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3）多相整流電路 隨著整流電路的功率進(jìn)一步增大(如軋鋼電動(dòng)機(jī)，功率達(dá)數(shù)兆瓦)，為了減輕對(duì)電網(wǎng)的干擾﹐特別是減輕整流電路高次諧波對(duì)電網(wǎng)的影響，可采用十二相﹑十八相﹑二十四相，乃至三十六相的多相整流電路。采用多相整流電路能改善功率因數(shù)，提高脈動(dòng)頻率，使變壓器初級(jí)電...

在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P 一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（ Subchannel region ）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙...

主要廠家品牌：ST，NXP/PHILIPS，NEC，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA，JX ，SANREX，SANKEN ，SEMIKRON ，EUPEC，IR，JBL等。IT(A...

“驅(qū)動(dòng)”這個(gè)詞在中文中有多種含義，具體取決于上下文。以下是一些常見的解釋：物理意義：指推動(dòng)或驅(qū)使某物運(yùn)動(dòng)的力量或機(jī)制。例如，汽車的發(fā)動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)汽車前進(jìn)。技術(shù)意義：在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域，驅(qū)動(dòng)程序（Driver）是指一種軟件，它使操作系統(tǒng)能夠與硬件設(shè)備進(jìn)行通信。例如，打印機(jī)...

畫出它的波形圖，可以看到，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí)，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出。Ug到來(lái)得早，可控硅導(dǎo)通的時(shí)間就早；Ug到來(lái)得晚，可控硅導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技...

2、**種整流電路輸出的單向脈動(dòng)性直流電特性有所不同，半波整流電路輸出的電壓只有半周，所以這種單向脈動(dòng)性直流電主要成分仍然是50Hz的；因?yàn)檩斎虢涣魇须姷念l率是50Hz，半波整流電路去掉了交流電的半周，沒有改變單向脈動(dòng)性直流電中交流成分的頻率；全波和橋式整流電...

N型半導(dǎo)體形成的原理和P型原理相似。在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價(jià)鍵，產(chǎn)生了自由電子。在N型半導(dǎo)體中，電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子。 [6]PN結(jié)因此，在本征半導(dǎo)體的兩個(gè)不同區(qū)域摻入三價(jià)和五價(jià)雜質(zhì)元素，便形成了P型區(qū)和N型...

文中設(shè)計(jì)的電路利用RC充放電電路來(lái)實(shí)現(xiàn)這一功能。圖2是一種利用普通的脈寬調(diào)制PWM芯片結(jié)合外圍電路來(lái)搭建可控硅調(diào)光的LED驅(qū)動(dòng)電路框圖。維持電流補(bǔ)償電路通過檢測(cè)R1端電壓(即輸入電流)來(lái)控制流過維持電流補(bǔ)償電路的電流。當(dāng)輸入電流較小時(shí)，維持電流補(bǔ)償電路上流過較...

在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件（俗稱“死硅”）更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過此頻率，因元件開關(guān)損耗***增加，允許通過的平均電流相降低，此時(shí)，標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用?？煽毓?..

光耦的特點(diǎn)光耦基本電路1. 參數(shù)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單2. 輸出端需要隔離驅(qū)動(dòng)電源3. 驅(qū)動(dòng)功率有限磁耦合-變壓器隔離受高頻調(diào)制的單向脈沖變壓器隔離電路磁耦合：用于傳送較低頻信號(hào)時(shí)—調(diào)制/解調(diào)磁耦合的特點(diǎn):1.既可傳遞信號(hào)又可傳遞功率2.頻率越高,體積越小-適合高頻應(yīng)用比較...

電子電路應(yīng)用二極管幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導(dǎo)體二極管。半導(dǎo)體二極管在電路中的使用能夠起到保護(hù)電路，延長(zhǎng)電路壽命等作用。半導(dǎo)體二極管的發(fā)展，使得集成電路更加優(yōu)化，在各個(gè)領(lǐng)域都起到了積極的作用。二極管在集成電路中的作用很多，維持著集成電路正常工作。下面簡(jiǎn)...

檢測(cè)光敏二極管，可用萬(wàn)用表Rx1k電阻檔。當(dāng)沒有光照射在光敏二極管時(shí)，它和普通的二極管一樣，具有單向?qū)щ娮饔?。正向電阻?-9kΩ，反向電阻大于5MΩ。如果不知道光敏二極管的正負(fù)極，可用測(cè)量普通二極管正、負(fù)極的辦法來(lái)確定，當(dāng)測(cè)正向電阻時(shí)，黑表筆接的就是光敏二極...

Windows怎樣知道安裝的是什么設(shè)備，以及要拷貝哪些文件。答案在于.inf文件。.inf是從Windows 95時(shí)***始引入的一種描述設(shè)備安裝信息的文件，它用特定語(yǔ)法的文字來(lái)說(shuō)明要安裝的設(shè)備類型、生產(chǎn)廠商、型號(hào)、要拷貝的文件、拷貝到的目標(biāo)路徑，以及要添加到...

N型半導(dǎo)體形成的原理和P型原理相似。在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價(jià)鍵，產(chǎn)生了自由電子。在N型半導(dǎo)體中，電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子。 [6]PN結(jié)因此，在本征半導(dǎo)體的兩個(gè)不同區(qū)域摻入三價(jià)和五價(jià)雜質(zhì)元素，便形成了P型區(qū)和N型...

IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對(duì)N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時(shí)，也具有低的通...

