雪崩二極管，雪崩二極管的英文名稱為Avalanche diode，它是利用半導體結構中載流子的碰撞電離和渡越時間兩種物理效應而產生負阻的固體微波器件。當反向電壓增大到一定數值時，PN結被反向擊穿，載流子倍增就像雪崩一樣，反向電流突然快速增加。雪崩二極管用于在特定反向偏置電壓下經歷雪崩擊穿，從而阻止電流集中到某一點，通常做為安全閥使用，用于控制系統壓力和保護電路系統。雪崩二極管通常在高壓電路中使用，對安裝的空間要求不高，因此多數是插針的封裝形式，原理圖、PCB封裝和普通二極管相同。部分特殊用途的二極管，如肖特基二極管，具有低壓降和快速恢復的特點。半導體二極管供應

由于點接觸型二極管金屬絲很細，形成的PN結面積很小，所以極間電容很小，同時，也不能承受高的反向電壓和大的電流。這種類型的管子適于做高頻檢波和脈沖數字電路里的開關元件，也可用來作小電流整流。如2APl是點接觸型鍺二極管，較大整流電流為16mA，較高工作頻率為150MHz。面接觸型二極管，面接觸二極管是利用擴散、多用合金及外延等摻雜方法，實現P型半導體和N型半導體直接接觸而形成PN結的。面接觸二極管PN結的接觸面積大，可以通過較大的電流，適用于大電流整流電路或在脈沖數字電路中作開關管。因其結電容相對較大，故只能在較低的頻率下工作，在集成電路中可作電容用。如2CPl為面接觸型硅二極管，較大整流電流為40OmA，較高工作頻率只有3kHz。整流二極管作用二極管的反向電壓應小于其擊穿電壓，以防止擊穿現象的發生。

二極管反向區也分兩個區域：當VBR＜V＜0時，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時的反向電流也稱反向飽和電流IS。當V≥VBR時，反向電流急劇增加，VBR稱為反向擊穿電壓。在反向區，硅二極管和鍺二極管的特性有所不同。硅二極管的反向擊穿特性比較硬、比較陡，反向飽和電流也很小；鍺二極管的反向擊穿特性比較軟，過渡比較圓滑，反向飽和電流較大。從擊穿的機理上看，硅二極管若|VBR|≥7 V時，主要是雪崩擊穿；若VBR≤4 V則主要是齊納擊穿，當在4 V～7 V之間兩種擊穿都有，有可能獲得零溫度系數點。

PIN二極管，PIN二極管英文名稱為Pin diode，是一種在光通信中普遍使用的光電二極管。它是在P區和N區之間夾一層本征半導體（或低濃度雜質的半導體）構造出來的一種晶體二極管。PIN中的I是"本征"意義的英文略語。當其工作頻率超過100MHz時，由于少數載流子的存貯效應和"本征"層中的渡越時間效應，其二極管失去整流作用而變成阻抗元件，并且，其阻抗值隨偏置電壓而改變。在零偏置或直流反向偏置時，"本征"區的阻抗很高；在直流正向偏置時，由于載流子注入"本征"區，而使"本征"區呈現出低阻抗狀態。因此，可以把PIN二極管作為可變阻抗元件使用。它常被應用于高頻開關（即微波開關）、移相、調制、限幅等電路中。硅二極管和砷化鎵二極管是常見類型。

二極管的正向特性，當外加正向電壓時，隨著電壓U的逐漸增加，電流I也增加。但在開始的一段，由于外加電壓很低。外電場不能克服PN結的內電場，半導體中的多數載流子不能順利通過阻擋層，所以這時的正向電流極小（該段所對應的電壓稱為死區電壓，硅管的死區電壓約為0～0.5伏，鍺管的死區電壓約為0～0.2伏）。當外加電壓超過死區電壓以后，外電場強于PN結的內電場，多數載流子大量通過阻擋層，使正向電流隨電壓很快增長。即：當V＞0，二極管處于正向特性區域。正向區又分為兩段：當0＜V＜Vth時，正向電流為零，Vth稱為死區電壓或開啟電壓。當V＞Vth時，開始出現正向電流，并按指數規律增長。二極管作為電子元器件的重要一員，其發展和應用推動了電子技術的進步。半導體二極管供應

二極管可用于電池充電和放電保護，防止過充和過放。半導體二極管供應

發光二極管，施加正向偏置，可以發光的二極管。由發光種類與特性又有紅外線二極管、各種顏色的可見光二極管、紫外線二極管等。激光二極管，當LED產生的光是帶寬極窄的同調光（Coherent Light）時，則稱為激光二極管。光電二極管，光線射入PN結，P區空穴、N區電子大量發生，產生電壓（光電效應）。借由測量此電壓或電流，可作為光感應器使用。有PN、PIN、肖特基、APD等類型。太陽電池也是利用此種效應。隧道二極管（Tunnel Diode）、江崎二極管（Esaki Diode）、透納二極管，由日本人江崎玲于奈于1957年發明。是利用量子穿隧效應的作用，會出現在一定偏置范圍內正向電壓增加時流通的電流量反而減少的“負電阻”的現象。這是較能耐受核輻射的半導體二極管。半導體二極管供應