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場效應管（FieldEffectTransistor，簡稱FET）是一種利用場效應原理工作的半導體器件。它具有輸入阻抗高、噪聲低、動態范圍大、功率小、易于集成等特點。在電路中，場效應管通常用字母“Q”表示。場效應管一般具有3個極，即柵極（G）、源極（S）和漏極（D）。它的工作原理是當柵極接的負偏壓增大時，溝道減少，漏極電流減小；當柵極接的負偏壓減小時，耗盡層減小，溝道增大，漏極電流增大。漏極電流受柵極電壓的控制，因此場效應管是電壓控制器件，即通過輸入電壓的變化來控制輸出電流的大小，從而達到放大等目的。場效應管在電路中被廣泛應用于放大、調制、阻抗變換、恒流源、可變電阻等場合。此外，它還有許多其他...

場效應管判斷跨導的大小:測反向電阻值的變化判斷跨導的大小.對VMOSV溝道增強型場效應管測量跨導性能時，可用紅表筆接源極S、黑表筆接漏極D，這就相當于在源、漏極之間加了一個反向電壓。此時柵極是開路的，管的反向電阻值是很不穩定的。將萬用表的歐姆檔選在R×10kΩ的高阻檔，此時表內電壓較高。當用手接觸柵極G時，會發現管的反向電阻值有明顯地變化，其變化越大，說明管的跨導值越高；如果被測管的跨導很小，用此法測時，反向阻值變化不大。 場效應管的制造工藝簡單，有利于大規模集成。蘇州絕緣柵型場效應管參數 深圳市盟科電子科技有限公司座落于深圳市寶安區，成立于2010年，占地面積10000余平方米，是一家...

MOS場效應管即金屬-氧化物-半導體型場效應管，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（較高可達1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。根據導電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指：當VGS=0時管子是呈截止狀態，加上正確的VGS后，多數載流子被吸引到柵極，從而“增強”了該區域的載流子，形成導電溝道。耗盡型則是指，當VGS=0時即形成溝道，加上正確的VG...

場效應管電阻法測好壞:測電阻法是用萬用表測量場效應管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場效應管手冊標明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于R×10或R×100檔，測量源極S與漏極D之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊中可知，各種不同型號的管，其電阻值是各不相同的），如果測得阻值大于正常值，可能是由于內部接觸不良；如果測得阻值是無窮大，可能是內部斷極。然后把萬用表置于R×10k檔，再測柵極G1與G2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當測得其各項電阻值均為無窮大，則說明管是正常的；若測得上述各阻值太小或為通路，則說明管是...

MOS場效應管即金屬-氧化物-半導體型場效應管，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（較高可達1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。根據導電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指：當VGS=0時管子是呈截止狀態，加上正確的VGS后，多數載流子被吸引到柵極，從而“增強”了該區域的載流子，形成導電溝道。耗盡型則是指，當VGS=0時即形成溝道，加上正確的VG...

用測電阻法判別場效應管的好壞：測電阻法是用萬用表測量場效應管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極Ｇ1與柵極Ｇ2之間的電阻值同場效應管手冊標明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100檔，測量源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊中可知，各種不同型號的管，其電阻值是各不相同的），如果測得阻值大于正常值，可能是由于內部接觸不良；如果測得阻值是無窮大，可能是內部斷極。然后把萬用表置于Ｒ×１０ｋ檔，再測柵極Ｇ1與Ｇ2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當測得其各項電阻值均為無窮大，則說明管是正常的；若測得上述各阻值太小或為通路，則...

如果我們在上面這個圖中,將電阻Rc換成一個燈泡,那么當基極電流為0時,集電極電流為0,燈泡滅.如果基極電流比較大時(大于流過燈泡的電流除以三極管 的放大倍數 β),三極管就飽和,相當于開關閉合,燈泡就亮了.由于電流只需要比燈泡電流的β分之一大一點就行了,所以就可以用一個小電流來一個大電流的通 斷.如果基極電流從0慢慢增加,那么燈泡的亮度也會隨著增加(在三極管未飽和之極管開關電路由開關三極管VT，電動機M，開關S，基極限流電阻器R和電源GB組成。VT采用NPN型小功率硅管8050，其集電極最大允許電流ICM可達1.5A，以滿足電動機起動電流的要求。M選用工作電壓為3V的小型直流電動機，對應電源G...

場效應管的應用常用的場效應晶體管是金屬氧化物半導體場效應晶體管 。CMOS (互補金屬氧化物半導體)工藝技術是現代數字化集成電路的基礎。這種工藝技術采用一種增強模式設計，即p溝道MOSFET和n溝道MOSFET串聯連接，使得當一個導通時，另一個閉合。在場效應晶體管中，當以線性模式工作時，電子可以沿任意方向流過溝道。漏極和源極的命名慣例有些隨意，因為器件通常(但不總是)從源極到漏極對稱構建。這使得場效應晶體管適合在路徑之間切換模擬信號(多路復用)。利用這個概念可用于構建固態混合板。 場效應管可以用于電子開關和調節器件。寧波固電場效應管 場效應管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點，因此經常作為多級...

