惠州水油光刻膠
來源：
發布時間：2025-05-24
廣東吉田半導體材料有限公司以光刻膠為中心，逐步拓展至半導體全材料領域，形成了 “技術驅動、全產業鏈覆蓋” 的發展格局。公司產品不僅包括芯片與 LCD 光刻膠，還延伸至錫膏、焊片、靶材等配套材料，為客戶提供一站式采購服務。
- 產品遠銷全球 50 多個地區，客戶包括電子制造服務商（EMS）及半導體廠商。
- 獲評 “廣東省專精特新企業”“廣東省創新型中小企業”，并通過技術企業認證。
- 生產基地配備自動化設備，年產能超千噸，滿足大規模訂單需求。
以無鹵無鉛配方與低 VOC 工藝為，吉田半導體打造環保光刻膠，助力電子產業低碳轉型。面對全球環保趨勢，吉田半導體推出無鹵無鉛錫膏與焊片，通過歐盟 RoHS 認證，焊接可靠性提升 30%。其 LCD 光刻膠采用低 VOC 配方（<50g/L），符合歐盟 REACH 法規，生產過程中通過多級廢氣處理與水循環系統，實現零排放。公司嚴格執行 8S 現場管理，工業固廢循環利用率超 90%，為新能源汽車、光伏儲能等領域提供綠色材料解決方案，成為全球客戶信賴的環保材料供應商。武漢LED光刻膠工廠半導體材料方案選吉田，歐盟 REACH 合規，24 小時技術支持！
應用場景
半導體集成電路（IC）制造：
? 邏輯芯片（CPU/GPU）：在28nm以下制程中，正性DUV/EUV膠用于晶體管、互連布線的精細圖案化（如10nm節點線寬只有100nm）。
? 存儲芯片（DRAM/NAND）：3D堆疊結構中，正性膠用于層間接觸孔（Contact）和柵極（Gate）的高深寬比圖形（深寬比＞10:1）。
平板顯示（LCD/OLED）：
? 彩色濾光片（CF）：制作黑矩陣（BM）和彩色層（R/G/B），要求高透光率和邊緣銳利度（線寬5-10μm）。
? OLED電極：在柔性基板上形成微米級透明電極，需低應力膠膜防止基板彎曲變形。
印刷電路板（PCB）：
? 高密度互連（HDI）：用于細線路（線寬/線距≤50μm），如智能手機主板，相比負性膠，正性膠可實現更精細的線路邊緣。
微納加工與科研：
? MEMS傳感器：制作微米級懸臂梁、齒輪等結構，需耐干法蝕刻的正性膠（如含硅樹脂膠）。
? 納米光刻：電子束光刻膠（正性為主）用于研發級納米圖案（分辨率＜10nm）。
定義與特性
負性光刻膠是一種在曝光后，未曝光區域會溶解于顯影液的光敏材料，形成與掩膜版（Mask）圖案相反的圖形。與正性光刻膠相比，其主要特點是耐蝕刻性強、工藝簡單、成本低，但分辨率較低（通常≥1μm），主要應用于對精度要求相對較低、需要厚膠或高耐腐蝕性的場景。
化學組成與工作原理
主要成分
基體樹脂：
? 早期以聚異戊二烯橡膠（天然或合成）為主，目前常用環化橡膠（Cyclized Rubber）或聚乙烯醇肉桂酸酯，提供膠膜的機械強度和耐蝕刻性。
光敏劑：
? 主要為雙疊氮化合物（如雙疊氮芪）或重氮醌類衍生物，占比約5%-10%，吸收紫外光后引發交聯反應。
交聯劑：
? 如六亞甲基四胺（烏洛托品），在曝光后與樹脂發生交聯，形成不溶性網狀結構。
溶劑：
? 多為有機溶劑（如二甲苯、環己酮），溶解樹脂和光敏劑，涂布后揮發形成均勻膠膜。
工作原理
曝光前：光敏劑和交聯劑均勻分散在樹脂中，膠膜可溶于顯影液（有機溶劑）。
曝光時：
? 光敏劑吸收紫外光（G線436nm為主）后產生活性自由基，引發交聯劑與樹脂分子間的共價鍵交聯，使曝光區域形成不溶于顯影液的三維網狀結構。
顯影后：
? 未曝光區域的樹脂因未交聯，被顯影液溶解去除，曝光區域保留，形成負性圖案（與掩膜版相反）。
光刻膠新興及擴展應用。
晶圓制造（前道工藝）
? 功能：在硅片表面形成高精度電路圖形，是光刻工藝的主要材料。
? 細分場景：
? 邏輯/存儲芯片：用于28nm及以上成熟制程的KrF光刻膠（分辨率0.25-1μm）、14nm以下先進制程的ArF浸沒式光刻膠（分辨率≤45nm），以及極紫外（EUV）光刻膠（目標7nm以下，研發中）。
? 功率半導體（如IGBT）：使用厚膜光刻膠（膜厚5-50μm），滿足深溝槽刻蝕需求。
? MEMS傳感器：通過高深寬比光刻膠（如SU-8）實現微米級結構（如加速度計、陀螺儀的懸臂梁）。
芯片封裝（后道工藝）
? 先進封裝技術：
? Flip Chip（倒裝芯片）：用光刻膠形成凸點（Bump）下的 Redistribution Layer（RDL），線寬精度要求≤10μm。
? 2.5D/3D封裝：在硅通孔（TSV）工藝中，光刻膠用于定義通孔開口（直徑5-50μm）。
吉田半導體產品矩陣。惠州水油光刻膠
主要優勢：細分領域技術突破與產業鏈協同
技術積累與自主化能力
公司擁有23年光刻膠研發經驗，實現了從樹脂合成、光引發劑制備到配方優化的全流程自主化。例如，其納米壓印光刻膠通過自主開發的樹脂體系，分辨率達3μm，適用于MEMS傳感器、光學器件等領域，填補了國內空白。
技術壁壘：掌握光刻膠主要原材料（如樹脂、光酸）的合成技術，部分原材料純度達PPT級，金屬離子含量低于0.1ppb，良率超99%。
產品多元化與技術化布局
產品線覆蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠、半導體錫膏等，形成“光刻膠+配套材料”的完整體系。例如：
? LCD光刻膠：適配AMOLED、Micro LED等新型顯示技術，與京東方、TCL華星合作開發高分辨率產品，良率提升至98%。
? 半導體錫膏：供應華為、OPPO等企業，年采購量超200噸，用于5G手機主板封裝。
技術化延伸：計劃2025年啟動半導體用KrF光刻膠研發，目標進入中芯國際、長江存儲供應鏈。
質量控制與生產能力
通過ISO9001:2008質量體系認證，生產環境執行8S管理，原材料采用美、德、日進口高質量材料。擁有全自動化生產線，年產能達2000噸（光刻膠及配套材料），支持大規模訂單交付。
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