MLCC是陶瓷電容器的一種，也可稱為片式電容器、多層電容器、多層電容器等。MLCC是由印刷電極(內電極)交錯堆疊的陶瓷介質膜，經一次高溫燒結形成陶瓷電子元件，再在電子元件兩端封上金屬層(外電極)，形成單片結構，故也可稱為單片電容器。簡單平行板電容器的基本結構是由一個絕緣的中間介質層加上兩個外部導電的金屬電極組成，而MLCC的結構主要包括三部分：陶瓷介質、金屬內電極和金屬外電極。在結構上，MLCC是一個多層層壓結構。簡單來說就是幾個簡單平行板電容的平行體。鋁電解電容，常見的電性能測試包括：電容量，損耗角正切，漏電流，額定工作電壓，阻抗等等。南通片式多層陶瓷電容器規(guī)格

什么是MLCC片式多層陶瓷電容器(Multi-layerCeramicCapacitor簡稱MLCC)是電子整機中主要的被動貼片元件之一，它誕生于上世紀60年代，較早由美國公司研制成功，后來在日本公司(如村田Murata、TDK、太陽誘電等)迅速發(fā)展及產業(yè)化，至今依然在全球MLCC領域保持優(yōu)勢，主要表現為生產出MLCC具有高可靠、高精度、高集成、高頻率、智能化、低功耗、大容量、小型化和低成本等特點。MLCC—簡稱片式電容器，是由印好電極（內電極）的陶瓷介質膜片以錯位的方式疊合起來，經過一次性高溫燒結形成陶瓷芯片，再在芯片的兩端封上金屬層（外電極），從而形成一個類似獨石的結構體，故也叫獨石電容器。南通片式多層陶瓷電容器規(guī)格鋁電解電容是電容中非常常見的一種。

微型電極結構方面，將電極做成立體三維結構可獲得更年夜的概況積，有利于負載更多的電極活性物質以及保證活性物質的充實操作，從而有利于改善電荷存儲機能。本所庖代的歷次版本發(fā)布情形為：——ｇｂ６跟著材料科學的發(fā)展，電容器逐漸向高儲能、小型化、輕質量、低成本、高靠得住性等標的目的成長，近年來，跟著情形呵護的呼聲越來越高，含鉛材料受到了極年夜的限制，傳統的pzt基壓電陶瓷由于含有年夜量的pb，其制造和使用已經被限制，batio３基陶瓷材料再次成為研究的熱點。因為界面上存在位壘，兩層電荷不能越過鴻溝彼其中和，從而形成了雙電層電容[５]。１雙電層電容理論１８５３年德國物理學家helmhotz首先提出了雙電層電容這一概念[６]。用這種超級為一部iphone手機布滿電只只需要５秒鐘。但因為電介質耐壓低，存在漏電流，儲存能量和連結時刻受到限制。但這種電極材料的制備工藝繁復，耗時長，價錢昂貴，商品化還有必然距離。

無極性電容體積小，價格低，高頻特性好，但它不適合做大容量。像瓷片電容、獨石電容、聚乙烯(CBB)電容等都是，瓷片電容一般用在高頻濾波、震蕩電路中比較多。磁介電容是以陶瓷材料為介子，并在表面燒上銀層作為電極的電容器。磁介電容器性能穩(wěn)定。損耗，漏電都很小，適合于高頻高壓電路中應用。一般而言，電容兩極間的絕緣材料，介電常數大的(如鐵電陶瓷，電解液)適合于制作大容量小體積的電容，但損耗也大。介電常數小的(如陶瓷)損耗小，適合于高頻應用。軟端電容通過結構創(chuàng)新實現機械可靠性與電氣性能的平衡，其選型需綜合耐壓、容量、尺寸及環(huán)境適應性需求?。

一般來說，它是一個去耦電容。或者數字電路通斷時，對電源影響很大，造成電源波動，需要用電容去耦。通常，容量是芯片開關頻率的倒數。如果頻率為1MHz，選擇1/1M，即1uF。你可以拿一個大一點的。比較好有芯片和去耦電容，電源處應該有，用的量還是蠻大的。在一般設計中，提到通常使用0.1uF和10uF、2.2uF和47uF進行電源去耦。在實際應用中如何選擇它們？根據不同的功率輸出或后續(xù)電路？通常并聯兩個電容就夠了，但在某些電路中并聯更多的電容可能會更好。不同電容值的電容器并聯可以在很寬的頻率范圍內保證較低的交流阻抗。在運算放大器的電源抑制(PSR)能力下降的頻率范圍內，電源旁路尤為重要。電容可以補償放大器PSR的下降。在很寬的頻率范圍內，這種低阻路徑可以保證噪聲不進入芯片。陶瓷電容的另外一個特性是其直流偏壓特性。片式多層陶瓷電容器

MLCC成為使用數量較多的電容。南通片式多層陶瓷電容器規(guī)格

共燒技術(陶瓷粉料和金屬電極共燒)，MLCC元件結構很簡單，由陶瓷介質、內電極金屬層和外電極三層金屬層構成。MLCC是由多層陶瓷介質印刷內電極漿料，疊合共燒而成。為此，不可避免地要解決不同收縮率的陶瓷介質和內電極金屬如何在高溫燒成后不會分層、開裂，即陶瓷粉料和金屬電極共燒問題。共燒技術就是解決這一難題的關鍵技術，掌握好的共燒技術可以生產出更薄介質(2μm以下)、更高層數(1000層以上)的MLCC。當前日本公司在MLCC燒結設備技術方面早于其它各國，不僅有各式氮氣氛窯爐(鐘罩爐和隧道爐)，而且在設備自動化、精度方面有明顯的優(yōu)勢。南通片式多層陶瓷電容器規(guī)格