作為深耕半導體材料領域二十余年的綜合性企業,廣東吉田半導體材料有限公司始終將技術創新與產品質量視為重要發展動力。公司位于東莞松山湖產業集群,依托區域產業鏈優勢,持續為全球客戶提供多元化的半導體材料解決方案。
公司產品涵蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD 光刻膠、半導體錫膏、焊片及靶材等,原材料均嚴格選用美國、德國、日本等國的質量進口材料。通過全自動化生產設備與精細化工藝控制,確保每批次產品的穩定性與一致性。例如,納米壓印光刻膠采用特殊配方,可耐受 250℃高溫及復雜化學環境,適用于高精度納米結構制造;LCD 光刻膠以高分辨率和穩定性,成為顯示面板行業的推薦材料。
光刻膠新興及擴展應用。浙江厚膜光刻膠價格
關鍵應用領域
半導體制造:
? 在晶圓表面涂覆光刻膠,通過掩膜曝光、顯影,刻蝕出晶體管、電路等納米級結構(如EUV光刻膠用于7nm以下制程)。
印刷電路板(PCB):
? 保護電路圖形或作為蝕刻抗蝕層,制作線路和焊盤。
顯示面板(LCD/OLED):
? 用于制備彩色濾光片、電極圖案等。
微機電系統(MEMS):
? 加工微結構(如傳感器、執行器)。
工作原理(以正性膠為例)
1. 涂膠:在基材(如硅片)表面均勻旋涂光刻膠,烘干形成薄膜。
2. 曝光:通過掩膜版,用特定波長光線照射,曝光區域的光敏劑分解,使樹脂變得易溶于顯影液。
3. 顯影:用顯影液溶解曝光區域,留下未曝光的光刻膠圖案,作為后續刻蝕或離子注入的掩蔽層。
4. 后續工藝:刻蝕基材(保留未被光刻膠保護的區域),或去除光刻膠(剝離工藝)。
無錫激光光刻膠品牌半導體芯片制造,用于精細電路圖案光刻,決定芯片性能與集成度。
吉田半導體 YK-300 正性光刻膠:半導體芯片制造的材料
YK-300 正性光刻膠以高分辨率與耐蝕刻性,成為 45nm 及以上制程的理想選擇。
YK-300 正性光刻膠分辨率達 0.35μm,線寬粗糙度(LWR)≤3nm,適用于半導體芯片前道工藝。其耐溶劑性與絕緣阻抗性能突出,在顯影與蝕刻過程中保持圖形穩定性。產品已通過中芯國際量產驗證,良率達 98% 以上,生產過程執行 ISO9001 標準,幫助客戶降低封裝成本 20% 以上。支持小批量試產與定制化需求,為國產芯片制造提供穩定材料支撐。
? 正性光刻膠
? YK-300:適用于半導體制造,具備高分辨率(線寬≤10μm)、耐高溫(250℃)、耐酸堿腐蝕特性,主要用于28nm及以上制程的晶圓制造,適配UV光源(365nm/405nm)。
? 技術優勢:采用進口樹脂及光引發劑,絕緣阻抗高(>10^14Ω),滿足半導體器件對絕緣性的嚴苛要求。
? 負性光刻膠
? JT-1000:負性膠,主打優異抗深蝕刻性能,分辨率達3μm,適用于功率半導體、MEMS器件制造,可承受氫氟酸(HF)、磷酸(H3PO4)等強腐蝕液處理。
? SU-3:經濟型負性膠,性價比高,適用于分立器件及低端邏輯芯片,光源適應性廣(248nm-436nm),曝光靈敏度≤200mJ/cm2。
2. 顯示面板光刻膠
? LCD正性光刻膠YK-200:專為TFT-LCD制程設計,具備高涂布均勻性(膜厚誤差±1%)、良好的基板附著力,用于彩色濾光片(CF)和陣列基板(Array)制造,支持8.5代線以上大規模生產。
? 水性感光膠JT-1200:環保型產品,VOC含量<50g/L,符合歐盟RoHS標準,適用于柔性顯示基板,可制作20μm以下精細網點,主要供應京東方、TCL等面板廠商。
光刻膠是有什么東西?
晶圓制造(前道工藝)
? 功能:在硅片表面形成高精度電路圖形,是光刻工藝的主要材料。
? 細分場景:
? 邏輯/存儲芯片:用于28nm及以上成熟制程的KrF光刻膠(分辨率0.25-1μm)、14nm以下先進制程的ArF浸沒式光刻膠(分辨率≤45nm),以及極紫外(EUV)光刻膠(目標7nm以下,研發中)。
? 功率半導體(如IGBT):使用厚膜光刻膠(膜厚5-50μm),滿足深溝槽刻蝕需求。
? MEMS傳感器:通過高深寬比光刻膠(如SU-8)實現微米級結構(如加速度計、陀螺儀的懸臂梁)。
芯片封裝(后道工藝)
? 先進封裝技術:
? Flip Chip(倒裝芯片):用光刻膠形成凸點(Bump)下的 Redistribution Layer(RDL),線寬精度要求≤10μm。
? 2.5D/3D封裝:在硅通孔(TSV)工藝中,光刻膠用于定義通孔開口(直徑5-50μm)。
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吉田技術研發與生產能力。浙江厚膜光刻膠價格
吉田半導體的自研產品已深度融入國內半導體產業鏈:
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芯片制造:YK-300 光刻膠服務中芯國際、長江存儲,支持國產 14nm 芯片量產。
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顯示面板:YK-200 LCD 光刻膠市占率達 15%,成為京東方、華星光電戰略合作伙伴。
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新能源領域:無鹵無鉛焊片通過 UL 認證,批量應用于寧德時代儲能系統,年供貨量超 500 噸。
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研發投入:年研發費用占比超 15%,承擔國家 02 專項課題,獲 “國家技術發明二等獎”。
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產能規模:光刻膠年產能 5000 噸,納米壓印光刻膠占全球市場份額 15%。
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質量體系:通過 ISO9001、IATF 16949 等認證,生產過程執行 8S 管理,批次穩定性達 99.5%。
吉田半導體將繼續聚焦光刻膠研發,加速 EUV 光刻膠與木基材料技術突破,目標在 2027 年前實現 7nm 制程材料量產。同時,深化國產供應鏈協同,構建 “材料 - 設備 - 工藝” 一體化生態圈,為中國半導體產業自主化貢獻 “吉田力量”。
從突破國際壟斷到行業標準,吉田半導體以自研自產為引擎,走出了一條中國半導體材料企業的崛起之路。未來,公司將以更具競爭力的產品與技術,助力中國半導體產業邁向更高臺階。
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