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按電流方向方向是單向或雙向，又分為單拍電路和雙拍電路。其中所有半波整流電路都是單拍電路，所有全波整流電路都是雙拍電路。按控制方式可分為相控式電路和斬波式電路（斬波器）；1）通過控制觸發脈沖的相位來控制直流輸出電壓大小的方式稱為相位控制方式，簡稱相控方式。2）斬...

按電路結構可分為零式電路和橋式電路1）零式電路指帶零點或中性點的電路，又稱半波電路。它的特點所有整流元件的陰極(或陽極)都接到一個公共接點﹐向直流負載供電﹐負載的另一根線接到交流電源的零點。2）橋式電路實際上是由兩個半波電路串聯而成，故又稱全波電路。3、按電網...

多相整流電路隨著整流電路的功率進一步增大(如軋鋼電動機，功率達數兆瓦)，為了減輕對電網的干擾，特別是減輕整流電路高次諧波對電網的影響，可采用十二相、十八相、二十四相，乃至三十六相的多相整流電多相整流電路路。圖3a為兩組三相橋串聯組成的十二相整流電路。為了獲得十...

在漏、源之間的P 型區（包括P+ 和P 一區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（ Subchannel region ）。而在漏區另一側的P+ 區稱為漏注入區（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能區，與漏區和亞溝道區一起形成PNP 雙...

在應用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。電壓測方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用...

作用全波整流輸出電壓的直流成分（較半波）增大，脈動程度減小，但變壓器需要中心抽頭、制造麻煩，整流二極管需承受的反向電壓高，故一般適用于要求輸出電壓不太高的場合。原理橋式整流電路的工作原理如下：e2為正半周時，對D1、D3加正向電壓，Dl、D3導通；對D2、D4...

當晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經NPN管的發射結，從而提高起點流放大系數a2,產生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發射結，并提高了PNP管的電流放大系數a1,產生更大的極電極電流Ic1流經NPN管的發射結。這樣強烈的正...

（2）限幅電路在電子電路中，常用限幅電路對各種信號進行處理。它是用來讓信號在預置的電平范圍內，有選擇地傳輸一部分信號。大多數二極管都可作為限幅使用，但有些時候需要用到**限幅二極管，如保護儀表時。 [6]（3）穩壓電路在穩壓電路中通常需要使用齊納二極管，它是一...

主要廠家品牌：ST，NXP/PHILIPS，NEC，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA，JX ，SANREX，SANKEN ，SEMIKRON ，EUPEC，IR，JBL等。IT(A...

應用類型雙向可控硅的特性曲線圖4示出了雙向可控硅的特性曲線。由圖可見，雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個象限內的曲線組合成的。***象限的曲線說明當加到主電極上的電壓使Tc對T1的極性為正時，我們稱為正向電壓，并用符號U21表示。當這個電壓逐漸增加到等于轉折電...

IGBT 的開關特性主要取決于IGBT的門極電荷及內部和外部的電阻。圖1是IGBT 門極電容分布示意圖，其中CGE 是柵極-發射極電容、CCE 是集電極-發射極電容、CGC 是柵極-集電極電容或稱米勒電容（Miller Capacitor）。門極輸入電容Cie...

可控硅有多種分類方法。（一）按關斷、導通及控制方式分類：可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。TY300/TY301可控硅調壓單元（二）按引腳和極性分類：可...

變壓器次級電壓e2，是一個方向和大小都隨時間變化的正弦波電壓，它的波形如圖5-2所示。在0~π時間內，e2為正半周即變壓器上端為正下端為負，此時二極管承受正向電壓面導通，e2通過它加在負載電阻Rfz上。在π~2π 時間內，e2為負半周，變壓器次級下端為正上端為...

可控硅有多種分類方法。（一）按關斷、導通及控制方式分類：可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。TY300/TY301可控硅調壓單元（二）按引腳和極性分類：可...

變壓器次級電壓e2，是一個方向和大小都隨時間變化的正弦波電壓，它的波形如圖5-2（a）所示。在0～K時間內，e2為正半周即變壓器上端為正下端為負。此時二極管承受正向電壓面導通，e2通過它加在負載電阻Rfz上，在π～2π 時間內，e2為負半周，變壓器次級下端為正...

