反向偏壓(Reverse Bias)在陽極側施加相對陰極負的電壓,就是反向偏置,所加電壓為逆向偏壓。這種情況下,因為N型區域被注入電洞,P型區域被注入電子,兩個區域內的主要載流子都變為不足,因此結合部位的空乏層變得更寬,內部的靜電場也更強,擴散電位也跟著變大。這個擴散電位與外部施加的電壓互相抵銷,讓反向的電流更難以通過。實際的元件雖然處于反向偏壓狀態,也會有微小的反向電流(飽和電流、漏電流、漂移電流)通過。當反向偏壓持續增加時,還會發生隧道擊穿或雪崩擊穿或崩潰,發生急遽的電流增加。開始產生這種擊穿現象的(反向)電壓被稱為擊穿電壓。超過擊穿電壓以后反向電流急遽增加的區域被稱為擊穿區(崩潰區)。在擊穿區內,電流在較大的范圍內變化而二極管反向壓降變化較小。穩壓二極管就利用這個區域的動作特性而制成,可以作為電壓源使用。 二極管在收音機中都更為常用。江蘇二極管供應
穩壓二極管在汽車電路上的應用:在汽車電路中由于各個電器總成或元件的工作電流比較大,使汽車電源系統的電壓會出現波動,因此,在一些需要精確電壓值的地方經常利用穩壓管來獲取所需電壓。下圖是利用穩壓管為汽車儀表提供穩定電源的電路,圖中的穩壓管與電阻串聯而與儀表并聯。當電源電壓發生變化時,也只是引起不同大小的電流流過電阻和穩壓管,改變電阻上的電壓,而穩壓管始終維持一定的電壓,從而起到穩壓的作用。)穩壓二極管的檢測穩壓二極管的極性和性能好壞的測量與普通二極管的測量方法相似,不同之處在于:當使用指針式萬用表的R×1kΩ擋測量二極管時,測得其反向電阻是很大的,此時,將萬用表轉換到R×10kΩ擋,如果出現萬用表指針向右偏轉較大角度,即反向電阻值減小很多,則該二極管為穩壓二極管;如果反向電阻基本不變,說明該二極管是普通二極管,而不是穩壓二極管。上海原裝二極管供應商觸發二極管相當于兩個反方向并聯的二極管,是一種雙方向皆可導通的二極管。
二極管的主要原理就是利用PN結的單向導電性,在PN結上加上引線和封裝就成了一個二極管。晶體二極管為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結,在其界面處兩側形成空間電荷層,并建有自建電場。當不存在外加電壓時,由于PN結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時,外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時,外界電場和自建電場進一步加強,形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流。 當外加的反向電壓高到一定程度時,PN結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程,產生大量電子空穴對,產生了數值很大的反向擊穿電流,稱為二極管的擊穿現象。PN結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。
二極管VD1溫度補償電路分析根據二極管VD1在電路中的位置,對它的工作原理分析思路主要說明下列幾點:(1)VD1的正極通過R1與直流工作電壓+V相連,而它的負極通過R2與地線相連,這樣VD1在直流工作電壓+V的作用下處于導通狀態。理解二極管導通的要點是:正極上電壓高于負極上電壓。(2)利用二極管導通后有一個0.6V管壓降來解釋電路中VD1的作用是行不通的,因為通過調整R1和R2的阻值大小可以達到VT1基極所需要的直流工作電壓,根本沒有必要通過串入二極管VD1來調整VT1基極電壓大小。當LED產生的光是頻寬極窄的同調光時,則稱為激光二極管。
二極管的發現和發展:1874年,德國物理學家卡爾·布勞恩在卡爾斯魯厄理工學院發現了晶體的整流能力。因此1906年開發出的代二極管——“貓須二極管”是由方鉛礦等礦物晶體制成的。20世紀初,由于無線電接收器探測器的需要,熱離子二極管(真空管)和固態二極管(半導體二極管)大約在相同的時間分別研發。直到20世紀50年代之前,真空管二極管在收音機中都更為常用。這是因為早期的點接觸式半導體二極管(貓須探測器)并不穩定,并且那時大多數的收音機放大器都是由真空管制成,二極管可以直接放入其中。而且那時真空管整流器和充氣整流器處理一些高電壓、高電流整流任務的能力更是遠在半導體二極管(如硒整流器)之上?,F如今的二極管大多是使用硅來生產,鍺等其它半導體材料有時也會用到。目前常見的結構是,一個半導體性能的結晶片通過PN結連接到兩個電終端。二極管由N區引出的電極是負極,又叫陰極。廣東發光二極管制造商
在半導體器件的大家族中,二極管是誕生較早的成員。江蘇二極管供應
二極管種類:PN結二極管(PN Diode)施加順向偏壓,利用半導體中PN接合的整流性質,是基本的半導體二極管,常見應用于整流方面以及與電感并聯保護其他元件用。細節請參照PN接面的條目。蕭特基二極管利用金屬和半導體二者的接合面的'蕭特基效應'的整流作用。由于順向的切入電壓較低,導通回復時間也短,適合用于高頻率的整流。一般而言漏電流較多,突波耐受度較低。也有針對此缺點做改善的品種推出。穩壓二極管(Reference Diode)(常用稱法:齊納二極管)施加逆向偏壓,超過特定電壓時發生的反向擊穿電壓隨反向電流變化很小,具有一定的電壓穩定能力。利用此性質做成的元件被用于電壓基準。借由摻雜物的種類、濃度,決定擊穿電壓(破壞電壓)。其順向偏壓與一般的二極管相同。 江蘇二極管供應
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