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上海紫外光刻膠報價

來源: 發(fā)布時間:2025-05-24

關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域

半導(dǎo)體制造:

? 在晶圓表面涂覆光刻膠,通過掩膜曝光、顯影,刻蝕出晶體管、電路等納米級結(jié)構(gòu)(如EUV光刻膠用于7nm以下制程)。

 印刷電路板(PCB):

? 保護電路圖形或作為蝕刻抗蝕層,制作線路和焊盤。

 顯示面板(LCD/OLED):

? 用于制備彩色濾光片、電極圖案等。

 微機電系統(tǒng)(MEMS):

? 加工微結(jié)構(gòu)(如傳感器、執(zhí)行器)。

工作原理(以正性膠為例)

1. 涂膠:在基材(如硅片)表面均勻旋涂光刻膠,烘干形成薄膜。

2. 曝光:通過掩膜版,用特定波長光線照射,曝光區(qū)域的光敏劑分解,使樹脂變得易溶于顯影液。

3. 顯影:用顯影液溶解曝光區(qū)域,留下未曝光的光刻膠圖案,作為后續(xù)刻蝕或離子注入的掩蔽層。

4. 后續(xù)工藝:刻蝕基材(保留未被光刻膠保護的區(qū)域),或去除光刻膠(剝離工藝)。
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應(yīng)用場景

 半導(dǎo)體集成電路(IC)制造:

? 邏輯芯片(CPU/GPU):在28nm以下制程中,正性DUV/EUV膠用于晶體管、互連布線的精細圖案化(如10nm節(jié)點線寬只有100nm)。

? 存儲芯片(DRAM/NAND):3D堆疊結(jié)構(gòu)中,正性膠用于層間接觸孔(Contact)和柵極(Gate)的高深寬比圖形(深寬比>10:1)。

 平板顯示(LCD/OLED):

? 彩色濾光片(CF):制作黑矩陣(BM)和彩色層(R/G/B),要求高透光率和邊緣銳利度(線寬5-10μm)。

? OLED電極:在柔性基板上形成微米級透明電極,需低應(yīng)力膠膜防止基板彎曲變形。

 印刷電路板(PCB):

? 高密度互連(HDI):用于細線路(線寬/線距≤50μm),如智能手機主板,相比負性膠,正性膠可實現(xiàn)更精細的線路邊緣。

 微納加工與科研:

? MEMS傳感器:制作微米級懸臂梁、齒輪等結(jié)構(gòu),需耐干法蝕刻的正性膠(如含硅樹脂膠)。

? 納米光刻:電子束光刻膠(正性為主)用于研發(fā)級納米圖案(分辨率<10nm)。
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納米制造與表面工程

? 納米結(jié)構(gòu)模板:作為納米壓印光刻(NIL)的母版制備材料,通過電子束光刻膠寫出高精度納米圖案(如50nm以下的柱陣列、孔陣列),用于批量復(fù)制微流控芯片或柔性顯示基板。

? 表面功能化:在基底表面構(gòu)建納米級粗糙度(如仿生荷葉超疏水表面)或化學圖案(引導(dǎo)細胞定向生長的納米溝槽),用于生物醫(yī)學或能源材料(如電池電極的納米陣列結(jié)構(gòu))。

量子技術(shù)與精密測量

? 超導(dǎo)量子比特:在鈮酸鋰或硅基底上,通過光刻膠定義納米級約瑟夫森結(jié)陣列,構(gòu)建量子電路。

? 納米傳感器:制備納米級懸臂梁(表面鍍光刻膠圖案化的金屬電極),用于探測單個分子的質(zhì)量或電荷變化(分辨率達亞納米級)。

納米電子器件制造

? 半導(dǎo)體芯片:在22nm以下制程中,EUV光刻膠(分辨率≤10nm)用于制備晶體管柵極、納米導(dǎo)線等關(guān)鍵結(jié)構(gòu),實現(xiàn)芯片集成度提升(如3nm制程的FinFET/GAA晶體管)。

? 二維材料器件:在石墨烯、二硫化鉬等二維材料表面,通過電子束光刻膠定義納米電極陣列,構(gòu)建單原子層晶體管或傳感器。

 納米光子學與超材料

? 光子晶體與波導(dǎo):利用光刻膠制備亞波長周期結(jié)構(gòu)(如光子晶體光纖、納米級波導(dǎo)彎頭),調(diào)控光的傳播路徑,用于集成光路或量子光學器件。

? 超材料設(shè)計:在金屬/介質(zhì)基底上刻蝕納米級“魚網(wǎng)狀”“蝴蝶結(jié)”等圖案(如太赫茲超材料),實現(xiàn)對電磁波的超常調(diào)控(吸收、偏振轉(zhuǎn)換)。
吉田半導(dǎo)體實現(xiàn)光刻膠技術(shù)突破,為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主化提供材料支撐。

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光刻膠系列

厚板光刻膠 JT - 3001,具備優(yōu)異分辨率、感光度和抗深蝕刻性能,符合歐盟 ROHS 標準,保質(zhì)期 1 年;

水油光刻膠 SR - 3308,容量 5L;SU - 3 負性光刻膠,分辨率優(yōu)異,對比度良好,曝光靈敏度高,光源適應(yīng),重量 100g;

液晶平板顯示器負性光刻膠 JT - 1000,有 1L 裝和 100g 裝兩種規(guī)格,分辨率高,準確性和穩(wěn)定性好;

JT - 2000 UV 納米壓印光刻膠,耐強酸強堿,耐高溫達 250°C,長期可靠性高,粘接強度高,重量 100g;

LCD 正性光刻膠 YK - 200,具有較大曝光、高分辨率、良好涂布和附著力,重量 100g;

半導(dǎo)體正性光刻膠 YK - 300,具備耐熱耐酸、耐溶劑性、絕緣阻抗和緊密性,重量 100g;

耐腐蝕負性光刻膠 JT - NF100,重量 1L。 半導(dǎo)體材料選吉田,歐盟認證,支持定制化解決方案!西安LCD光刻膠報價

聚焦封裝需求,吉田公司提供從光刻膠到配套材料的一姑式服務(wù)。上海紫外光刻膠報價

作為中國半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的企業(yè),吉田半導(dǎo)體材料有限公司始終以自研自產(chǎn)為戰(zhàn)略,通過 23 年技術(shù)沉淀與持續(xù)創(chuàng)新,成功突破多項 “卡脖子” 技術(shù),構(gòu)建起從原材料到成品的全鏈條國產(chǎn)化能力。其自主研發(fā)的光刻膠產(chǎn)品已覆蓋芯片制造、顯示面板、精密電子等領(lǐng)域,為國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主化提供關(guān)鍵支撐。
吉田半導(dǎo)體依托自主研發(fā)中心產(chǎn)學研合作,在光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)多項技術(shù)突破:
  • YK-300 正性光刻膠:分辨率達 0.35μm,線寬粗糙度(LWR)≤3nm,適用于 45nm 及以上制程,良率達 98% 以上,成本較進口產(chǎn)品降低 40%,已通過中芯國際量產(chǎn)驗證。
  • SU-3 負性光刻膠:支持 3μm 厚膜加工,抗深蝕刻速率 > 500nm/min,成功應(yīng)用于高通 5G 基帶芯片封裝,良率提升至 98.5%。
  • JT-2000 納米壓印光刻膠:突破 250℃耐高溫極限,圖形保真度 > 95%,性能對標德國 MicroResist 系列,已應(yīng)用于國產(chǎn) EUV 光刻機前道工藝。
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