EN10029yEN10029AC).2.aSobrelongitudes:+1/.aSobrecapacidadnominal:+3/ónovalización:semidelaovalizaciónantesydespuésdelllenadodeagua,quedándoselosdepósitosdecomunicacióó)ándeformavisualtodaslassoldadurasdetodoslosdepóón,esimprescindibleunapruebadepresió)ímitesindicadosacontinuación:1.oDesnivelodefectodealineación:soldaduraslongitudinales:1milímetro;soldadurascirculares:2milí.oPuntodeinflexiónlocal:h/l≤1/53.oFaltadeespesordesoldadura:0milí.oSobreespesordesoldaduras:1milímetro≤S≤L/10+2milí.oGrietasofisuras,sopladuraseinclusionesdesembocandoensuperficie:.oMordeduras:profundidadmáxima,0,5milímetros;longitudmáxima,40milíínimadezonasanaparaqueestosdosdefectosseconsiderencomoaisladosesdeseisveceslalongituddeldefectomááprohibidosanearunpuntodefugaounafaltadematerialdeaportaciónconeldepó)Examensoldadurasdeáángulotendránunaalturadegarganta,comomínimode0,7veceselespesordelamáóósitosesometeráaunapruebadepresiónde0。BOE蝕刻液的溶液成分。河南什么是BOE蝕刻液推薦廠家

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    本發明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑，來改善磷酸的浸潤性和表面張力，使之均勻蝕刻氮化硅。背景技術：氮化硅是一種具有很高的化學穩定性的絕緣材料，氫氟酸和熱磷酸能對氮化硅進行緩慢地腐蝕。在半導體制造工藝中，一般是采用熱磷酸對氮化硅進行蝕刻，一直到了90nm的制程也是采用熱磷酸來蝕刻氮化硅。但隨著半導體制程的飛速發展，器件的特征尺寸越來越小，集成度越來越高，對制造工藝中的各工藝節點要求也越來越高，如蝕刻工藝中對蝕刻后晶圓表面的均勻性、蝕刻殘留、下層薄膜的選擇性等都有要求。在使用熱磷酸對氮化硅進行蝕刻時，晶圓表面會出現不均勻的現象，體現于在蝕刻前后進行相同位置取點的厚度測量時，檢測點之間蝕刻前后的厚度差值存在明顯差異。為了解決氮化硅蝕刻不均勻的問題，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑可以實現氮化硅層的均勻蝕刻。技術實現要素：本發明所要解決的技術問題是提供一種能均勻蝕刻氮化硅層的蝕刻液。本發明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，所述蝕刻液的組成包括：占蝕刻液總重量≥88％的磷酸、％的醇醚類、％的表面活性劑。進一步地，本發明涉及上述蝕刻液。

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    此處所描述的具體實施例用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。參照圖1，本實用新型實施例提供的酸性蝕刻液電解后液處理系統包括：電解槽1、射流器2、再生液調配缸3、液體泵4，其中，電解槽1具有一出液口和出氣口，且電解槽1中內置有酸性蝕刻液，電解槽1對該酸性蝕刻液進行電解提銅，產生氯氣，得到電解后液，并且，產生的氯氣通過位于上方的出氣口排出，電解后液通過位于下方的出液口排出。射流器2包括混氣室21和擴散管22，混氣室21和擴散管22之間為喉管，混氣室21具有進氣口2a、進液口2b、出液口2c，擴散管22連接至出液口2c，進氣口2a通過導氣管a與電解槽1的出氣口連接以接收氯氣，擴散管22深入到再生液調配缸3中。再生液調配缸3具有進液口和循環出液口，進液口通過管道b與電解槽1的出液口連接以接收電解后液。液體泵4的一端通過管道b連接再生液調配缸3的循環出液口，另一端通過管道b連接射流器2的進液口2b，用于將再生液調配缸3中的電解后液通過管道b抽取至射流器2的進液口2b。電解槽1電解提銅后，陽極產生的氯氣通過導氣管a進入到射流裝置2的混氣室21內，電解后液通過液體泵4打入到射流裝置2的混氣室21，在混氣室21形成真空，在喉管處氯氣與電解后液劇烈混合。河南什么是BOE蝕刻液推薦廠家