二極管串聯(lián)的情況。顯然在理想條件下,有幾只管子串聯(lián),每只管子承受的反向電壓就應(yīng)等于總電壓的幾分之一。但因?yàn)槊恐欢O管的反向電阻不盡相同,會(huì)造成電壓分配不均:內(nèi)阻大的二極管,有可能由于電壓過(guò)高而被擊穿,并由此引起連鎖反應(yīng),逐個(gè)把二極管擊穿。在二極管上并聯(lián)的電阻R,可以使電壓分配均勻。均壓電阻要取阻值比二極管反向電阻值小的電阻器,各個(gè)電阻器的阻值要相等。ESD二極管和TVS二極管都是電路保護(hù)器件，工作原理是一樣的，但功率和封裝是不一樣的，ESD二極管主要是用來(lái)防靜電，防靜電就要求電容值低，一般是1-3.5PF之間為較好；而TVS二極管就做不到這一點(diǎn)，TVS二極管的電容值比較高。靜電放電二極管常用的是3個(gè)引腳的，ESD二極管的正負(fù)接在電源引腳，公共端接在被保護(hù)引腳上起到釋放靜電的作用。二極管的整流作用可將交流轉(zhuǎn)化為直流。廣州led發(fā)光二極管檢查方法

對(duì)單顆LED 的驅(qū)動(dòng)，此電路通過(guò)單片機(jī)I/O 口直接驅(qū)動(dòng)LED。當(dāng)I/O 口輸出高電平時(shí)，LED 兩端等電位，無(wú)電流，LED 熄滅；當(dāng)I/O 口輸出低電平時(shí)，電流從電源經(jīng)R1、LED1、I/O 口流進(jìn)單片機(jī)，LED 亮。LED 的亮度與流經(jīng)它的電流大小成正比，而電流大小由R1 阻值決定。此驅(qū)動(dòng)方式可稱(chēng)為灌電流驅(qū)動(dòng)。此電路通過(guò)單片機(jī)I/O 口直接驅(qū)動(dòng)LED。當(dāng)I/O 口輸出低電平時(shí)，LED 兩端等電位，無(wú)電流，LED 熄滅；當(dāng)I/O 口輸出高電平時(shí)，電流從單片機(jī)I/O 經(jīng)R2、LED2 流到地，LED 亮。LED 的亮度與流經(jīng)它的電流大小成正比，而電流大小由R2 阻值決定。此驅(qū)動(dòng)方式可稱(chēng)為拉電流驅(qū)動(dòng)。led發(fā)光二極管制造商二極管采用PN結(jié)構(gòu)，正向偏置時(shí)電子和空穴結(jié)合，反向偏置時(shí)形成勢(shì)壘，導(dǎo)致電流很小。

整個(gè)真空管時(shí)代，這種二極管應(yīng)用于模擬信號(hào)，并在消費(fèi)電子產(chǎn)品（如收音機(jī)、電視機(jī)、音響系統(tǒng)）的直流供電設(shè)備中當(dāng)做整流器。20世紀(jì)40年代，在那些供電設(shè)備內(nèi)的真空管開(kāi)始被硒整流器所替代，然后在1960年代又被半導(dǎo)體二極管替代。如今，二極管仍然在一些高功率應(yīng)用場(chǎng)合中使用，由于能夠承受瞬變和較好的魯棒性，使得他們比半導(dǎo)體器件的優(yōu)勢(shì)能夠顯現(xiàn)出來(lái)。尤其是音頻處理上，真空管基本不存在瞬態(tài)互調(diào)失真、開(kāi)關(guān)失真及交越失真等影響音質(zhì)的問(wèn)題。

印度人賈格迪什·錢(qián)德拉·博斯在1894年成為了頭一個(gè)使用晶體檢測(cè)無(wú)線電波的科學(xué)家。他也在厘米和毫米級(jí)別對(duì)微波進(jìn)行了研究 [10] [11] 。1903年，格林里夫·惠特勒·皮卡德（ Greenleaf Whittier Pickard ）發(fā)明了硅晶檢波器，并在1906年11月20日注冊(cè)了專(zhuān)業(yè)技術(shù) 。也正是因?yàn)楦窳掷锓?，使得晶體檢波器發(fā)展成了可實(shí)用于無(wú)線電報(bào)的裝置。其他實(shí)驗(yàn)者嘗試了多種其他物質(zhì)，其中較普遍使用的是礦物方鉛礦（硫化鉛），因它價(jià)格便宜且容易獲取。在這些早期的晶體收音機(jī)集的晶體檢波器包括一個(gè)可調(diào)節(jié)導(dǎo)線的點(diǎn)接觸設(shè)備（即所謂的“貓須”）。二極管還可用于電子系統(tǒng)中的保護(hù)電路，防止過(guò)電壓損壞其他元件。

二極管概述，二極管，（英語(yǔ)：Diode），電子元件當(dāng)中，一種具有兩個(gè)電極的裝置，只允許電流由單一方向流過(guò)，許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。晶體二極管的主要是PN結(jié)，關(guān)于PN結(jié)首先要了解三個(gè)概念。本征半導(dǎo)體：指不含任何摻雜元素的半導(dǎo)體，如純硅晶片或純鍺晶片。P型半導(dǎo)體：摻雜了產(chǎn)生空穴的含較低電價(jià)雜質(zhì)的半導(dǎo)體，如在本征半導(dǎo)體中Si(4+)中摻入Al(3+)的半導(dǎo)體。N型半導(dǎo)體：摻雜了產(chǎn)生空穴的含較低電價(jià)雜質(zhì)的半導(dǎo)體，如在本征半導(dǎo)體中硅Si(4+)中摻入磷P(5+)的半導(dǎo)體。由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體相接觸時(shí)，就產(chǎn)生一個(gè)獨(dú)特的PN結(jié)界面，在界面的兩側(cè)形成空間電荷層，構(gòu)成自建電場(chǎng)。齊納二極管是一種高頻器件，具有低阻抗、低電壓下的快速響應(yīng)。廣州led發(fā)光二極管檢查方法

在設(shè)計(jì)電路時(shí)，應(yīng)充分考慮二極管的溫度特性和工作條件，以確保其正常工作。廣州led發(fā)光二極管檢查方法

晶體二極管為一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，由于p-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。 當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無(wú)關(guān)的反向飽和電流I0。廣州led發(fā)光二極管檢查方法