可控硅模塊的簡要說明：

可控硅模塊的出現已經歷史悠久，它的出現也幫助人們解決了很多難題，憑借它的優勢，使可控硅模塊在電氣行業中非常的受歡迎，

可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊（semiconductormodule）。剛開始是在1970年出現在電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。

可控硅模塊的優點體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝；結構重復性好，裝置的機械設計可以簡化，價格比分立器件低等諸多優點，因而在一誕生就受到了各大電力半導體廠家的熱捧，并因此得到長足發展。

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晶閘管模塊的介紹和特點：

三相交流一體化移相調壓模塊采用大規模集成電路設計，內部集三相移相觸發電路、單向可控硅、RC阻容吸收回路及電源電路等于一體。可在自動或手動輸入控制作用下，產生三相可改變導通角的強觸發脈沖信號，再以此分別控制內部可控硅，實現三相負載電壓從0 V到電網全電壓的無級可調，從而調節輸出給三相負載電功率。調壓模塊直接帶動變壓器等感性負載或電加熱等阻性負載，可適用于小功率三相力矩電機的調速，及風機、水泵等的調速，也可應用于交流電機的緩啟動。調壓模塊采用SMT工藝，DCB陶瓷基板，其體積小、**接線少、性能穩定、使用方便、可靠性高。  聊城MTC可控硅模塊生產廠家奧凱電氣可靠的質量保證體系和經營管理體系，使產品質量日趨穩定。

 可控硅一經觸發導通后，由于循環反饋的原因，流入BG2基極的電流已不只是初始的Ib2 ，而是經過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib2），這一電流遠大于Ib2，足以保持BG2的持續導通。此時觸發信號即使消失，可控硅仍保持導通狀態，只有斷開電源E或降低E的輸出電壓，使BG1、BG2 的集電極電流小于維持導通的最小值時，可控硅方可關斷。當然，如果E極性反接，BG1、BG2受到反向電壓作用將處于截止狀態。這時，即使輸入觸發信號，可控硅也不能工作。反過來，E接成正向，而觸動發信號是負的，可控硅也不能導通。另外，如果不加觸發信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時，可控硅也會導通，但已屬于非正常工作情況了。

  可控硅這種通過觸發信號（小觸發電流）來控制導通（可控硅中通過大電流）的可控特性，正是它區別于普通硅整流二極管的重要特征。

可控硅模塊是一種非常重要的功率器件，可用來做高電壓和高電流的控制。可控硅模塊主要用在開關方面，使器件從關閉或是阻斷的狀態轉換為開啟或是導通的狀態，反之亦然。可控硅器件與雙極型晶體管有密切的關系，二者的傳導過程皆牽涉到電子和空穴，但可控硅的開關機制和雙極晶體管是不同的，且因為器件結構不同，可控硅器件有較寬廣范圍的電流、電壓控制能力。

可控硅模塊為什么會受人歡迎呢，下面給大家說一下，請仔細閱讀下面的文章。

  1、可控硅模塊集開關、定時、調速、模擬自然風為一體，**元件少、電路簡單、易于制作；

  2、省掉了體積較大的機械定時器和調速器，采用輕觸式開關和電腦控制脈沖觸發，因而無機械磨損，使用壽命長；

  3、各種動作電腦程序具備相應的發光管指示，耗電量少，體積小，重量輕，顯示直觀，便于操作；

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可控硅有三個極----陽極（A）、陰極（C）和控制極（G），管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN 結，與只有一個PN結的硅整流二極管在結構上迥然不同。可控硅的四層結構和控制極的引入，為其發揮“以小控大”的優異控制特性奠定了基礎。可控硅應用時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。奧凱電氣從國內外引進了一大批先進的設備，實現了工程設備的現代化。云南MJYD晶閘管模塊生產廠家

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智能調壓模塊控制的說明

     智能調壓模塊通過調節雙向可控硅的導通角，就可以控制一個周期內通過的波形形狀，從而實現調壓的目的，主要有兩個方法實現：

  1、過零觸發不改變電壓的波形(既不改變可控硅的導通角)而只改變單位時間內電壓全波通過的次數，達到調功調壓的目的。

  2、采用即時觸發晶閘管，可以控制雙向可控硅的導通角，MOC3021能即時觸發大功率晶閘管，符合題目要求控制導通角的要求，一般采用MOC3021來驅動BTA16大功率雙向可控硅。

  通過上述，大家對智能調壓模塊控制方面的知識有了一定的了解，對以后的工作能所幫助。 安徽MJYS晶閘管模塊生產廠家

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