場效應管注意事項:結型場效應管的柵源電壓不能接反，可以在開路狀態下保存，而絕緣柵型場效應管在不使用時，由于它的輸入電阻非常高，須將各電極短路，以免外電場作用而使管子損壞。焊接時，電烙鐵外殼必須裝有外接地線，以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子。對于少量焊接，也可以將電烙鐵燒熱后拔下插頭或切斷電源后焊接。特別在焊接絕緣柵場效應管時，要按源極－漏極－柵極的先后順序焊接，并且要斷電焊接。對于功率型場效應管，要有良好的散熱條件。因為功率型場效應管在高負荷條件下運用，必須設計足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過額定值，使器件長期穩定可靠地工作。 場效應管的制造工藝簡單，有利于大規模集成。P溝增強型場效應管供應...

場效應管是電壓控制元件。而三極管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管。而在信號源電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應用三極管。場效應管靠多子導電，管中運動的只是一種極性的載流子；三極管既用多子，又利用少子。由于多子濃度不易受外因的影響，因此在環境變化較強烈的場合，采用場效應管比較合適。場效應管的輸入電阻高，適用于高輸入電阻的場合。場效應管的噪聲系數小，適用于低噪聲放大器的前置級。 場效應管有三種類型：增強型、耗盡型和開關型。佛山P溝增強型場效應管型號 膩流暢的磁性聲，彈性十足震撼人心的低頻轟炸聲，別有一番霸道氣勢。在一般的設計中場效應管特長沒有得到...

場效應管與雙極性晶體管的比較場效應管是電壓控制器件，柵極基本不取電流，而晶體管是電流控制器件，基極必須取一定的電流。因此，在信號源額定電流極小的情況，應選用場效應管。場效應管是多子導電，而晶體管的兩種載流子均參與導電。由于少子的濃度對溫度、輻射等外界條件很敏感，因此，對于環境變化較大的場合，采用場效應管比較合適。場效應管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開關外，還可作壓控可變線性電阻使用。場效應管的源極和漏極在結構上是對稱的，可以互換使用，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負。因此，使用場效應管比晶體管靈活。 場效應管有三種類型：增強型、耗盡型和開關型。臺州固電場效應管參數 結型場效應...

場效應管估測放大能力:將萬用表撥到R×100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，相當于給場效應管加上1.5V的電源電壓。這時表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G，將人體的感應電壓作為輸入信號加到柵極上。由于管子的放大作用，UDS和ID都將發生變化，也相當于D-S極間電阻發生變化，可觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極時表針擺動很小，說明管子的放大能力較弱；若表針不動，說明管子已經損壞。由于人體感應的50Hz交流電壓較高，而不同的場效應管用電阻檔測量時的工作點可能不同，因此用手捏柵極時表針可能向右擺動，也可能向左擺動。少數的管子RDS減小，使表針向右擺動，多數管子的RDS增...

現行有兩種命名方法。第一種命名方法與雙極型三極管相同，第三位字母J代結型場效應管，O代絕緣柵場效應管。第二位字母代材料，D是P型硅，反型層是N溝道；C是N型硅P溝道。例如,3DJ6D是結型N溝道場效應三極管，3DO6C是絕緣柵型N溝道場效應三極管。第二種命名方法是CS××#，CS代場效應管，××以數字代型號的序號，#用字母代同一型號中的不同規格。例如CS14A、CS45G等。場效應管的作用：場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。場效應管可以用作可變電...

場效應管使用時應注意:（1）器件出廠時通常裝在黑色的導電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個塑料袋裝。也可用細銅線把各個引腳連接在一起，或用錫紙包裝。（2）取出的器件不能在塑料板上滑動，應用金屬盤來盛放待用器件。（3）焊接用的電烙鐵必須良好接地。（4）在焊接前應把電路板的電源線與地線短接，再MOS器件焊接完成后在分開。（5）器件各引腳的焊接順序是漏極、源極、柵極。拆機時順序相反。（6）電路板在裝機之前，要用接地的線夾子去碰一下機器的各接線端子，再把電路板接上去。（7）場效應晶體管的柵極在允許條件下，比較好接入保護二極管。在檢修電路時應注意查證原有的保護二極管是否損壞。 V型槽場效應管使電流可以在...

