東莞負性光刻膠生產廠家
來源：
發布時間：2025-06-02
吉田半導體突破 ArF 光刻膠技術壁壘，國產替代再迎新進展
光刻膠廠家推薦吉田半導體，23 年專注研發，全系列產品覆蓋芯片制造與 LCD 面板！東莞負性光刻膠生產廠家
不同光刻膠類型的適用場景對比
類型 波長范圍 分辨率 典型應用產品
G線/i線光刻膠 436/365nm ≥1μm PCB、LCD黑色矩陣 吉田半導體JT-100系列
KrF光刻膠 248nm 0.25-1μm 28nm以上芯片、Mini LED制備 吉田半導體YK-300系列
ArF光刻膠 193nm 45nm-0.25μm 14nm及以上芯片、OLED電極圖案化 國際主流：JSR ARF系列
EUV光刻膠 13.5nm ≤7nm 7nm以下先進制程、3D NAND堆疊 研發中（吉田半導體合作攻關）
水性光刻膠 全波長適配 5-50μm 柔性顯示、環保PCB阻焊層 吉田半導體WT-200系列
總結：多領域滲透的“工業維生素”
光刻膠的應用深度綁定電子信息產業，從半導體芯片的“納米級雕刻”到PCB的“毫米級線路”，再到顯示面板的“色彩精細控制”，其技術參數（分辨率、耐蝕刻性、靈敏度）需根據場景設計。隨著**新能源（車規芯片、光伏）、新型顯示（Micro LED）、先進制造（納米壓印）**等領域的發展，光刻膠的應用邊界將持續擴展，成為支撐制造的關鍵材料。
東莞紫外光刻膠供應商光刻膠廠家推薦吉田半導體，23 年研發經驗，全自動化生產保障品質!
? 化學反應：
? 正性膠：曝光后光敏劑（如重氮醌DQN）分解，生成羧酸，在堿性顯影液中溶解；
? 負性膠：曝光后光敏劑引發交聯劑與樹脂形成不溶性網狀結構。
5. 顯影（Development）
? 顯影液：
? 正性膠：堿性水溶液（如0.26N四甲基氫氧化銨TMAH），溶解曝光區域；
? 負性膠：有機溶劑（如二甲苯、醋酸丁酯），溶解未曝光區域。
? 方法：噴淋顯影（PCB）或沉浸式顯影（半導體），時間30秒-2分鐘，需控制顯影液濃度和溫度。
6. 后烘（Post-Bake）
? 目的：固化膠膜，提升耐蝕刻性和熱穩定性。
? 條件：
? 溫度：100-150℃（半導體用正性膠可能更高，如180℃）；
? 時間：15-60分鐘（厚膠或高耐蝕需求時延長）。
7. 蝕刻/離子注入（后續工藝）
? 蝕刻：以膠膜為掩膜，通過濕法（酸堿溶液）或干法（等離子體）刻蝕基板材料（如硅、金屬、玻璃）；
? 離子注入：膠膜保護未曝光區域，使雜質離子只能注入曝光區域（半導體摻雜工藝）。
8. 去膠（Strip）
? 方法：
? 濕法去膠：強氧化劑（如硫酸+雙氧水）或有機溶劑（如N-甲基吡咯烷酮NMP）；
? 干法去膠：氧等離子體灰化（半導體領域，無殘留）。
依托自主研發與國產供應鏈，吉田半導體 LCD 光刻膠市占率達 15%，躋身國內前段企業。吉田半導體 YK-200 LCD 正性光刻膠采用國產樹脂與單體，實現 100% 國產化替代。其分辨率 0.35μm，附著力 > 3N/cm，性能優于 JSR 的 AR-P310 系列。通過與國內多家大型企業的深度合作，產品覆蓋智能手機、電視等顯示終端，年供貨量超 200 噸。公司建立國產原材料溯源體系，確保每批次產品穩定性，推動 LCD 面板材料國產化進程。
松山湖半導體材料廠家吉田，全系列產品支持小批量試產！
厚板光刻膠
- 電路板制造：在制作對線路精度和抗蝕刻性能要求高的電路板時，厚板光刻膠可確保線路的精細度和穩定性，比如汽車電子、工業控制等領域的電路板，能承受復雜環境和大電流、高電壓等工況。
- 功率器件制造：像絕緣柵雙極晶體管（IGBT）這類功率器件，需要承受高電壓和大電流，厚板光刻膠可用于其芯片制造過程中的光刻環節，保障芯片內部電路的精細布局，提高器件的性能和可靠性。
負性光刻膠
- 半導體制造：在芯片制造過程中，用于制作一些對精度要求高、圖形面積較大的結構，如芯片的金屬互連層、接觸孔等。通過負性光刻膠的曝光和顯影工藝，能實現精確的圖形轉移，確保芯片各部分之間的電氣連接正常。
- 平板顯示制造：在液晶顯示器（LCD）和有機發光二極管顯示器（OLED）的制造中，用于制作電極、像素等大面積圖案。以 LCD 為例，負性光刻膠可幫助形成液晶層與玻璃基板之間的電極圖案，控制液晶分子的排列，從而實現圖像顯示。
吉田半導體全流程解決方案，賦能客戶提升生產效率。江西進口光刻膠廠家
吉田半導體光刻膠，45nm 制程驗證，國產替代方案！東莞負性光刻膠生產廠家
原料準備
? 主要成分：樹脂（成膜劑，如酚醛樹脂、聚酰亞胺等）、感光劑（光引發劑或光敏化合物，如重氮萘醌、光刻膠單體）、溶劑（溶解成分，如丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA））、添加劑（調節粘度、感光度、穩定性等，如表面活性劑、穩定劑）。
? 原料提純：對樹脂、感光劑等進行高純度精制（純度通常要求99.9%以上），避免雜質影響光刻精度。
配料與混合
? 按配方比例精確稱量各組分，在潔凈環境，如萬中通過攪拌機均勻混合，形成膠狀溶液。
? 控制溫度（通常20-30℃）和攪拌速度，避免氣泡產生或成分分解。
過濾與純化
? 使用納米級濾膜（孔徑0.05-0.2μm）過濾，去除顆粒雜質（如金屬離子、灰塵），確保膠液潔凈度，避免光刻時產生缺陷。
性能檢測
? 物理指標：粘度、固含量、表面張力、分子量分布等，影響涂布均勻性。
? 化學指標：感光度、分辨率、對比度、耐蝕刻性，通過曝光實驗和顯影測試驗證。
? 可靠性：存儲穩定性（常溫/低溫保存下的性能變化）、耐溫性（烘烤過程中的抗降解能力）。
包裝與儲存
? 在惰性氣體（如氮氣）環境下分裝至避光容器（如棕色玻璃瓶或鋁罐），防止感光劑氧化或光分解。
? 儲存條件：低溫（5-10℃）、避光、干燥，部分產品需零下環境（如EUV光刻膠）。
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