東莞水油光刻膠工廠

來(lái)源：發(fā)布時(shí)間：2025-05-27

半導(dǎo)體集成電路

? 應(yīng)用場(chǎng)景：

? 晶圓制造：正性膠為主（如ArF/EUV膠），實(shí)現(xiàn)20nm以下線寬，用于晶體管柵極、接觸孔等精細(xì)結(jié)構(gòu)；

? 封裝工藝：負(fù)性膠用于凸點(diǎn)（Bump）制造，厚膠（5-50μm）耐電鍍?nèi)芤焊g。

? 關(guān)鍵要求：高分辨率、低缺陷率、耐極端工藝（如150℃以上高溫、等離子體轟擊）。

印刷電路板（PCB）

? 應(yīng)用場(chǎng)景：

? 線路成像：負(fù)性膠（如環(huán)化橡膠膠）用于雙面板/多層板外層線路，線寬≥50μm，耐堿性蝕刻液（如氯化銅）；

? 阻焊層：厚負(fù)性膠（50-100μm）覆蓋非焊盤區(qū)域，耐260℃焊接溫度和助焊劑腐蝕；

? 撓性PCB（FPC）：正性膠用于精細(xì)線路（線寬≤20μm），需耐彎曲應(yīng)力。

? 優(yōu)勢(shì)：工藝簡(jiǎn)單、成本低，適合大面積基板（如1.2m×1.0m的PCB基板）。

平板顯示

? 應(yīng)用場(chǎng)景：

? 彩色濾光片：正性膠制作黑矩陣（BM）和RGB色阻間隔層，耐UV固化和濕法蝕刻（如HF溶液）；

? OLED像素定義：負(fù)性膠形成像素開口（孔徑5-50μm），耐有機(jī)溶劑（如OLED蒸鍍前的清洗液）；

? 觸控面板：正性膠制作透明電極（如ITO線路），線寬≤10μm，需透光率＞90%。

? 關(guān)鍵參數(shù)：高透光性、低收縮率（避免圖案變形）。

正性光刻膠生產(chǎn)廠家。東莞水油光刻膠工廠

吉田半導(dǎo)體的自研產(chǎn)品已深度融入國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈：

芯片制造：YK-300 光刻膠服務(wù)中芯國(guó)際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)，支持國(guó)產(chǎn) 14nm 芯片量產(chǎn)。
顯示面板：YK-200 LCD 光刻膠市占率達(dá) 15%，成為京東方、華星光電戰(zhàn)略合作伙伴。
新能源領(lǐng)域：無(wú)鹵無(wú)鉛焊片通過(guò) UL 認(rèn)證，批量應(yīng)用于寧德時(shí)代儲(chǔ)能系統(tǒng)，年供貨量超 500 噸。

研發(fā)投入：年研發(fā)費(fèi)用占比超 15%，承擔(dān)國(guó)家 02 專項(xiàng)課題，獲 “國(guó)家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)”。
產(chǎn)能規(guī)模：光刻膠年產(chǎn)能 5000 噸，納米壓印光刻膠占全球市場(chǎng)份額 15%。
質(zhì)量體系：通過(guò) ISO9001、IATF 16949 等認(rèn)證，生產(chǎn)過(guò)程執(zhí)行 8S 管理，批次穩(wěn)定性達(dá) 99.5%。

吉田半導(dǎo)體將繼續(xù)聚焦光刻膠研發(fā)，加速 EUV 光刻膠與木基材料技術(shù)突破，目標(biāo)在 2027 年前實(shí)現(xiàn) 7nm 制程材料量產(chǎn)。同時(shí)，深化國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈協(xié)同，構(gòu)建 “材料 - 設(shè)備 - 工藝” 一體化生態(tài)圈，為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主化貢獻(xiàn) “吉田力量”。

從突破國(guó)際壟斷到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，吉田半導(dǎo)體以自研自產(chǎn)為引擎，走出了一條中國(guó)半導(dǎo)體材料企業(yè)的崛起之路。未來(lái)，公司將以更具競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品與技術(shù)，助力中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向更高臺(tái)階。

西安PCB光刻膠感光膠松山湖光刻膠廠家吉田，2000 萬(wàn)級(jí)產(chǎn)能，48 小時(shí)極速交付!

廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品，各有特性與優(yōu)勢(shì)，適用于不同領(lǐng)域。

LCD 正性光刻膠 YK - 200：具有較大曝光、高分辨率、良好涂布和附著力的特點(diǎn)，重量 100g。適用于液晶顯示領(lǐng)域的光刻工藝，能確保 LCD 生產(chǎn)過(guò)程中圖形的精確轉(zhuǎn)移和良好的涂布效果。

半導(dǎo)體正性光刻膠 YK - 300：具備耐熱耐酸、耐溶劑性、絕緣阻抗和緊密性，重量 100g。主要用于半導(dǎo)體制造工藝，滿足半導(dǎo)體器件對(duì)光刻膠在化學(xué)穩(wěn)定性和電氣性能方面的要求。

耐腐蝕負(fù)性光刻膠 JT - NF100：重量 1L，具有耐腐蝕的特性，適用于在有腐蝕風(fēng)險(xiǎn)的光刻工藝中，比如一些特殊環(huán)境下的半導(dǎo)體加工或電路板制造。