柵極電壓（UGs）對漏極電流（ID）的控制作用稱為轉移特性，反映這兩者之間關系的曲線稱為轉移特性曲線。下圖1-60所示為N溝道結型場效應管的轉移特性曲線。當柵極電壓UGs取不同的電壓值時，漏極電流ID將隨之改變。當ID=0時,UGS的值為場效應管的夾斷電壓Uq；當UGs=0時，ID的值為場效應管的飽和漏極電流Idss。在Ugs一定時，反映ID與Uds之間的關系曲線為輸出特性曲線，也稱為漏極特性曲線。上圖1-61所示為N溝道結型場效應管的輸出特性曲線。由圖可見，它分為三個區：飽和區、擊穿區和非飽和區。起放大作用時，應工作在飽和區（這一點與前面講的普通三極管不同）。注意，此處的“飽和區”對應普...

VMOS場效應管:VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之后新發展起來的高效、功率開關器件。它不光繼承了MOS場效應管輸入阻抗高（≥108W）、驅動電流小（左右0.1μA左右），還具有耐壓高（較高可耐壓1200V）、工作電流大（1.5A～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導的線性好、開關速度快等優良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優點集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數可達數千倍）、功率放大器、開關電源和逆變器中正獲得普遍應用。 場效應管可以用于放大音頻和射頻信號。紹興全自動場效應管生產商 三極管...

場效應管的檢測方法：（1）判定柵極G將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個管腳之間的電阻。若發現某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大，并且交換表筆后仍為無窮大，則證明此腳為G極，因為它和另外兩個管腳是絕緣的。（2）判定源極S、漏極D在源-漏之間有一個PN結，因此根據PN結正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。（3）測量漏-源通態電阻RDS（on）將G-S極短路，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應為幾歐至十幾歐。由于測試條件不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出...

場效應管估測放大能力:將萬用表撥到R×100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，相當于給場效應管加上1.5V的電源電壓。這時表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G，將人體的感應電壓作為輸入信號加到柵極上。由于管子的放大作用，UDS和ID都將發生變化，也相當于D-S極間電阻發生變化，可觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極時表針擺動很小，說明管子的放大能力較弱；若表針不動，說明管子已經損壞。由于人體感應的50Hz交流電壓較高，而不同的場效應管用電阻檔測量時的工作點可能不同，因此用手捏柵極時表針可能向右擺動，也可能向左擺動。少數的管子RDS減小，使表針向右擺動，多數管子的RDS增...

場效應管的測試判定:柵極用萬用表黑表筆碰觸管子的一個電極，紅表筆分別碰觸另外兩個電極。若兩次測出的阻值都很小，說明均是正向電阻，該管屬于N溝道場效應管，黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場效應管的源極和漏極是對稱的，可以互換使用，并不影響電路的正常工作，所以不必加以區分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。 注意不能用此法判定絕緣柵型場效應管的柵極。因為這種管子的輸入電阻極高，柵源間的極間電容又很小，測量時只要有少量的電荷，就可在極間電容上形成很高的電壓，容易將管子損壞。 在開關控制電路中，場效應管的柵極電壓變化可以控制漏極和源極之間的電流開關狀態。上海非絕緣型場效應管批發價 場效應管注意事...

場效應管工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經溝道的ID， 用柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓進行控制”。更正確地說，ID流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區域，表示的過渡層的擴展因為不很大，根據漏極-源極間所加VDS的電場，源極區域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，ID飽和。將這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。 場效應管可以用于電子開關和調節器件。寧波金屬氧化半導體場效應管命名 場效應管是只要一種載流子...

場效應管使用時應注意:（1）器件出廠時通常裝在黑色的導電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個塑料袋裝。也可用細銅線把各個引腳連接在一起，或用錫紙包裝。（2）取出的器件不能在塑料板上滑動，應用金屬盤來盛放待用器件。（3）焊接用的電烙鐵必須良好接地。（4）在焊接前應把電路板的電源線與地線短接，再MOS器件焊接完成后在分開。（5）器件各引腳的焊接順序是漏極、源極、柵極。拆機時順序相反。（6）電路板在裝機之前，要用接地的線夾子去碰一下機器的各接線端子，再把電路板接上去。（7）場效應晶體管的柵極在允許條件下，比較好接入保護二極管。在檢修電路時應注意查證原有的保護二極管是否損壞。 場效應管可應用于放大。蘇州...

場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。主要有兩種類型：結型場效應管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。 場效應管的工作溫度范圍較寬。蘇州場效應管供應 場效應管使用時應注意:（1）器件出廠時通常...

