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山西高溫光刻膠報價

來源: 發(fā)布時間:2025-06-19

光刻膠系列

厚板光刻膠 JT - 3001,具備優(yōu)異分辨率、感光度和抗深蝕刻性能,符合歐盟 ROHS 標(biāo)準(zhǔn),保質(zhì)期 1 年;

水油光刻膠 SR - 3308,容量 5L;SU - 3 負(fù)性光刻膠,分辨率優(yōu)異,對比度良好,曝光靈敏度高,光源適應(yīng),重量 100g;

液晶平板顯示器負(fù)性光刻膠 JT - 1000,有 1L 裝和 100g 裝兩種規(guī)格,分辨率高,準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性好;

JT - 2000 UV 納米壓印光刻膠,耐強酸強堿,耐高溫達(dá) 250°C,長期可靠性高,粘接強度高,重量 100g;

LCD 正性光刻膠 YK - 200,具有較大曝光、高分辨率、良好涂布和附著力,重量 100g;

半導(dǎo)體正性光刻膠 YK - 300,具備耐熱耐酸、耐溶劑性、絕緣阻抗和緊密性,重量 100g;

耐腐蝕負(fù)性光刻膠 JT - NF100,重量 1L。 納米級圖案化的主要工具。山西高溫光刻膠報價

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關(guān)鍵工藝流程

 涂布:

? 在晶圓/基板表面旋涂光刻膠,厚度控制在0.1-5μm(依制程精度調(diào)整),需均勻無氣泡(旋涂轉(zhuǎn)速500-5000rpm)。

 前烘(Soft Bake):

? 加熱(80-120℃)去除溶劑,固化膠膜,增強附著力(避免顯影時邊緣剝離)。

 曝光:

? 光源匹配:

? G/I線膠:汞燈(適用于≥1μm線寬,如PCB、LCD)。

? DUV膠(248nm/193nm):KrF/ArF準(zhǔn)分子激光(用于28nm-14nm制程,如存儲芯片)。

? EUV膠(13.5nm):極紫外光源(用于7nm以下制程,需控制納米級缺陷)。

? 曝光能量:需精確控制(如ArF膠約50mJ/cm2),避免過曝或欠曝導(dǎo)致圖案失真。

 顯影:

? 采用堿性溶液(如0.262N四甲基氫氧化銨,TMAH),曝光區(qū)域膠膜溶解,未曝光區(qū)域保留,形成三維立體圖案。

 后烘(Post-Exposure Bake, PEB):

? 化學(xué)增幅型膠需此步驟,通過加熱(90-130℃)激發(fā)光酸催化反應(yīng),提高分辨率和耐蝕刻性。
西安進(jìn)口光刻膠供應(yīng)商光刻膠:半導(dǎo)體之路上的挑戰(zhàn)與突破。

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 光伏電池(半導(dǎo)體級延伸)

? HJT/TOPCon電池:在硅片表面圖形化金屬電極,使用高靈敏度光刻膠(曝光能量≤50mJ/cm2),線寬≤20μm,降低遮光損失。

? 鈣鈦礦電池:用于電極圖案化和層間隔離,需耐有機溶劑(適應(yīng)溶液涂布工藝)。

 納米壓印技術(shù)(下一代光刻)

? 納米壓印光刻膠:通過模具壓印實現(xiàn)10nm級分辨率,用于3D NAND存儲孔陣列(直徑≤20nm)、量子點顯示陣列等。

 微流控與生物醫(yī)療

? 微流控芯片:制造微米級流道(寬度10-100μm),材料需生物相容性(如PDMS基材適配)。

? 生物檢測芯片:通過光刻膠圖案化抗體/抗原固定位點,精度≤5μm。

 技術(shù)挑戰(zhàn):

? 技術(shù)壁壘:EUV光刻膠、3nm以下制程材料仍處研發(fā)階段,光刻膠分辨率、靈敏度與國際水平存在差距(如東京應(yīng)化ArF膠分辨率達(dá)14nm)。

