將hno3、四甲基氫氧化銨、h2o2分別投入對應的原料罐,備用;第三步:根據混酸配制表算出各個原料的添加量,按照純水→亞氨基二乙酸→氫氟酸→hno3→四甲基氫氧化銨→乙醇酸的順序依次將原料加入調配罐,將上述混料充分攪拌,攪拌時間為3~5h;第四步:在第...
所述液位計7安裝于所述分離器的外表面。液位計7安裝在方便工作人員查看的位置,有利于提高工作人員工作的效率。在一個實施例中,如圖1所示,所述液位開關9為控制閥,設置于所述濾液出口2處??刂崎y為內螺紋截止閥,通過旋轉操縱盤實現閥門的開關,這種閥結構簡單,維...
本實用新型涉及資源回收再利用領域,特別是涉及含銅蝕刻液氣液分離裝置。背景技術:線路板生產工業中,會對已經使用于蝕刻線路板的含銅蝕刻廢液進行回收利用,在回收過程中,廢液在加熱器中通過蒸汽進行換熱,換熱完的廢液在高溫狀態下進入分離器,會在分離器中發生閃蒸,...
本實用新型涉及資源回收再利用領域,特別是涉及含銅蝕刻液氣液分離裝置。背景技術:線路板生產工業中,會對已經使用于蝕刻線路板的含銅蝕刻廢液進行回收利用,在回收過程中,廢液在加熱器中通過蒸汽進行換熱,換熱完的廢液在高溫狀態下進入分離器,會在分離器中發生閃蒸,...
所述有機硫化合物具有作為還原劑及絡合劑(chelate)的效果。作為所述硫酮系化合物,例如可舉出硫脲、N-烷基硫脲、N,N-二烷基硫脲、N,N'-二烷基硫脲、N,N,N'-三烷基硫脲、N,N,N',N'-四烷基硫脲、N-苯基硫脲、N,N-二苯基硫脲、N...
本實用新型涉及一種鋁蝕刻液生產設備。背景技術:鋁蝕刻液生產設備主要包括混合罐、過濾器和儲存罐,將蝕刻液中的各組份在混合罐混合均勻,由過濾器濾去雜質后投入儲存罐中暫存,然后分裝銷售。以往,鋁蝕刻液的分裝由人工操作,隨著自動化技術的興起,全自動灌裝線在鋁蝕...
etchingamount)的相互關系的圖表。具體實施方式本發明人確認了用于氮化物膜去除工序用蝕刻液組合物的具有防蝕能力的添加劑在滿足特定參數值時能夠使在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性去除氮化物膜且不損傷氧化物膜的效果極大化,從而完成了本發明。本...
本發明涉及銅蝕刻液技術領域,具體涉及一種酸性銅蝕刻液的生產工藝。背景技術:高精細芯片和顯示集成電路主要采用銅制程,其光刻工藝中形成銅膜層結構所需用的銅刻蝕液中主要的為過氧化氫系銅刻蝕液。過氧化氫系銅蝕刻液較其他銅刻蝕液體系(如三氯化鐵體系,過硫酸銨體系...
光刻膠殘留大,殘留分布不均勻,并且產生邊緣聚集殘留。為了能夠進一步地表示配方一和配方二之間的光刻膠殘留量對比,圖2中將多張單張檢測圖進行疊加,可以更加清楚地看出兩者之間的區別,能夠明顯地看出使用配方一的剝離液,高世代面板邊緣光刻膠殘留量大。下面列舉更多...
在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本申請實施例提供的剝離液機臺的種結構示意圖。圖2為本申請實施例提供的剝離液機臺的第二種結構示意圖。圖3為本申請實施例提供的剝離液機臺的第三種結構示意圖。圖4為本申請實施例提供的剝離...
能夠增強親水性,使得剝離液親水性良好,能快速高效地剝離溶解光刻膠。潤濕劑含有羥基,為聚乙二醇、甘油中的任意一種。下面通過具體實施例對本申請作進一步詳細說明。以下實施例對本申請進行進一步說明,不應理解為對本申請的限制。表一:兩種不同組分的剝離液配方一和配...
按照玻璃基板傳送方向從當前腔室101開始逐級由各腔室10向玻璃基板供給剝離液以進行剝離制程。剝離液從當前腔室101進入相應的存儲箱20,在剝離液的水平面超過預設高度后流入過濾器30,再經過過濾器30的過濾將過濾后的剝離液傳送至下一級腔室102內。其中,...
光刻膠殘留大,殘留分布不均勻,并且產生邊緣聚集殘留。為了能夠進一步地表示配方一和配方二之間的光刻膠殘留量對比,圖2中將多張單張檢測圖進行疊加,可以更加清楚地看出兩者之間的區別,能夠明顯地看出使用配方一的剝離液,高世代面板邊緣光刻膠殘留量大。下面列舉更多...
常在印刷電路板,液晶顯示面板,半導體集成電路等工藝制造過程中,需要通過多次圖形掩膜照射曝光及蝕刻等工序在硅晶圓或玻璃基片上形成多層精密的微電路,形成微電路之后,進一步用剝離液將涂覆在微電路保護區域上作為掩膜的光刻膠除去。比如光電TFT-LCD生產工...
本發明涉及剝離液技術領域:,更具體的說是涉及一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液。背景技術::電子行業飛速發展,光刻膠應用也越來越。在半導體元器件制造過程中,經過涂敷-顯影-蝕刻過程,在底層金屬材料上蝕刻出所需線條之后,必須在除去殘余光刻膠的同時不能損傷任...
