特色圖8 藍光激光二極管當激光二極管注入電流在臨界電流密度以下時，發光機制主要是自發放射，光譜分散較廣，頻寬大約在100到500埃（埃=10-1奈米，原子直徑的數量級就是幾個埃〉之間。但當電流密度超過臨界值時，就開始產生振蕩，***只剩下少數幾個模態，而頻寬也減小到30埃以下。而且，激光二極管的消耗功率極小，以雙異質結構激光為例，比較大的額定電壓通常低于2伏特，輸入電流則在15到100毫安之間，消耗功率往往不到一瓦特，而輸出功率達數十毫瓦特以上。激光二極管的特色之一，是能直接從電流調制其輸出光的強弱。因為輸出光功率與輸入電流之間多為線性關系，所以激光二極管可以采用模擬或數字電流直接調制輸出光的強弱，省掉昂貴的調制器，使二極管的應用更加經濟實惠。卵胞漿內單精子注射技術（ICSI）中，激光破膜儀能夠精確處理卵子膜，便于精子注入，提升受精率。美國DTS激光破膜熱效應環

簡介播報編輯體細胞核移植（Somatic Cell nuclear transfer）:又稱體細胞克隆，作為動物細胞工程技術的常用技術手段，即把體細胞核移入去核卵母細胞中，使其發生再程序化并發育為新的胚胎，這個胚胎**終發育為動物個體。用核移植方法獲得的動物稱為克隆動物。由于體細胞高度分化，恢復全能性困難，體細胞核移植的原理即是細胞核的全能性。操作過程播報編輯細胞核的采集和卵母細胞的準備從供體身體的某一部位上取體細胞，并通過體細胞培養技術對該體細胞進行增殖。采集卵母細胞，體外培養到減數第二次分裂中期，通過顯微操作去除卵母細胞中的核，由于減二中期細胞核的位置靠近***極體，用微型吸管可以一并吸出細胞核和***極體。細胞促融將供體細胞注入去核卵母細胞通過電刺激使兩細胞融合，供體細胞進入受體卵母細胞內構建重組胚胎，通過物理或化學方法（如電脈沖、鈣離子載體、乙醇、蛋白酶合成抑制劑等）***受體細胞，使其完成細胞分裂和發育進程。植入**母體體外完成早期胚胎培養后，將胚胎移植入**母體內，使其繼續發育為新個體。北京Hamilton Thorne激光破膜熱效應環核移植過程中，實現對供體細胞與受體細胞的精細操作。

進行試管胚胎移植前是否需要進行基因檢測，這取決于夫婦和醫生的決定。基因檢測可以用來檢測胚胎是否攜帶某些遺傳疾病、染色體異常或其他突變。這種檢測被稱為遺傳學篩查或胚胎染色體篩查，旨在減少可能的遺傳風險和出生缺陷的機會，幫助夫婦做出更加明智的決策。基因檢測可以了解自身遺傳信息進行基因檢測可以幫助夫婦了解自身遺傳信息、預防染色體異常等問題。某些遺傳疾病可能會通過遺傳方式傳遞給下一代，例如地中海貧血、囊性纖維化等。如果夫婦其中一方或雙方患有這些疾病，那么他們的后代也有可能會受到影響。通過基因檢測，夫婦可以及早了解自身遺傳狀況，做好生育決策。一些常見的遺傳性疾病如唐氏綜合征、愛德華氏綜合征等也可以通過基因檢測來判斷是否存在風險。如果發現存在高風險則可以采取相應措施，如選擇合適的受精卵進行移植或者選擇其他育兒方式。基因檢測還可以幫助夫婦了解攜帶者狀態。有些疾病是由隱性遺傳基因引起的，夫婦中只要一方攜帶該基因，即可將其傳給下一代。通過基因檢測，夫婦可以了解自己是否為某種疾病的攜帶者，從而及早采取預防措施。

