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合肥阻焊光刻膠感光膠

來源: 發布時間:2025-05-16

納米壓印光刻膠


  • 微納光學器件制造:制作衍射光學元件、微透鏡陣列等微納光學器件時,納米壓印光刻膠可實現高精度的微納結構復制。通過納米壓印技術,將模板上的微納圖案轉移到光刻膠上,再經過后續處理,可制造出具有特定光學性能的微納光學器件,應用于光通信、光學成像等領域。
  • 生物芯片制造:在 DNA 芯片、蛋白質芯片等生物芯片的制造中,需要在芯片表面構建高精度的微納結構,用于生物分子的固定和檢測。納米壓印光刻膠可幫助實現這些精細結構的制作,提高生物芯片的檢測靈敏度和準確性。

  • 吉田公司以無鹵無鉛配方與低 VOC 工藝打造環保光刻膠。合肥阻焊光刻膠感光膠

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    技術挑戰與發展趨勢

     更高分辨率需求:

    ? EUV光刻膠需解決“線邊緣粗糙度(LER)”問題(目標<5nm),通過納米顆粒分散技術或新型聚合物設計改善。

     缺陷控制:

    ? 半導體級正性膠要求金屬離子含量<1ppb,顆粒(>50nm)<1個/mL,需優化提純工藝(如多級過濾+真空蒸餾)。

     國產化突破:

    ? 國內企業(如上海新陽、南大光電、容大感光)已在KrF/ArF膠實現批量供貨,但EUV膠仍被日本JSR、美國陶氏、德國默克壟斷,需突破樹脂合成、PAG純度等瓶頸。

     環保與節能:

    ? 開發水基顯影正性膠(減少有機溶劑使用),或低烘烤溫度膠(降低半導體制造能耗)。

    典型產品示例

    ? 傳統正性膠:Shipley S1813(G/I線,用于PCB)、Tokyo Ohka TSM-305(LCD黑矩陣)。

    ? DUV正性膠:信越化學的ArF膠(用于14nm FinFET制程)、中芯國際認證的國產KrF膠(28nm節點)。

    ? EUV正性膠:JSR的NeXAR系列(7nm以下,全球市占率超70%)。

    正性光刻膠是推動半導體微縮的主要材料,其技術進步直接關聯芯片制程的突破,未來將持續向更高精度、更低缺陷、更綠色工藝演進。
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    廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產品,主要涵蓋厚板、負性、正性、納米壓印及光刻膠等類別,以滿足不同領域的需求。

    UV 納米壓印光刻膠:JT-2000 型號,耐強酸強堿,耐高溫達 250°C,長期可靠性高,粘接強度高,重量 100g。適用于需要在特殊化學和高溫環境下進行納米壓印光刻的工藝,如半導體器件制造。

    其他光刻膠

    • 水油光刻膠 JT-2001:屬于水油兩用光刻膠,具有工廠研發、可定制、使用、品質保障、性能穩定的特點,重量 1L。
    • 水油光刻膠 SR-3308:同樣為水油兩用光刻膠,重量 5L,具備上述通用優勢,應用場景。


    關鍵應用領域

    半導體制造:

    ? 在晶圓表面涂覆光刻膠,通過掩膜曝光、顯影,刻蝕出晶體管、電路等納米級結構(如EUV光刻膠用于7nm以下制程)。

     印刷電路板(PCB):

    ? 保護電路圖形或作為蝕刻抗蝕層,制作線路和焊盤。

     顯示面板(LCD/OLED):

    ? 用于制備彩色濾光片、電極圖案等。

     微機電系統(MEMS):

    ? 加工微結構(如傳感器、執行器)。

    工作原理(以正性膠為例)

    1. 涂膠:在基材(如硅片)表面均勻旋涂光刻膠,烘干形成薄膜。

    2. 曝光:通過掩膜版,用特定波長光線照射,曝光區域的光敏劑分解,使樹脂變得易溶于顯影液。

    3. 顯影:用顯影液溶解曝光區域,留下未曝光的光刻膠圖案,作為后續刻蝕或離子注入的掩蔽層。

    4. 后續工藝:刻蝕基材(保留未被光刻膠保護的區域),或去除光刻膠(剝離工藝)。
    吉田公司以無鹵無鉛配方與低 VOC 工藝打造光刻膠。

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    工藝流程

    ? 目的:去除基板表面油污、顆粒,增強感光膠附著力。

    ? 方法:

    ? 化學清洗(硫酸/雙氧水、去離子水);

    ? 表面處理(硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化,PCB基板用粗化處理)。

     涂布(Coating)

    ? 方式:

    ? 旋涂:半導體/顯示領域,厚度控制精確(納米至微米級),轉速500-5000rpm;

    ? 噴涂/輥涂:PCB/MEMS領域,適合大面積或厚膠(微米至百微米級,如負性膠可達100μm)。

    ? 關鍵參數:膠液黏度、涂布速度、基板溫度(影響厚度均勻性)。

     前烘(Soft Bake)

    ? 目的:揮發溶劑,固化膠膜,增強附著力和穩定性。

    ? 條件:

    ? 溫度:60-120℃(正性膠通常更低,如90℃;負性膠可至100℃以上);

    ? 時間:5-30分鐘(根據膠厚調整,厚膠需更長時間)。

     曝光(Exposure)

    ? 光源:

    ? 紫外光(UV):G線(436nm)、I線(365nm)用于傳統光刻(分辨率≥1μm);

    ? 深紫外(DUV):248nm(KrF)、193nm(ArF)用于半導體先進制程(分辨率至20nm);

    ? 極紫外(EUV):13.5nm,用于7nm以下制程(只能正性膠適用)。

    ? 曝光方式:

    ? 接觸式/接近式:掩膜版與膠膜直接接觸(PCB、MEMS,低成本但精度低);

    ? 投影式:通過物鏡聚焦(半導體,分辨率高,如ArF光刻機精度達22nm)。

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     綠色制造與循環經濟
    公司采用水性光刻膠技術,溶劑揮發量較傳統產品降低60%,符合歐盟REACH法規和國內環保標準。同時,其光刻膠廢液回收項目已投產,通過膜分離+精餾技術實現90%溶劑循環利用,年減排VOCs(揮發性有機物)超100噸。

     低碳供應鏈管理
    吉田半導體與上游供應商合作開發生物基樹脂,部分產品采用可再生原料(如植物基丙烯酸酯),碳排放強度較傳統工藝降低30%。這一舉措使其在光伏電池和新能源汽車領域獲得客戶青睞,相關訂單占比從2022年的15%提升至2023年的25%。
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