陰極負的電壓，就是反向偏置，所加電壓為逆向偏壓。這種情況下，因為N型區域被注入電洞，P型區域被注入電子，兩個區域內的主要載流子都變為不足，因此結合部位的空乏層變得更寬，內部的靜電場也更強，擴散電位也跟著變大。這個擴散電位與外部施加的電壓互相抵銷，讓反向的電流更難以通過。實際的元件雖然處于反向偏壓狀態，也會有微小的反向電流（飽和電流、漏電流、漂移電流）通過。當反向偏壓持續增加時，還會發生隧道擊穿或雪崩擊穿或崩潰，發生急遽的電流增加。開始產生這種擊穿現象的（反向）電壓被稱為擊穿電壓。超過擊穿電壓以后反向電流急遽增加的區域被稱為擊穿區（崩潰區）。在擊穿區內，電流在較大的范圍內變化而二極管反向壓降變化較小。穩壓二極管就利用這個區域的動作特性而制成，可以作為電壓源使用。

半導體二極管的非線性電流-電壓特性，可以根據選擇不同的半導體材料和摻雜不同的雜質從而形成雜質半導體來改變。特性改變后的二極管在使用上除了用做開關的方式之外，還有很多其他的功能，如：用來調節電壓（齊納二極管），限制高電壓從而保護電路（雪崩二極管），無線電調諧（變容二極管），產生射頻振蕩（隧道二極管、耿氏二極管、IMPATT二極管）以及產生光（發光二極管）。半導體二極管中，有利用P型和N型兩種半導體接合面的PN結效應，也有利用金屬與半導體接合產生的肖特基效應達到整流作用的類型。若是PN結型的二極管，在P型側就是陽極，N型側則是陰極。 二極管由N區引出的電極是負極，又叫陰極。

二極管種類：PN結二極管（PN Diode）施加順向偏壓，利用半導體中PN接合的整流性質，是基本的半導體二極管，常見應用于整流方面以及與電感并聯保護其他元件用。細節請參照PN接面的條目。蕭特基二極管利用金屬和半導體二者的接合面的'蕭特基效應'的整流作用。由于順向的切入電壓較低，導通回復時間也短，適合用于高頻率的整流。一般而言漏電流較多，突波耐受度較低。也有針對此缺點做改善的品種推出。穩壓二極管（Reference Diode）（常用稱法：齊納二極管）施加逆向偏壓，超過特定電壓時發生的反向擊穿電壓隨反向電流變化很小，具有一定的電壓穩定能力。利用此性質做成的元件被用于電壓基準。借由摻雜物的種類、濃度，決定擊穿電壓（破壞電壓）。其順向偏壓與一般的二極管相同。 二極管是用半導體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件。廣州TOS二極管廠家直銷

二極管開路時，對繼電器電路工作狀態沒有大的影響。上海晶體二極管作用

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