行業(yè)地位與競(jìng)爭(zhēng)格局

1. 國(guó)際對(duì)比

? 技術(shù)定位：聚焦細(xì)分市場(chǎng)（如納米壓印、LCD），而國(guó)際巨頭（如JSR、東京應(yīng)化）主導(dǎo)半導(dǎo)體光刻膠（ArF、EUV）。

? 成本優(yōu)勢(shì)：原材料自主化率超80%，成本低20%；國(guó)際巨頭依賴進(jìn)口原材料，成本較高。

? 客戶響應(yīng)：48小時(shí)內(nèi)提供定制化解決方案，認(rèn)證周期為國(guó)際巨頭的1/5。

2. 國(guó)內(nèi)競(jìng)爭(zhēng)

國(guó)內(nèi)光刻膠市場(chǎng)仍由日本企業(yè)壟斷（全球市占率超60%），但吉田在納米壓印、LCD光刻膠等領(lǐng)域具備替代進(jìn)口的潛力。與南大光電、晶瑞電材等企業(yè)相比，吉田在細(xì)分市場(chǎng)的技術(shù)積累更深厚，但ArF、EUV光刻膠仍需突破。

風(fēng)險(xiǎn)與挑戰(zhàn)

技術(shù)瓶頸：ArF、EUV光刻膠仍依賴進(jìn)口，研發(fā)投入不足國(guó)際巨頭的1/10。

客戶認(rèn)證周期：半導(dǎo)體光刻膠需2-3年驗(yàn)證，吉田尚未進(jìn)入主流晶圓廠供應(yīng)鏈。

供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)：部分樹脂（如ArF用含氟樹脂）依賴日本住友電木。

行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇：國(guó)內(nèi)企業(yè)如南大光電、晶瑞電材加速技術(shù)突破，可能擠壓吉田的市場(chǎng)份額。

政策支持：500億加碼產(chǎn)業(yè)鏈。

全品類覆蓋與定制化能力

吉田半導(dǎo)體的光刻膠產(chǎn)品覆蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠等全品類，適用于半導(dǎo)體、顯示面板、MEMS等多個(gè)領(lǐng)域。例如，其LCD正性光刻膠YK-200和水油光刻膠JT-2001可滿足0.45μm及以上線寬需求，支持客戶定制化工藝參數(shù)，尤其在柔性顯示（OLED）和Mini/Micro LED等新興領(lǐng)域表現(xiàn)突出。

技術(shù)亮點(diǎn)：通過(guò)自主研發(fā)的樹脂配方和光敏劑體系，實(shí)現(xiàn)了高分辨率（120nm）和高抗蝕性的平衡，部分指標(biāo)（如線寬粗糙度LWR<3nm）接近國(guó)際主流產(chǎn)品水平。

國(guó)產(chǎn)化材料與工藝適配

公司采用進(jìn)口原材料+本地化生產(chǎn)模式，關(guān)鍵樹脂單體、光敏劑等主要成分通過(guò)德國(guó)默克、日本信越等供應(yīng)商采購(gòu)，同時(shí)建立了超純提純工藝（雜質(zhì)含量<1ppm），確保產(chǎn)品穩(wěn)定性。此外，其光刻膠與國(guó)內(nèi)主流光刻機(jī)（如上海微電子SSA800）、勻膠顯影機(jī)（如盛美上海）的兼容性已通過(guò)驗(yàn)證，縮短客戶工藝調(diào)試周期。

吉田半導(dǎo)體產(chǎn)品矩陣。山西進(jìn)口光刻膠多少錢

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主要應(yīng)用場(chǎng)景

印刷電路板（PCB）：

? 通孔/線路加工：負(fù)性膠厚度可達(dá)20-50μm，耐堿性蝕刻液（如氯化鐵、堿性氯化銅），適合制作大尺寸線路（線寬/線距≥50μm），如雙面板、多層板的外層電路。

? 阻焊層：作為絕緣保護(hù)層，覆蓋非焊盤區(qū)域，需厚膠（50-100μm）和高耐焊接溫度（260℃以上），負(fù)性膠因工藝簡(jiǎn)單、成本低而廣泛應(yīng)用。

微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）：

? 深硅蝕刻（DRIE）：負(fù)性膠作為蝕刻掩膜，厚度可達(dá)100μm以上，耐SF?等強(qiáng)腐蝕性氣體，用于制作加速度計(jì)、陀螺儀的高深寬比結(jié)構(gòu)（深寬比＞20:1）。

? 模具制造：在硅或玻璃基板上制作微流控芯片的通道模具，利用負(fù)性膠的厚膠成型能力。

平板顯示（LCD）：

? 彩色濾光片（CF）基板預(yù)處理：在玻璃基板上制作絕緣層或緩沖層，耐濕法蝕刻（如HF溶液），確保后續(xù)RGB色阻層的精確涂布。

功率半導(dǎo)體與分立器件：

? IGBT、MOSFET的隔離區(qū)蝕刻：負(fù)性膠用于制作較寬的隔離溝槽（寬度＞10μm），耐高濃度酸堿蝕刻，降低工藝成本。

東莞水油光刻膠工廠

標(biāo)簽：光刻膠錫片

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東莞水油光刻膠工廠

吉田半導(dǎo)體的自研產(chǎn)品已深度融入國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈：

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