國際半導體技術發展藍圖(ITRS)多年來預測了特征尺寸的預期縮小和相關領域所需的進展。**終的ITRS于2016年發布，現已被《設備和系統國際路線圖》取代。[21]**初，集成電路嚴格地說是電子設備。集成電路的成功導致了其他技術的集成，試圖獲得同樣的小尺寸和低成本優勢。這些技術包括機械設備、光學和傳感器。電荷耦合器件和與其密切相關的有源像素傳感器是對光敏感的芯片。在科學、醫學和消費者應用中，它們已經在很大程度上取代了照相膠片。現在每年為手機、平板電腦和數碼相機等應用生產數十億臺這樣的設備。集成電路的這個子領域獲得了2009年諾貝爾獎。| 無錫微原電子科技，專注提升集成電路芯片的性能。江陰多功能集成電路芯片

該過程使用了對紫外光敏感的化學物質，即遇紫外光則變軟。通過控制遮光物的位置可以得到芯片的外形。在硅晶片涂上光致抗蝕劑，使得其遇紫外光就會溶解。這時可以用上***份遮光物，使得紫外光直射的部分被溶解，這溶解部分接著可用溶劑將其沖走。這樣剩下的部分就與遮光物的形狀一樣了，而這效果正是我們所要的。這樣就得到我們所需要的二氧化硅層。摻加雜質將晶圓中植入離子，生成相應的P、N類半導體。具體工藝是從硅片上暴露的區域開始，放入化學離子混合液中。這一工藝將改變攙雜區的導電方式，使每個晶體管可以通、斷、或攜帶數據。簡單的芯片可以只用一層，但復雜的芯片通常有很多層，這時候將該流程不斷的重復，不同層可通過開啟窗口聯接起來。這一點類似多層PCB板的制作原理。 更為復雜的芯片可能需要多個二氧化硅層，這時候通過重復光刻以及上面流程來實現，形成一個立體的結構。江陰多功能集成電路芯片| 無錫微原電子科技，提供定制化集成電路芯片方案。

制作方式不同集成電路采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上，然后封裝在一個管殼內。而芯片使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層，然后使用光刻、摻雜、CMP等技術制成MOSFET或BJT等組件，再利用薄膜和CMP技術制成導線，如此便完成芯片制作。以上就是關于集成電路和芯片區別的介紹了，總的來說，集成電路也稱為芯片，因為面IC的封裝類似于芯片。一組集成電路通常稱為芯片組，而不是IC組。集成電路或IC是當今幾乎所有電子設備中使用的設備。半導體技術和制造方法的發展導致了集成電路的發明。

型號的分類：

芯片命名方式一般都是：字母+數字+字母前面的字母是芯片廠商或是某個芯片系列的縮寫。像MC開始的多半是摩托羅拉的，MAX開始的多半是美信的。中間的數字是功能型號。像MC7805和LM7805，從7805上可以看出它們的功能都是輸出5V，只是廠家不一樣。后面的字母多半是封裝信息，要看廠商提供的資料才能知道具體字母代表什么封裝。74系列是標準的TTL邏輯器件的通用名稱，例如74LS00、74LS02等等，單從74來看看不出是什么公司的產品。不同公司會在74前面加前綴，例如SN74LS00等。 | 無錫微原電子科技，集成電路芯片的可靠伙伴。

晶圓測試經過上面的幾道工藝之后，晶圓上就形成了一個個格狀的晶粒。通過針測的方式對每個晶粒進行電氣特性檢測。一般每個芯片的擁有的晶粒數量是龐大的，組織一次針測試模式是非常復雜的過程，這要求了在生產的時候盡量是同等芯片規格構造的型號的大批量的生產。數量越大相對成本就會越低，這也是為什么主流芯片器件造價低的一個因素。封裝將制造完成晶圓固定，綁定引腳，按照需求去制作成各種不同的封裝形式，這就是同種芯片內核可以有不同的封裝形式的原因。比如：DIP、QFP、PLCC、QFN等等。這里主要是由用戶的應用習慣、應用環境、市場形式等**因素來決定的。測試、包裝經過上述工藝流程以后，芯片制作就已經全部完成了，這一步驟是將芯片進行測試、剔除不良品，以及包裝。| 無錫微原電子科技，致力于集成電路芯片的創新。閔行區推廣集成電路芯片

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發展歷史

1965-1978年 創業期1965年，***批國內研制的晶體管和數字電路在河北半導體研究所鑒定成功。1968年，上海無線電十四廠**制成PMOS（P型金屬-氧化物-半導體）集成電路。

1970年，北京878廠、上海無線電十九廠建成投產。 [17]1972年，**塊PMOS型LSI電路在四川永川一四二四研究所制。1976年，中科院計算所采用中科院109廠（現中科院微電子研究所）研制的ECL（發射極耦合邏輯電路），研制成功1000萬次大型電子計算機。 

1978-1989年 探索前進期1980年，**條3英寸線在878廠投入運行。

1982年，江蘇無錫724廠從東芝引進電視機集成電路生產線，這是**次從國外引進集成電路技術；***成立電子計算機和大規模集成電路領導小組，制定了中國IC發展規劃，提出“六五”期間要對半導體工業進行技術改造。 江陰多功能集成電路芯片

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