涂膜法是一種操作簡單、效率相對較高的制備方法，常見的涂膜法可分為噴涂法和旋涂法兩種。３〇＾０山６［４６］等人將００懸浮液噴涂在預熱后的５１／３丨０２基材上，待溶劑完全蒸發后得到石墨烯薄膜。在噴涂過程中，可通過調節噴霧持續時間和分散液濃度來精確地控制ＧＯ片的厚度及密度，進一步還原后所得到的石墨烯薄膜可作為Ｐ型半導體，并表現出良好的場效應響應。除了普遍使用的噴涂法之外，Ｌｉａｎ［４７］等人將電噴霧沉積法與卷對卷工藝相結合，經過機械壓實和２２００°Ｃ高溫處理后得到***石墨烯薄膜，熱導率比較高可達１４３４Ｗｎｒ１Ｋ－１，并且可實現大面積生產。Ｂａｏ［４］等人將ＧＯ分散液沉積在強氧化劑處理過的玻璃基材表面，并使基材分別以５００ｒｐｍ、８００ｒｐｍ和１６００ｒｐｍ的速度旋轉３０ｓ，應用于鋰電正負極材料，還可以應用于橡膠、塑料、樹脂、纖維等高分子復合材料領域。福建制備氧化石墨烯生產

溶劑熱法是指在特制的密閉反應器(高壓釜)中，采用有機溶劑作為反應介質，通過將反應體系加熱至臨界溫度(或接近臨界溫度)，在反應體系中自身產生高壓而進行材料制備的一種有效方法。溶劑熱法解決了規?；苽涫┑膯栴}，同時也帶來了電導率很低的負面影響。為解決由此帶來的不足，研究者將溶劑熱法和氧化還原法相結合制備出了高質量的石墨烯。Dai等發現溶劑熱條件下還原氧化石墨烯制備的石墨烯薄膜電阻小于傳統條件下制備石墨烯。溶劑熱法因高溫高壓封閉體系下可制備高質量石墨烯的特點越來越受科學家的關注。溶劑熱法和其他制備方法的結合將成為石墨烯制備的又一亮點。石墨烯的制備方法還有高溫還原、光照還原、外延晶體生長法、微波法、電弧法、電化學法等。筆者在以上基礎上提出一種機械法制備納米石墨烯微片的新方法，并嘗試宏量生產石墨烯的研究中取得較好的成果。如何綜合運用各種石墨烯制備方法的優勢，取長補短，解決石墨烯的難溶解性和不穩定性的問題，完善結構和電性能等是今后研究的熱點和難點，也為今后石墨烯的制備與合成開辟新的道路。福建制備氧化石墨烯生產石墨烯含有豐富的官能團，易于分散。

隨著5G時代的到來，電子設備運行速度***增加的同時，其尺寸也在向微型化發展，這勢必會導致電子設備在運行過程中產生大量的熱量，從而影響其穩定性、可靠性和安全性。因此，設計和制備具有高性能的高導熱散熱材料是促進電子設備發展的關鍵問題之一。另外，隨著工業的快速發展和人口的迅速增長，石油、煤炭、天然氣等不可再生化石燃料的消耗日益增多，導致能源愈發短缺，因此制備能夠有效吸收、轉換和利用太陽能的新型熱能存儲材料成為了目前急需解決的難題。由于石墨烯具有高熱導率、高吸光性及優異的機械性能，被作為制備熱能存儲材料、散熱材料等熱管理材料的理想選擇。

在過去的幾十年里，隨著工業的快速發展，環境污染和石化燃料資源枯竭問題日益嚴重，設計和制備能夠有效轉換和利用太陽能等可再生能源的新型熱管理材料成為了目前急需解決的難題。另外，由于電子設備組件正在逐漸向微型化、集成化方向發展，這種趨勢會導致設備在運行過程中產生大量熱量，從而影響其可靠性、穩定性和安全性。因此，制備具有高導熱的散熱材料是促進電子設備發展的關鍵問題之一。由于石墨烯具有高本征熱導率、高比表面積及優異的機械性能，被作為制備熱能存儲材料、散熱材料等熱管理材料的理想選擇。氧化石墨烯的含氧官能團可以用于晶體的結合位點。

真空抽濾法是一種制備石墨烯薄膜的**常見方法。由于氧化石墨烯的片層含有大量羧基、羰基等親水性含氧官能團，并且片層間具有靜電相互作用不容易團聚，因此在不借助分散劑的情況下也能在水溶液中分散均勻，從而形成穩定的分散液，非常有利于真空抽濾過程中片層的緊密排列［４３，４４］。Ｌｉｕ［４５】等人采用真空抽濾法制備了具有有序排列結構和高密度的ＧＯ／ＰＤＡ復合膜。在ＧＯ／ＰＤＡ復合膜中，ＧＯ的含氧官能團與ＰＤＡ的胺基之間存在氫鍵相互作用，并且ＰＤＡ對ＧＯ具有還原的作用。在經過３０００°Ｃ高溫處理之后，ＰＤＡ被轉化為具有***石墨晶體結構的ＣＰＤＡ納米顆粒（ＣＰＤＡＮＰｓ），對石墨烯片層起到了增強的作用，從而使復合膜的拉伸強度、電導率和熱導率氧化石墨易于接枝改性，可與復合材料進行原位復合。福建制備氧化石墨烯生產

石墨烯防腐漿料 與粉料相比，漿料中的石墨烯更易于分散在基體材料中。福建制備氧化石墨烯生產

石墨烯是碳材料家族的新成員，它是由碳原子以sp2雜化軌道組成的只具有一個原子層厚度的單層片狀結構材料。同碳納米管一樣，石墨烯也以其諸多優點而被廣泛的應用于儲能電池領域:(1)石墨烯具有極高的比表面積，其理論值高達2600m2/g［16］，這使得石墨烯基復合電極有著很好的電解液相容性;(2)石墨烯的電導率遠超其他碳材料，以石墨烯為導電結構的復合電極材料可以發揮優異的倍率性能;(3)石墨烯衍生物如氧化石墨烯(GO)與還原氧化石墨烯(ＲGO)上含有的大量官能團與缺陷位可以作為多種金屬及金屬氧化物納米粒子的生長位點。這種由石墨烯矩陣組成的復合結構可以有效的抑制納米電極材料在充放電過程中的團聚現象及電極巨大的體積變化，從而增強電極材料的容量保持率與循環穩定性。福建制備氧化石墨烯生產