場效應(yīng)管電阻法測電極:根據(jù)場效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個(gè)電極，分別測出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個(gè)電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時(shí)，則該兩個(gè)電極分別是漏極D和源極S。因?yàn)閷Y(jié)型場效應(yīng)管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個(gè)電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)電極，測其電阻值。當(dāng)出現(xiàn)兩次測得的電阻值近似相等時(shí)，則黑表筆所接觸的電極為柵極，其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測出的電阻值均很大，說明是PN結(jié)的反向，即都是反向電阻，可以判定是P溝道場效應(yīng)管，且黑表筆接的是柵極；若兩次測出的電阻值均很小，說明是正向PN結(jié)，即是正向電阻，判定為N溝道場效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極。若不出現(xiàn)上述情況，可以調(diào)換黑、紅表筆按上述方法進(jìn)行測試，直到判別出柵極為止。 場效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過VGS(柵源電壓)來控制ID（漏極電流）。嘉興常用場效應(yīng)管批發(fā)價(jià)

2N7002和2N7002K是一款帶ESD防靜電保護(hù)的場效應(yīng)管，封裝形式為SOT-23，深圳市盟科電子科技有限公司從2010年成立至今一直專注場效應(yīng)管的研發(fā)、生產(chǎn)和應(yīng)用。主要生產(chǎn)場效應(yīng)管，三極管，二極管，可控硅，LDO等。質(zhì)量可靠，且提供全程的售前售后服務(wù)。這款2N7002產(chǎn)品是N溝道增強(qiáng)型帶靜電保護(hù)MOS，ESD可達(dá)2000V，其電壓BVDSS是大于60V，電流ID可達(dá)300mA，阻抗Rdon在VGS@10V檔位下典型值為1歐姆，開啟電壓VGS(th)典型值在2-4V。本款產(chǎn)品包裝為3000PCS，標(biāo)準(zhǔn)絲印為7002和02K，也可以支持ODM定制，交期大多在15天就可以產(chǎn)出。主要用于電腦主板，鍵盤鼠標(biāo)等。 廣州結(jié)型場效應(yīng)管市場價(jià)場效應(yīng)晶體管通常比雙極結(jié)型晶體管 (BJT)產(chǎn)生更少的噪聲，因此可應(yīng)用于噪聲敏感電子器件。

MOS場效應(yīng)管的測試方式(1)．打算工作測量之前，先把人體對地短路后，才能摸觸MOSFET的管腳。在手腕上接一條導(dǎo)線與大地連接，使人體與大地維持等電位。再把管腳分離，然后拆掉導(dǎo)線。(2)．判斷電極將萬用表撥于R×100檔，首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無限大，驗(yàn)證此腳就是柵極G。交換表筆重測量，S-D之間的電阻值應(yīng)為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次，黑表筆接的為D極，紅表筆接的是S極。日本生產(chǎn)的3SK系列產(chǎn)品，S極與管殼接通，據(jù)此很容易確定S極。(3)．檢驗(yàn)放大能力(跨導(dǎo))將G極懸空，黑表筆接D極，紅表筆接S極，然后用指頭觸摸G極，表針理應(yīng)較大的偏轉(zhuǎn)。雙柵MOS場效應(yīng)管有兩個(gè)柵極G1、G2。為區(qū)別之，可用手分別觸摸G1、G2極，其中表針向左側(cè)偏轉(zhuǎn)大幅度較大的為G2極。目前有的MOSFET管在G-S極間增加了保護(hù)二極管，平時(shí)就不需要把各管腳短路了。MOS場效應(yīng)晶體管在采用時(shí)應(yīng)留意分類，不能隨心所欲交換。MOS場效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高(包括MOS集成電路)極易被靜電擊穿，用到時(shí)應(yīng)留意以下準(zhǔn)則：(1).MOS器件出廠時(shí)一般而言裝在黑色的導(dǎo)電泡沫塑料袋中，切勿自行隨意拿個(gè)塑料袋裝。也可用細(xì)銅線把各個(gè)引腳聯(lián)接在一起，或用錫紙包裝。