場效應管估測放大能力:將萬用表撥到R×100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，相當于給場效應管加上1.5V的電源電壓。這時表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G，將人體的感應電壓作為輸入信號加到柵極上。由于管子的放大作用，UDS和ID都將發生變化，也相當于D-S極間電阻發生變化，可觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極時表針擺動很小，說明管子的放大能力較弱；若表針不動，說明管子已經損壞。由于人體感應的50Hz交流電壓較高，而不同的場效應管用電阻檔測量時的工作點可能不同，因此用手捏柵極時表針可能向右擺動，也可能向左擺動。少數的管子RDS減小，使表針向右擺動，多數管子的RDS增...

場效應管無標示管的判別:首先用測量電阻的方法找出兩個有電阻值的管腳，也就是源極S和漏極D，余下兩個腳為點柵極G1和柵極G2。把先用兩表筆測的源極S與漏極D之間的電阻值記下來，對調表筆再測量一次，把其測得電阻值記下來，兩次測得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極為漏極D；紅表筆所接的為源極S。用這種方法判別出來的S、D極，還可以用估測其管的放大能力的方法進行驗證，即放大能力大的黑表筆所接的是D極；紅表筆所接地是S極，兩種方法檢測結果均應一樣。當確定了漏極D、源極S的位置后，按D、S的對應位置裝人電路，一般G1、G2也會依次對準位置，這就確定了兩個柵極G1、G2的位置，從而就確定了D、S、G1、G...

場效應管電極：所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三個端，分別大致對應BJT的基極（base）、集電極（collector）和發射極（emitter）。除JFET以外，所有的FET也有第四端，被稱為體（body）、基（base）、塊體（bulk）或襯底（substrate）。這個第四端可以將晶體管調制至運行；在電路設計中，很少讓體端發揮大的作用，但是當物理設計一個集成電路的時候，它的存在就是重要的。在圖中柵極的長度（length）L，是指源和漏的距離。寬度（width）是指晶體管的范圍，在圖中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長度大得多。長度1微米的柵極限...

MOS場效應管也被稱為金屬氧化物半導體場效應管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡型和增強型兩種。增強型MOS場效應管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型也叫P溝道型。對于N溝道的場效應管其源極和漏極接在N型半導體上，同樣對于P溝道的場效應管其源極和漏極則接在P型半導體上。場效應管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制，可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時這也是我們稱之為場效應管的原因。 場效應管（簡稱FET）是一種半導體器件，其原理是利用半導...

場效應管傳統的MOS場效應管的柵極、源極和漏極較大致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同，其兩大結構特點:點，金屬柵極采用V型槽結構；具有垂直導電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動，而是自重摻雜N+區（源極S）出發，經過P溝道流入輕摻雜N-漂移區，垂直向下到達漏極D。因為流通截面積增大，所以能通過大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應管。 由于場效應管的放大器輸入阻抗很高，因此可以使用容量較小的耦合電容器，不必使用電解電容器。深圳st場效應管多少錢 取出的MOS器件不能在塑料板上滑動，應...

場效應管是電壓控制元件。而三極管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管。而在信號源電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應用三極管。場效應管靠多子導電，管中運動的只是一種極性的載流子；三極管既用多子，又利用少子。由于多子濃度不易受外因的影響，因此在環境變化較強烈的場合，采用場效應管比較合適。場效應管的輸入電阻高，適用于高輸入電阻的場合。場效應管的噪聲系數小，適用于低噪聲放大器的前置級。 場效應管可應用于放大。杭州大功率場效應管供應商 根據場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現象，可以判別出結型場效應管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選...

場效應管MOSFET分類MOSFET分為兩大類：N溝道和P溝道。在功率系統中，MOSFET起到的作用相當于一個開關。當在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，其開關導通。導通時，電流可經開關從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內阻，稱為導通電阻RDS（ON）。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端，因此，總 是要在柵極加上一個電壓。如果柵極為懸空，器件將不能按設計意圖工作，并可能在不恰當的時刻導通或關閉，導致系統產生潛在的功率損耗。當源極和柵極間的電 壓為零時，開關關閉，而電流停止通過器件。雖然這時器件已經關閉，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流，即IDSS。 場效應管的制造工...

場效應管使用時應注意:（1）器件出廠時通常裝在黑色的導電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個塑料袋裝。也可用細銅線把各個引腳連接在一起，或用錫紙包裝。（2）取出的器件不能在塑料板上滑動，應用金屬盤來盛放待用器件。（3）焊接用的電烙鐵必須良好接地。（4）在焊接前應把電路板的電源線與地線短接，再MOS器件焊接完成后在分開。（5）器件各引腳的焊接順序是漏極、源極、柵極。拆機時順序相反。（6）電路板在裝機之前，要用接地的線夾子去碰一下機器的各接線端子，再把電路板接上去。（7）場效應晶體管的柵極在允許條件下，比較好接入保護二極管。在檢修電路時應注意查證原有的保護二極管是否損壞。 場效應管的尺寸小，適合集成...