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高校光刻機干涉測量應用

來源: 發布時間:2020-06-16

IQ Aligner®

■   晶圓規格高達200 mm / 300 mm

■   某一時間內

(第/一次印刷/對準)> 90 wph / 80 wph

■   頂/底部對準精度達到 ± 0.5 μm / ± 1.0 μm

■   接近過程100/%無觸點

■   可選Ergoload 磁盤,SMIF或者FOUP

■   精/準的跳動補償,實現**/佳的重疊對準

■   手動裝載晶圓的功能

■   IR對準能力–透射或者反射

IQ Aligner® NT

■   零輔助橋接工具-雙基片,支持200mm和300mm規格

■   無以倫比的吞吐量(第/一次印刷/對準) > 200 wph / 160 wph

■   頂/底部對準精度達到 ± 250 nm / ± 500 nm

■   接近過程100/%無觸點

■   暗場對準能力/ 全場清/除掩模(FCMM)

■   精/準的跳動補償,實現**/佳的重疊對準

■   智能過程控制和性能分析框架軟件平臺 EVG的大批量制造系統目的是在以**/佳的成本效率與**/高的技術標準相結合,為全球服務基礎設施提供支持。高校光刻機干涉測量應用

HERCULES 光刻軌道系統技術數據:

對準方式:

上側對準:≤±0.5 μm;

底側對準:≤±1,0 μm;

紅外校準:≤±2,0 μm /具體取決于基材


先進的對準功能:

手動對準;

自動對準;

動態對準。


對準偏移校正:

自動交叉校正/手動交叉校正;

大間隙對準。


工業自動化功能:盒式磁帶/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄,彎曲,翹曲,邊緣晶圓處理

曝光源:汞光源/紫外線LED光源

曝光設定:真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式/彎曲模式


楔形補償:全自動軟件控制;非接觸式

曝光選項:

間隔曝光/洪水曝光/扇區曝光


系統控制

操作系統:Windows

文件共享和備份解決方案/無限制 程序和參數

多語言用戶GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR

實時遠程訪問,診斷和故障排除 黑龍江光刻機學校會用嗎EVG的CoverSpin TM旋轉蓋可降低光刻膠消耗,并提高光刻膠涂層的均勻性。

掩模對準系統:EVG的發明,例如1985年世界上較早的擁有底面對準功能的系統,開創了頂面和雙面光刻,對準晶圓鍵合和納米壓印光刻的先例,并設定了行業標準。EVG通過不斷開發掩模對準器產品來增強這些**光刻技術,從而在這些領域做出了貢獻。

EVG的掩模對準系統可容納尺寸**/大,尺寸和形狀以及厚度**/大為300 mm的晶片和基板,旨在為高級應用提供先進的自動化程度和研發靈活性的復雜解決方案。EVG的掩模對準器和工藝能力已經過現場驗證,并已安裝在全球的生產設施中,以支持眾多應用,包括高級封裝,化合物半導體,功率器件,LED,傳感器和MEMS制造。

我們可以根據您的需求提供進行優化的多用途系統。

我們的掩模對準系統設計用于從掩模對準到鍵合對準的快速簡便轉換。此外,可以使用用于壓印光刻的可選工具集,例如UV-納米壓印光刻,熱壓印或微接觸印刷。所有系統均支持原位對準驗證軟件,以提高手動操作系統的對準精度和可重復性。EVG620 NT / EVG6200 NT可從手動到自動基片處理,實現現場升級。此外,所有掩模對準器都支持EVG專有的NIL技術。如果您需要納米壓印設備,請訪問我們的官網,或者直接聯系我們。 EVG在1985年發明了世界上第/一個底部對準系統,對準晶圓鍵合和納米壓印光刻技術方面開創并建立了行業標準。

EVG鍵合機掩模對準系列產品,使用**/先進的工程技術。

用戶對接近式對準器的主要需求由幾個關鍵參數決定。亞微米對準精度,掩模和晶片之間受控的均勻接近間隙,以及對應于抗蝕劑靈敏度的已經明確定義且易于控制的曝光光譜是**重要的標準。此外,整個晶圓表面的高光強度和均勻性是設計和不斷增強EVG掩模對準器產品組合時需要考慮的其他關鍵參數。創新推動了我們的日常業務的發展和提升我們的理念,使我們能夠跳出思維框架,創造更先進的系統。 了解客戶需求和有效的全球支持,這是我們提供優先解決方案的重要基礎。LED光刻機有哪些品牌

整個晶圓表面高光強度和均勻性是設計和不斷提高EVG掩模對準器產品組合時需要考慮的其他關鍵參數。高校光刻機干涉測量應用

EVG增強對準:全電動頂部和底部分離場顯微鏡支持實時,大間隙,晶圓平面或紅外對準,在可編程位置自動定位。確保**/佳圖形對比度,并對明場和暗場照明進行程序控制。先進的模式識別算法,自動原點功能,合成對準鍵模式導入和培訓可確保高度可重復的對準結果。

曝光光學:提供不同配置的曝光光學系統,旨在實現任何應用的**/大靈活性。汞燈曝光光學系統針對150,200和300 mm基片進行了優化,可與各種濾光片一起用于窄帶曝光要求,例如i-,g-和h-線濾光片,甚至還有深紫外線。 高校光刻機干涉測量應用

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