控 制：Controlled(取***個字母)整流器：Rectifier(取***個字母)再由這三組英文名詞的較早字母組合而成:“BCR”中文譯意:雙向可控硅。以“BCR”來命名雙向可控硅的典型廠家如日本三菱，如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08A...

按電流方向方向是單向或雙向，又分為單拍電路和雙拍電路。其中所有半波整流電路都是單拍電路，所有全波整流電路都是雙拍電路。按控制方式可分為相控式電路和斬波式電路（斬波器）；1）通過控制觸發脈沖的相位來控制直流輸出電壓大小的方式稱為相位控制方式，簡稱相控方式。2）斬...

-- 適用于Cies 的測試條件為 VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT當為各個應用選擇IGBT驅動器時，必須考慮下列細節：· 驅動器必須能夠提供所需的門極平均電流IoutAV 及門極驅動功率PG。驅動器的比較大平均輸出電...

可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN 結的四層結構的大功率半導體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流，還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。可控硅和其它...

門極驅動功率 PG = E · fSW = QG · [ VG(on) - VG(off) ] · fSW驅動器總功率 P = PG + PS（驅動器的功耗）平均輸出電流 IoutAV = PG / ΔUGE = QG · fSW比較高開關頻率 fSW max...

高亮度單色發光二極管高亮度單色發光二極管和超高亮度單色發光二極管使用的半導體材料與普通單色發光二極管不同，所以發光的強度也不同。通常，高亮度單色發光二極管使用砷鋁化鎵（GaAlAs）等材料，超高亮度單色發光二極管使用磷銦砷化鎵（GaAsInP）等材料，而普通單...

應用類型雙向可控硅的特性曲線圖4示出了雙向可控硅的特性曲線。由圖可見，雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個象限內的曲線組合成的。***象限的曲線說明當加到主電極上的電壓使Tc對T1的極性為正時，我們稱為正向電壓，并用符號U21表示。當這個電壓逐漸增加到等于轉折電...

右圖給出三相橋式不控整流電路示意圖，變壓器一次側繞組為三角形連接，二次側繞組為星形連接。六個整流二極管按其導通順序排列，VD1、VD3、VD5三個二極管構成共陰極三相半波整流，VD2、VD4、VD6三個二極管構成共陽極三相半波整流，電感L和電阻R串聯成阻感負載...

反向電流反向電流是指二極管在常溫（25℃）和比較高反向電壓作用***過二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向導電性能越好。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關系，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管，在25℃時反向電流若為25...

LED燈就是發光二極管，是采用固體半導體芯片為發光材料，與傳統燈具相比，LED燈節能、環保、顯色性與響應速度好。 [3]（一）節能是LED燈**突出的特點在能耗方面，LED燈的能耗是白熾燈的十分之一，是節能燈的四分之一。這是LED燈的一個比較大的特點。現在的人...

IGBT驅動：IGBT常被用于中大功率數字電源開發，其驅動電壓范圍為-15~15V。IGBT驅動電路分為正壓驅動和負壓驅動，負壓關斷可以避免誤導通風險，加快關斷速度，減小關斷損耗。IGBT的驅動電路一般采用**的驅動芯片，如東芝的TLP系列、富士公司的EXB系...

比如安裝打印機這類的硬件外設，并不是把連接線接上就算完成，如果你這時候開始使用，系統會告訴你，找不到驅動程序，參照說明書也未必就能順利安裝。其實在安裝方面還是有一定的慣例與通則可尋的，這些都可以幫你做到無障礙安裝。在Windows系統中，需要安裝主板、光驅、顯...

工作過程全波整流電路的工作過程是：在u2的正半周（ωt=0~π）D1正偏導通，D2反偏截止，RL上有自上而下的電流流過，RL上的電壓與u21相同。在u2的負半周（ωt=π~2π），D1反偏截止，D2正偏導通，RL上也有自上而下的電流流過，RL上的電壓與u22相...

N型半導體形成的原理和P型原理相似。在本征半導體中摻入五價原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價鍵，產生了自由電子。在N型半導體中，電子為多數載流子，空穴為少數載流子。 [6]PN結因此，在本征半導體的兩個不同區域摻入三價和五價雜質元素，便形成了P型區和N型...

控 制：Controlled(取***個字母)整流器：Rectifier(取***個字母)再由這三組英文名詞的較早字母組合而成:“BCR”中文譯意:雙向可控硅。以“BCR”來命名雙向可控硅的典型廠家如日本三菱，如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08A...