場效應(yīng)管判斷跨導(dǎo)的大小:測反向電阻值的變化判斷跨導(dǎo)的大小.對VMOSV溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管測量跨導(dǎo)性能時(shí)，可用紅表筆接源極S、黑表筆接漏極D，這就相當(dāng)于在源、漏極之間加了一個(gè)反向電壓。此時(shí)柵極是開路的，管的反向電阻值是很不穩(wěn)定的。將萬用表的歐姆檔選在R×10kΩ的高阻檔，此時(shí)表內(nèi)電壓較高。當(dāng)用手接觸柵極G時(shí)，會發(fā)現(xiàn)管的反向電阻值有明顯地變化，其變化越大，說明管的跨導(dǎo)值越高；如果被測管的跨導(dǎo)很小，用此法測時(shí)，反向阻值變化不大。 場效應(yīng)管由于它不存在雜亂運(yùn)動的電子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。

MOS場效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（較高可達(dá)1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝道。耗盡型則是指，當(dāng)VGS=0時(shí)即形成溝道，加上正確的VGS時(shí)，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止。 增強(qiáng)型場效應(yīng)管特點(diǎn):當(dāng)Vgs=0時(shí)Id(漏極電流)=0。杭州MOS場效應(yīng)管推薦廠家

場效應(yīng)晶體管的溝道是摻雜n型半導(dǎo)體或p型半導(dǎo)體的結(jié)果。嘉興常用場效應(yīng)管批發(fā)價(jià)

場效應(yīng)晶體管的優(yōu)點(diǎn)：具有較高輸入電阻高、輸入電流低于零，幾乎不要向信號源吸取電流，在在基極注入電流的大小，直接影響集電極電流的大小，利用輸出電流控制輸出電源的半導(dǎo)體。場效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。 嘉興常用場效應(yīng)管批發(fā)價(jià)

盟科電子，2010-11-30正式啟動，成立了MOSFETs,場效應(yīng)管，開關(guān)二極管，三極管 ，三端穩(wěn)壓管 LDO，集成電路IC 整流器等幾大市場布局，應(yīng)對行業(yè)變化，順應(yīng)市場趨勢發(fā)展，在創(chuàng)新中尋求突破，進(jìn)而提升盟科,MENGKE的市場競爭力，把握市場機(jī)遇，推動電子元器件產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步。盟科電子經(jīng)營業(yè)績遍布國內(nèi)諸多地區(qū)地區(qū)，業(yè)務(wù)布局涵蓋MOSFETs,場效應(yīng)管，開關(guān)二極管，三極管 ，三端穩(wěn)壓管 LDO，集成電路IC 整流器等板塊。我們強(qiáng)化內(nèi)部資源整合與業(yè)務(wù)協(xié)同，致力于MOSFETs,場效應(yīng)管，開關(guān)二極管，三極管 ，三端穩(wěn)壓管 LDO，集成電路IC 整流器等實(shí)現(xiàn)一體化，建立了成熟的MOSFETs,場效應(yīng)管，開關(guān)二極管，三極管 ，三端穩(wěn)壓管 LDO，集成電路IC 整流器運(yùn)營及風(fēng)險(xiǎn)管理體系，累積了豐富的電子元器件行業(yè)管理經(jīng)驗(yàn)，擁有一大批專業(yè)人才。盟科電子始終保持在電子元器件領(lǐng)域優(yōu)先的前提下，不斷優(yōu)化業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)。在MOSFETs,場效應(yīng)管，開關(guān)二極管，三極管 ，三端穩(wěn)壓管 LDO，集成電路IC 整流器等領(lǐng)域承攬了一大批高精尖項(xiàng)目，積極為更多電子元器件企業(yè)提供服務(wù)。