? 供應(yīng)鏈風(fēng)險:樹脂、光引發(fā)劑等原材料自給率不足8%,部分依賴進(jìn)口(如日本信越化學(xué));美國對華技術(shù)封鎖可能影響設(shè)備采購。

? 客戶驗證:光刻膠需通過晶圓廠全流程測試,驗證周期長(1-2年),國內(nèi)企業(yè)在頭部客戶滲透率較低。

未來展望:

? 短期(2025-2027年):KrF/ArF光刻膠國產(chǎn)化率預(yù)計提升至10%-15%,南大光電、上海新陽等企業(yè)實現(xiàn)28nm-7nm制程產(chǎn)品量產(chǎn),部分替代日本進(jìn)口。

? 中期(2028-2030年):EUV光刻膠進(jìn)入中試驗證階段,原材料自給率提升至30%,國內(nèi)企業(yè)在全球市場份額突破15%。

? 長期(2030年后):實現(xiàn)光刻膠全產(chǎn)業(yè)鏈自主可控,技術(shù)指標(biāo)對標(biāo)國際前列,成為全球半導(dǎo)體材料重要供應(yīng)商。
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  1. 正性光刻膠(如 YK-300)
    應(yīng)用場景:用于芯片的精細(xì)圖案化,如集成電路(IC)、分立器件(二極管、三極管)的制造。
    特點:高分辨率(可達(dá)亞微米級),適用于多層光刻工藝,確保芯片電路的高精度與可靠性。
  2. 負(fù)性光刻膠(如 JT-1000)
    應(yīng)用場景:用于功率半導(dǎo)體(如 MOSFET、IGBT)的制造,以及傳感器(如 MEMS)的微結(jié)構(gòu)成型。
    特點:抗蝕刻能力強,適合復(fù)雜圖形的轉(zhuǎn)移,尤其在深寬比要求較高的工藝中表現(xiàn)優(yōu)異。
  3. 納米壓印光刻膠(JT-2000)
    應(yīng)用場景:第三代半導(dǎo)體(GaN、SiC)芯片、量子點器件及微流控芯片的制造。特點:耐高溫(250℃)、耐酸堿,支持納米級精度圖案復(fù)制,降低芯片的制造成本。
正性光刻膠的工藝和應(yīng)用場景。光刻膠價格

技術(shù)突破加速國產(chǎn)替代,國產(chǎn)化布局贏得市場。山西高溫光刻膠報價

廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品,主要涵蓋厚板、負(fù)性、正性、納米壓印及光刻膠等類別,以滿足不同領(lǐng)域的需求。

厚板光刻膠:JT-3001 型號,具有優(yōu)異的分辨率和感光度,抗深蝕刻性能良好,符合歐盟 ROHS 標(biāo)準(zhǔn),保質(zhì)期 1 年。適用于對精度和抗蝕刻要求高的厚板光刻工藝,如特定電路板制造。

負(fù)性光刻膠

  • SU-3 負(fù)性光刻膠:分辨率優(yōu)異,對比度良好,曝光靈敏度高,光源適應(yīng),重量 100g。常用于對曝光精度和光源適應(yīng)性要求較高的微納加工、半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域。


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  • LCD 正性光刻膠 YK-200:具有較大曝光、高分辨率、良好涂布和附著力,重量 100g。適用于液晶顯示領(lǐng)域的光刻工藝,確保 LCD 生產(chǎn)中圖形精確轉(zhuǎn)移和良好涂布效果。
  • 半導(dǎo)體正性光刻膠 YK-300:具備耐熱耐酸、耐溶劑性、絕緣阻抗和緊密性,重量 100g。主要用于半導(dǎo)體制造工藝,滿足半導(dǎo)體器件對光刻膠在化學(xué)穩(wěn)定性和電氣性能方面的要求。
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