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專業磁控濺射用處

來源: 發布時間:2022-11-17

磁控濺射靶材鍍膜過程中,影響靶材鍍膜沉積速率的因素:濺射電流:磁控靶的濺射電流與濺射靶材表面的離子電流成正比,因此也是影響濺射速率的重要因素。磁控濺射有一個普遍規律,即在較佳氣壓下沉積速度較快。因此,在不影響薄膜質量和滿足客戶要求的前提下,從濺射良率考慮氣體壓力的較佳值是合適的。改變濺射電流有兩種方法:改變工作電壓或改變工作氣體壓力。濺射功率:濺射功率對沉積速率的影響類似于濺射電壓。一般來說,提高磁控靶材的濺射功率可以提高成膜率。然而,這并不是一個普遍的規則。在磁控靶材的濺射電壓低,濺射電流大的情況下,雖然平均濺射功率不低,但離子不能被濺射,也不能沉積。前提是要求施加在磁控靶材上的濺射電壓足夠高,使工作氣體離子在陰極和陽極之間的電場中的能量足夠大于靶材的"濺射能量閾值"。不同的金屬、合金、氧化物能夠進行混合,同時濺射于基材上。專業磁控濺射用處

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相較于蒸發鍍膜,真空磁控濺射鍍膜的膜更均勻,那么真空蒸發鍍膜所鍍出來的膜厚度在中心位置一般會薄一點。因此,由于我們無法控制真空蒸發鍍膜的膜層的厚度,而真空磁控濺射鍍膜的過程中可通過控制時間長短來控制鍍層厚度,所以蒸鍍真空鍍膜不適應企業大規模的生產。反之,濺射鍍膜在這方面就比較有優勢了。那么相對于蒸發鍍膜來說,真空磁控濺射鍍膜除了膜厚均勻與可控靈活的優勢之外,還有這些特點:磁控濺射鍍的膜層的純度高,因此致密性好;膜層物料靈活,薄膜可以由大多數材料構成,包括常見的合金、化合物之類的;濺射鍍膜的沉積速率較低,整體設備相對復雜一些;真空濺射薄膜與作用基底之間的粘合、附著力很好。河南智能磁控濺射工藝非平衡磁控濺射的磁場有邊緣強,也有中部強,導致濺射靶表面磁場的“非平衡”。

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真空磁控濺射鍍膜技術的特點:1、沉積速率大:由于采用高速磁控電極,可獲得的離子流很大,有效提高了此工藝鍍膜過程的沉積速率和濺射速率。與其它濺射鍍膜工藝相比,磁控濺射的產能高、產量大、于各類工業生產中得到普遍應用。2、功率效率高:磁控濺射靶一般選擇200V-1000V范圍之內的電壓,通常為600V,因為600V的電壓剛好處在功率效率的較高有效范圍之內。3、濺射能量低:磁控靶電壓施加較低,磁場將等離子體約束在陰極附近,可防止較高能量的帶電粒子入射到基材上。

磁控濺射技術的應用:主要用于在經予處理的塑料、陶瓷等制品表面蒸鍍金屬薄膜、七彩膜仿金膜等,從而獲得光亮、美觀、價廉的塑料,陶瓷表面金屬化制品。普遍應用于工藝美術、裝璜裝飾、燈具、家具、玩具、酒瓶蓋、女式鞋后跟等領域,JTPZ多功能鍍膜技術及設備,針對汽車、摩托車燈具而設計的,在一個真空室內完成蒸發鍍鋁和射頻等離子體鍍保護膜,這種鍍膜后燈具具有“三防”功能。射頻等離子體聚合膜還應用于光學產品、磁記錄介質、**保護膜;防潮增透膜;防銹抗腐蝕;耐磨增硬膜。用戶選擇在燈具基體上噴底漆、鍍鋁膜、鍍保護膜或燈具基體在真空室進行前處理、鍍鋁膜、鍍保護膜工藝。交流磁控濺射和直流濺射相比交流磁控濺射采 用交流電源代替直流電源,解決了靶面的異常放電現象。

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反應磁控濺射普遍應用于化合物薄膜的大批量生產,這是因為:(1)反應磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應氣體(氧、氮、碳氫化合物等)純度很高,因而有利于制備高純度的化合物薄膜。(2)通過調節反應磁控濺射中的工藝參數,可以制備化學配比或非化學配比的化合物薄膜,通過調節薄膜的組成來調控薄膜特性。(3)反應磁控濺射沉積過程中基板升溫較小,而且制膜過程中通常也不要求對基板進行高溫加熱,因此對基板材料的限制較少。(4)反應磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜,并能實現單機年產上百萬平方米鍍膜的工業化生產。磁控濺射就是在外加電場的兩極之間引入一個磁場。深圳智能磁控濺射設備

使用鉆頭的人射頻磁控濺射過程的第一步是將基片材料置于真空中真空室。專業磁控濺射用處

磁控濺射屬于輝光放電范疇,利用陰極濺射原理進行鍍膜。膜層粒子來源于輝光放電中,氬離子對陰極靶材產生的陰極濺射作用。氬離子將靶材原子濺射下來后,沉積到元件表面形成所需膜層。磁控原理就是采用正交電磁場的特殊分布控制電場中的電子運動軌跡,使得電子在正交電磁場中變成了擺線運動,因而大幅度增加了與氣體分子碰撞的幾率。磁控濺射目前是一種應用十分普遍的薄膜沉積技術,濺射技術上的不斷發展和對新功能薄膜的探索研究,使磁控濺射應用延伸到許多生產和科研領域。專業磁控濺射用處

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