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來源: 發布時間:2025-04-24

吉田半導體獲評 "專精特新" 企業,行業技術標準,以技術創新與標準化生產為,吉田半導體榮獲 "廣東省專精特新企業" 稱號,樹立行業。
憑借在光刻膠領域的表現,吉田半導體獲評 "廣東省專精特新企業"" ",承擔多項國家 02 專項課題。公司主導制定《半導體光刻膠用樹脂技術規范》等行業標準,推動國產材料標準化進程。未來,吉田半導體將繼續以" 中國半導體材料方案提供商 "為愿景,深化技術研發與市場拓展,為全球半導體產業發展貢獻" 中國力量 "。政策支持:500億加碼產業鏈。云南網版光刻膠感光膠

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技術突破與產業重構的臨界點

光刻膠技術的加速突破正在推動芯片制造行業進入“材料定義制程”的新階段。中國在政策支持和資本推動下,已在KrF/ArF領域實現局部突破,但EUV等領域仍需5-10年才能實現替代。未來3-5年,EUV光刻膠研發、原材料國產化及客戶認證進度將成為影響產業格局的主要變量。國際競爭將從單純的技術比拼轉向“專利布局+供應鏈韌性+生態協同”的綜合較量,而中國能否在這場變革中占據先機,取決于對“卡脖子”環節的持續攻關和產業鏈的深度整合。
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 先進制程瓶頸突破
KrF/ArF光刻膠的量產能力提升直接推動7nm及以下制程的國產化進程。例如,恒坤新材的KrF光刻膠已批量供應12英寸產線,覆蓋7nm工藝,其工藝寬容度較日本同類型產品提升30%。這使得國內晶圓廠(如中芯國際)在DUV多重曝光技術下,能夠以更低成本實現接近EUV的制程效果,緩解了EUV光刻機禁運的壓力。此外,武漢太紫微的T150A光刻膠通過120nm分辨率驗證,為28nm成熟制程的成本優化提供了新方案。

 EUV光刻膠研發加速
盡管EUV光刻膠目前完全依賴進口,但國內企業已啟動關鍵技術攻關。久日新材的光致產酸劑實現噸級訂單,科技部“十四五”專項計劃投入20億元支持EUV光刻膠研發。華中科技大學團隊開發的“雙非離子型光酸協同增強響應”技術,將EUV光刻膠的靈敏度提升至0.5mJ/cm2,較傳統材料降低20倍曝光劑量。這些突破為未來3nm以下制程的技術儲備奠定基礎。

 新型光刻技術融合
復旦大學團隊開發的功能型光刻膠,在全畫幅尺寸芯片上集成2700萬個有機晶體管,實現特大規模集成(ULSI)水平。這種技術突破不僅拓展了光刻膠在柔性電子、可穿戴設備等新興領域的應用,還為碳基芯片、量子計算等顛覆性技術提供了材料支撐。

  1. 產品特點:耐溶劑型優良,抗潮耐水性好,耐印率高;固含量高,流平性好,涂布性能優良;經特殊乳化聚合技術處理,網版平滑、無白點、無沙眼、亮度高;剝膜性好,網版可再生使用;解像性、高架橋性好,易做精細網點和線條;感光度高,曝光時間短,曝光寬容度大,節省網版作業時間,提高工作效率 。
  2. 應用范圍:適用于塑料、皮革、標牌、印刷電路板(PCB)、廣告宣傳、玻璃、陶瓷、紡織品等產品的印刷。例如在塑料表面形成牢固圖案,滿足皮革制品精細印刷需求,制作各類標牌保證圖案清晰,用于 PCB 制造滿足高精度要求等。
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吉田半導體 YK-300 正性光刻膠:半導體芯片制造的材料

YK-300 正性光刻膠以高分辨率與耐蝕刻性,成為 45nm 及以上制程的理想選擇。
YK-300 正性光刻膠分辨率達 0.35μm,線寬粗糙度(LWR)≤3nm,適用于半導體芯片前道工藝。其耐溶劑性與絕緣阻抗性能突出,在顯影與蝕刻過程中保持圖形穩定性。產品已通過中芯國際量產驗證,良率達 98% 以上,生產過程執行 ISO9001 標準,幫助客戶降低封裝成本 20% 以上。支持小批量試產與定制化需求,為國產芯片制造提供穩定材料支撐。
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主要原材料“卡脖子”:從樹脂到光酸的依賴

 樹脂與光酸的技術斷層
光刻膠成本中50%-60%來自樹脂,而國內KrF/ArF光刻膠樹脂的單體國產化率不足10%。例如,日本信越化學的KrF樹脂純度達99.999%,金屬雜質含量低于1ppb,而國內企業的同類產品仍存在批次穩定性問題。光酸作為光刻膠的“心臟”,其合成需要超純試劑和復雜純化工藝,國內企業在純度控制(如金屬離子含量)上與日本關東化學等國際巨頭存在代差。

 原材料供應鏈的脆弱性
光刻膠所需的酚醛樹脂、環烯烴共聚物(COC)等關鍵原料幾乎全部依賴進口。日本信越化學因地震導致KrF光刻膠產能受限后,國內部分晶圓廠采購量從100kg/期驟降至10-20kg/期。更嚴峻的是,光敏劑原料焦性沒食子酸雖由中國提取,但需出口至日本加工成光刻膠光敏劑后再高價返銷,形成“原料出口-技術溢價-高價進口”的惡性循環。
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