注意事項播報編輯1.激光二極管發射的激光有可能對人眼造成傷害。二極管工作時，嚴禁直接注視其端面，不能透過鏡片直視激光，也不能透過反視鏡觀察激光。2.器件需要合適的驅動電源，瞬時反向電流不能超過2uA，反向電壓不得超過3V,否則會損壞器件。驅動電源子在電源通斷時，要防止浪涌電流的措施。用示波器測試驅動電路時，要先斷開電源再連接示波器探頭，若在通電情況下測試探頭，可能引用浪涌電流損壞器件。3.器件應存放或工作于干凈的環境中。4.在較高溫度下工作，會增大閥值電流，較低轉化頻率，加速器件的老化。在調整光輸入量時，要用光功率表檢測，防止超過大額定輸出。5.輸出功率高于指定參數工作，會加速元件老化。6.機器需要充分散熱或在制冷條件下使用，激光二極管的溫度嚴格控制在20度以下，保證壽命。7.二極管屬于靜電敏感器件，在人體有良好的情況下才可以拿取，防靜電可以采用防靜電手鐲的方法。8.激光器的輸出波長受工作電流與散熱的影響，要保持良好的散熱條件，降低工作時管芯的溫度。加散熱器防止激光二極管在工作中溫升過高。可選擇是否在圖像中顯示標靶。

第三代試管嬰兒的技術也稱胚胎植入前遺傳學診斷/篩查 [1]（PGD/PGS） [1]，指在IVF-ET的胚胎移植前，取胚胎的遺傳物質進行分析，診斷是否有異常，篩選健康胚胎移植，防止遺傳病傳遞的方法。檢測物質取4～8個細胞期胚胎的1個細胞或受精前后的卵***二極體。取樣不影響胚胎發育。檢測用單細胞DNA分析法，一是聚合酶鏈反應（PCR），檢測男女性別和單基因遺傳病;另一種是熒光原位雜交（FISH），檢測性別和染色體病。第三代試管嬰兒技術可以進行性別選擇，但只有當子代性染色體有可能發生異常并帶來嚴重后果時，才允許進行性別選擇。本質上，第三代試管嬰兒技術選擇的是疾病，而不是性別。圖像自動命名，放大率等信息隨圖像保存。上海二極管激光激光破膜8細胞注射

儀器通常配備自動化系統和直觀的操作界面，操作人員能夠很快上手以便完成各種操作任務。美國DTS激光破膜熱效應環

DFB-LD多采用Ⅲ和Ⅴ族元素組成的三元化合物、四元化合物，在1550nm波段內，**成熟的材料是InGaAsP/InP。新型AIGaInAs/InP材料的研發日趨成熟，國際上*少數幾家廠商可提供商用產品。優化器件結構，有源區為應變超晶格QW。有源區周邊一般為雙溝掩埋或脊型波導結構。有源區附近的光波導區為DFB光柵，采用一些特殊的設計，如：波紋坡度可調分布耦合、復耦合、吸收耦合、增益耦合、復合非連續相移等結構，提高器件性能。生產技術中，金屬有機化學汽相淀積MOCVD和光柵的刻蝕是其關鍵工藝。MOCVD可精確控制外延生長層的組分、摻雜濃度、薄到幾個原子層的厚度，生長效率高，適合大批量制作，反應離子束刻蝕能保證光柵幾何圖形的均勻性，電子束產生相位掩膜刻蝕可一步完成陣列光柵的制作。1550nmDFB-LD開始大量用于622Mb/s、2.5Gb/s光傳輸系統設備，對波長的選擇使DFB-LD在大容量、長距離光纖通信中成為主要光源。同一芯片上集成多波長DFB-LD與外腔電吸收調制器的單芯片光源也在發展中。研制成功的電吸收調制器集成光源，采用有源層與調制器吸收層共用多QW結構。調制器的作用如同一個高速開關，把LD輸出變換成二進制的0和1。美國DTS激光破膜熱效應環