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激光光刻膠廠家

來源: 發布時間:2025-06-11

聚焦先進封裝需求,吉田半導體提供從光刻膠到配套材料的一站式服務,助力高性能芯片制造。
在 5G 芯片與 AI 處理器封裝領域,吉田半導體研發的 SU-3 負性光刻膠支持 3μm 厚膜加工,抗深蝕刻速率 > 500nm/min,為高密度金屬互連提供可靠支撐。其 BGA 助焊膏采用低溫固化技術(180℃),焊接空洞率 < 5%;針筒錫膏適用于 01005 超微型元件,印刷精度達 ±5μm。通過標準化實驗室與快速響應團隊,公司為客戶提供工藝優化建議,幫助降低生產成本,增強市場競爭力。耐高溫光刻膠 JT-2000,250℃環境穩定運行,圖形保真度超 95%,用于納米結構制造!激光光刻膠廠家

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吉田半導體獲評 "專精特新" 企業,行業技術標準,以技術創新與標準化生產為,吉田半導體榮獲 "廣東省專精特新企業" 稱號,樹立行業。
憑借在光刻膠領域的表現,吉田半導體獲評 "廣東省專精特新企業"" ",承擔多項國家 02 專項課題。公司主導制定《半導體光刻膠用樹脂技術規范》等行業標準,推動國產材料標準化進程。未來,吉田半導體將繼續以" 中國半導體材料方案提供商 "為愿景,深化技術研發與市場拓展,為全球半導體產業發展貢獻" 中國力量 "。江蘇負性光刻膠發展戰略與行業地位。

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不同光刻膠類型的適用場景對比
類型 波長范圍 分辨率 典型應用產品 
G線/i線光刻膠 436/365nm ≥1μm PCB、LCD黑色矩陣 吉田半導體JT-100系列 
KrF光刻膠 248nm 0.25-1μm 28nm以上芯片、Mini LED制備 吉田半導體YK-300系列 
ArF光刻膠 193nm 45nm-0.25μm 14nm及以上芯片、OLED電極圖案化 國際主流:JSR ARF系列 
EUV光刻膠 13.5nm ≤7nm 7nm以下先進制程、3D NAND堆疊 研發中(吉田半導體合作攻關) 
水性光刻膠 全波長適配 5-50μm 柔性顯示、環保PCB阻焊層 吉田半導體WT-200系列 

總結:多領域滲透的“工業維生素”

光刻膠的應用深度綁定電子信息產業,從半導體芯片的“納米級雕刻”到PCB的“毫米級線路”,再到顯示面板的“色彩精細控制”,其技術參數(分辨率、耐蝕刻性、靈敏度)需根據場景設計。隨著**新能源(車規芯片、光伏)、新型顯示(Micro LED)、先進制造(納米壓印)**等領域的發展,光刻膠的應用邊界將持續擴展,成為支撐制造的關鍵材料。

吉田半導體 JT-3001 厚板光刻膠:歐盟 RoHS 認證,PCB 電路板制造

憑借抗深蝕刻性能與環保特性,吉田 JT-3001 厚板光刻膠成為 PCB 行業材料。
吉田半導體推出的 JT-3001 厚板光刻膠,分辨率達 1.5μm,抗深蝕刻速率 > 500nm/min,適用于高密度電路板制造。產品通過歐盟 RoHS 認證,采用無鹵無鉛配方,符合環保要求。其優異的感光度與留膜率,確保復雜線路圖形的成型,已應用于華為 5G 基站主板量產。公司提供從材料選型到工藝優化的全流程支持,助力客戶提升生產效率與良率。
無鹵無鉛錫膏廠家吉田,RoHS 認證,為新能源領域提供服務!

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作為東莞松山湖的企業,吉田半導體深耕光刻膠領域 23 年,成功研發出 YK-300 半導體正性光刻膠與 JT-2000 納米壓印光刻膠。YK-300 適用于 45nm 及以上制程,線寬粗糙度(LWR)≤3nm,良率達 98% 以上,已通過中芯國際等晶圓廠驗證;JT-2000 突破耐高溫極限,在 250℃復雜環境下仍保持圖形穩定性,適用于 EUV 光刻前道工藝。依托進口原材料與全自動化生產工藝,產品通過 ISO9001 認證及歐盟 RoHS 標準,遠銷全球并與跨國企業建立長期合作,加速國產替代進程。吉田半導體全系列產品覆蓋,滿足多元化需求。北京厚膜光刻膠

吉田產業鏈協同與政策紅利。激光光刻膠廠家

應用場景

 半導體集成電路(IC)制造:

? 邏輯芯片(CPU/GPU):在28nm以下制程中,正性DUV/EUV膠用于晶體管、互連布線的精細圖案化(如10nm節點線寬只有100nm)。

? 存儲芯片(DRAM/NAND):3D堆疊結構中,正性膠用于層間接觸孔(Contact)和柵極(Gate)的高深寬比圖形(深寬比>10:1)。

 平板顯示(LCD/OLED):

? 彩色濾光片(CF):制作黑矩陣(BM)和彩色層(R/G/B),要求高透光率和邊緣銳利度(線寬5-10μm)。

? OLED電極:在柔性基板上形成微米級透明電極,需低應力膠膜防止基板彎曲變形。

 印刷電路板(PCB):

? 高密度互連(HDI):用于細線路(線寬/線距≤50μm),如智能手機主板,相比負性膠,正性膠可實現更精細的線路邊緣。

 微納加工與科研:

? MEMS傳感器:制作微米級懸臂梁、齒輪等結構,需耐干法蝕刻的正性膠(如含硅樹脂膠)。

? 納米光刻:電子束光刻膠(正性為主)用于研發級納米圖案(分辨率<10nm)。
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