日本生產的半導體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到**個部分，其各部分的符號意義如下：***部分：用數字表示器件有效電極數目或類型。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個pn結的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結的其他器件、┄┄依此類推。第二部分：日本電子工業協會JEIA注冊標志。S-表示已在日本電子工業協會JEIA注冊登記的半導體分立器件。第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管美國電子工業協會登記順序號。多位數字-該器件在美國電子工業協會登記的順序號。浦東新區質量半導體器件設備圖片
第二部分：用數字表示pn結數目。1-二極管、2=三極管、3-三個pn結器件、n-n個pn結器件。第三部分：美國電子工業協會（EIA）注冊標志。N-該器件已在美國電子工業協會（EIA）注冊登記。第四部分：美國電子工業協會登記順序號。多位數字-該器件在美國電子工業協會登記的順序號。第五部分：用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄-同一型號器件的不同檔別。如：JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開關三極管，JAN-軍級、2-三極管、N-EIA 注冊標志、3251-EIA登記順序號、A-2N3251A檔。浦東新區出口半導體器件設備檢測表示穩定電壓值的容許誤差范圍，字母A、B、C、D。
半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下：***部分：用數字表示半導體器件有效電極數目。2-二極管、3-三極管第二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的類型。P-普通管
③MES場效應管（用金屬與半導體接觸構成柵極）;其中MOS場效應管使用*****。尤其在大規模集成電路的發展中,MOS大規模集成電路具有特殊的優越性。MES場效應管一般用在GaAs微波晶體管上。在MOS器件的基礎上,又發展出一種電荷耦合器件 (CCD)，它是以半導體表面附近存儲的電荷作為信息，控制表面附近的勢阱使電荷在表面附近向某一方向轉移。這種器件通常可以用作延遲線和存儲器等；配上光電二極管列陣，可用作攝像管。使具有放大信號的功能。這薄層半導體的兩端接兩個電極稱為源和漏。控制橫向電場的電極稱為柵。不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號；數字越大，越是產品。
第二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的類型。P-普通管、V-微波管、W-穩壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc3MHz,Pc<1W)、D-低頻大功率管（f1W)、A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半導體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應器件、B-雪崩管這種器件通常可以用作延遲線和存儲器等；配上光電二極管列陣，可用作攝像管。浦東新區出口半導體器件設備結構
激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下。浦東新區質量半導體器件設備圖片
第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的類型。P-普通管、V-微波管、W-穩壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc3MHz,Pc<1W)、D-低頻大功率管（f1W)、A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半導體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢復管、CS-場效應管、BT-半導體特殊器件、FH-復合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。第四部分：用數字表示序號浦東新區質量半導體器件設備圖片
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