本發明下述示例性實施例可以多種不同的形式來實施,并且不應當被解釋為只限于這里所闡述的具體實施例。應當理解的是,提供這些實施例是為了使得本發明的公開徹底且完整,并且將這些示例性具體實施例的技術方案充分傳達給本領域技術人員。如圖1所示,本發明提供的光刻膠剝...
本發明涉及半導體制造領域,特別是涉及一種用于包括但不限于半導體生產工藝中光刻膠去除步驟的光刻膠剝離去除方法。背景技術:光刻膠是一大類具有光敏化學作用(或對電子能量敏感)的高分子聚合物材料,是轉移紫外曝光或電子束曝照圖案的媒介。光刻膠的也稱為光致抗蝕劑、...
從而可以在閥門開關60關閉后取下被阻塞的過濾器30進行清理并不會導致之后的下一級腔室102的剝離進程無法繼續。其中,腔室10用于按照處于剝離制程的玻璃基板的傳送方向逐級向玻璃基板分別提供剝離液;與多個腔室10分別對應連接的多個存儲箱20,各級腔室10分...
剝離液是一種通用濕電子化學品,主要用于去除金屬電鍍或者蝕刻加工完成后的光刻膠和殘留物質,同時防止對襯底層造成破壞。剝離液是集成電路、分立器件、顯示面板、太陽能電池等生產濕法工藝制造的關鍵性電子化工材料,下游應用領域,但整體應用需求較低,因此市場規模偏小。剝離液...
IC去除剝離液MSDS1.產品屬性產品形式:混合溶液產品名稱:ANS-908產品功能描述:用于COG重工,使IC與玻璃無損傷分離2.組成成份化學名稱CASNo含量%(v)1-METHYL-2-PYRROLIDINONE872-50-445~90N,N-...
按照組成成分和應用工藝不同,濕電子化學品可分為通用性和功能性濕電子化學品。通用濕電子化學品以超凈高純試劑為主,一般為單組份、單功能、被大量使用的液體化學品,按照性質劃分可分為:酸類、堿類、有機溶劑類和其他類。酸類包括氫氟酸、硝酸、鹽酸、硫酸、磷酸等...
光刻膠又稱光致抗蝕劑,主要由感光樹脂、增感劑和溶劑三種成分組成。感光樹脂經光照后,在曝光區能很快地發生光固化反應,使得這種材料的物理性能,特別是溶解性、親合性等發生明顯變化。經曝光、顯影、刻蝕、擴散、離子注入、金屬沉積等工藝將所需的微細圖形從掩模版...
避免接觸皮膚、眼睛和衣服;存儲:密閉存放在陰涼干燥的地方8.防燥和人員保護極限N-Methyl-2-pyrrolidone80mg/m3(19ml/m3)DFGMAK(peaklimitationcategory-II,2)(Vapour)(skin)...
隨著電子元器件制作要求的提高,相關行業應用對濕電子化學品純度的要求也不斷提高。為了適應電子信息產業微處理工藝技術水平不斷提高的趨勢,并規范世界超凈高純試劑的標準,國際半導體設備與材料組織(SEMI)將濕電子化學品按金屬雜質、控制粒徑、顆粒個數和應用...
如遇水,圖案則隨著背膠的脫落而脫落。這種印刷方法是通過滾筒式膠質印模把沾在膠面上的油墨轉印到紙面上。由于膠面是平的,沒有凹下的花紋,所以印出的紙面上的圖案和花紋也是平的,沒有立體感,防偽性較差。膠版印刷所需的油墨較少,模具的制造成本也比凹版低。目前我國汽車尾...
參考圖7),這種殘余物在覆蓋一系列柵極堆棧薄膜之后會被增強呈現,傳遞到柵極成型工序時會對柵極圖形產生嚴重的影響,即在柵極曝光圖形成型之后形成埋層缺陷,在柵極刻蝕圖形成型之后造成柵極斷開或橋接,直接降低了產品良率。另外,在氧氣灰化階段,由于等離子氧可以穿...
剝離液是一種通用濕電子化學品,主要用于去除金屬電鍍或者蝕刻加工完成后的光刻膠和殘留物質,同時防止對襯底層造成破壞。剝離液是集成電路、分立器件、顯示面板、太陽能電池等生產濕法工藝制造的關鍵性電子化工材料,下游應用領域,但整體應用需求較低,因此市場規模偏小。剝離液...
但現有的回收裝置普遍存在如下問題:剝離廢液利用水洗裝置水洗過濾出光刻膠樹脂成分,回收率低。為了解決這一問題,現有技術通常再向剝離廢液中加入沉淀劑繼續反應,而后沉淀過濾出光刻膠樹脂成分,但所得到的光刻膠樹脂成分品質不宜再用于光刻膠原料,只能用于其他要求較...
圖3是一現有技術光刻膠剝離去除示意圖二,其離子注入步驟。圖4是一現有技術光刻膠剝離去除示意圖三,其顯示離子注入后光刻膠形成了主要光刻膠層和第二光刻膠層。圖5是一現有技術光刻膠剝離去除示意圖四,其顯示光刻膠膨脹。圖6是一現有技術光刻膠剝離去除示意圖五,其...
剝離液是一種通用濕電子化學品,主要用于去除金屬電鍍或者蝕刻加工完成后的光刻膠和殘留物質,同時防止對襯底層造成破壞。剝離液是集成電路、分立器件、顯示面板、太陽能電池等生產濕法工藝制造的關鍵性電子化工材料,下游應用領域,但整體應用需求較低,因此市場規模偏小。剝離液...