2)能向IGBT提供足夠的反向柵壓。在IGBT關(guān)斷期間，由于電路中其他部分的工作，會(huì)在柵極電路中產(chǎn)生一些高頻振蕩信號(hào)，這些信號(hào)輕則會(huì)使本該截止的IGBT處于微通狀態(tài)，增加管子的功耗。重則將使調(diào)壓電路處于短路直通狀態(tài)。因此，比較好給處于截止?fàn)顟B(tài)的IGBT加一反向...

反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢(shì)壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時(shí)，破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)，使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢(shì)壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊...

但是，在實(shí)際并聯(lián)運(yùn)用時(shí)"，由于各二極管特性不完全一致，不能均分所通過的電流，會(huì)使有的管子因?yàn)樨?fù)擔(dān)過重而燒毀。因此需在每只二極管上串聯(lián)一只阻值相同的小電阻器，使各并聯(lián)二極管流過的電流接近一致。這種均流電阻R一般選用零點(diǎn)幾歐至幾十歐的電阻器。電流越大，R應(yīng)選得越小...

五）按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。（六）過零觸發(fā)-一般是調(diào)功，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過零點(diǎn)觸發(fā)，必須是過零點(diǎn)才觸發(fā)，導(dǎo)通可控硅。（七）非過零觸發(fā)-無(wú)論交流電電壓在什么相位的時(shí)候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅，常見的是移相觸發(fā)...

4、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽(yáng)極---陰極間加有一定電壓時(shí)，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的**小控制極電流和電壓。5、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導(dǎo)通所必需的**小陽(yáng)極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻...

根據(jù)圖2中，RC充放電電路的輸出經(jīng)過增益電路后可得電流參考為：式中k為增益，VC為RC充放電電路的輸入電壓，τ為RC的時(shí)間系數(shù)，θ為可控硅的導(dǎo)通角。則在**小導(dǎo)通角對(duì)應(yīng)的輸出為零，即電路輸出的**大值對(duì)應(yīng)電流參考的**大值：從式(1)和式(2)可得輸出電流表達(dá)...

通態(tài)(峰值)電壓 VT M 的選擇： 它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時(shí)的瞬態(tài)峰值壓降。為減少可控硅的熱損耗，應(yīng)盡可能選擇VT M 小的可控硅。 [1]·維持電流： IH 是維持可控硅保持通態(tài)所必需的**小主電流，它與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高， 則 IH 越小。 [1...

當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無(wú)關(guān)的反向飽和電流。 [5]當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí)，PN結(jié)空間電...

當(dāng)晶閘管在正向陽(yáng)極電壓下，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)，從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié)，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強(qiáng)烈的正...

可控硅這種通過觸發(fā)信號(hào)（小的觸發(fā)電流）來(lái)控制導(dǎo)通（可控硅中通過大電流）的可控特性，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。普通可控硅的三個(gè)電極可以用萬(wàn)用表歐姆擋R×100擋位來(lái)測(cè)。大家知道，晶閘管G、K之間是一個(gè)PN結(jié)（a），相當(dāng)于一個(gè)二極管，G為正極、K為負(fù)...

在需要使用比較多的led產(chǎn)品時(shí)，如果將所有的LED串聯(lián)，將需要LED驅(qū)動(dòng)器輸出較高的電壓：如果將所有的LED并聯(lián)，則需要LED驅(qū)動(dòng)器輸出較大的電流。將所有的LED串聯(lián)或并聯(lián)，不但限制著LED的嚴(yán)使用量，而且并聯(lián)LED負(fù)載電流較大，驅(qū)動(dòng)器的成本也會(huì)增加，解決辦法...

通態(tài)(峰值)電壓 VT M 的選擇： 它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時(shí)的瞬態(tài)峰值壓降。為減少可控硅的熱損耗，應(yīng)盡可能選擇VT M 小的可控硅。 [1]·維持電流： IH 是維持可控硅保持通態(tài)所必需的**小主電流，它與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高， 則 IH 越小。 [1...

Windows 9x專門提供有“添加新硬件向?qū)А保ㄒ韵潞?jiǎn)稱硬件向?qū)В﹣?lái)幫助使用者安裝硬件驅(qū)動(dòng)程序，使用者的工作就是在必要時(shí)告訴硬件向?qū)г谀膬嚎梢哉业脚c硬件型號(hào)相匹配的.inf文件，剩下的絕大部分安裝工作都將由硬件安裝向?qū)ё约和瓿?。給硬件設(shè)備安裝驅(qū)動(dòng)程序?qū)in...

DP型18脈沖自耦變壓整流器圖2 DP 型 18 脈沖自耦變壓整流器電路圖DP型18脈沖自耦變壓整流器的電路原理如右圖2所示，自耦變壓器用于產(chǎn)生滿足整流器要求的三組三相電壓。在三組三相電壓中，其中主三相電壓（Va，Vb，Vc）與電網(wǎng)輸入電壓幅值相位相同，直接供...

2)能向IGBT提供足夠的反向柵壓。在IGBT關(guān)斷期間，由于電路中其他部分的工作，會(huì)在柵極電路中產(chǎn)生一些高頻振蕩信號(hào)，這些信號(hào)輕則會(huì)使本該截止的IGBT處于微通狀態(tài)，增加管子的功耗。重則將使調(diào)壓電路處于短路直通狀態(tài)。因此，比較好給處于截止?fàn)顟B(tài)的IGBT加一反向...