基于以上對移相全橋原理上的分析，本章就主電路的前端整流濾波電路、移相全橋逆變環節、輸出端整流電路和濾波電路進行參數設計。在進行所有參數計算前，我們對從電網所取的電以及初步整流后的電能參數進行計算，為后續計算做準備。一般可以采用下述經驗算法：輸入電網交流電時，若采用單相整流，整流濾波后的直流電壓的脈動值VPP是比較低輸入交流電峰值的20%~25%，這里取值VPP=20%Vin。我們提供給后續變換電路的電源是從電網中取電，如此就涉及到輸入整流環節。整流電路是直接購置整流橋，進行兩相整流。參數計算即是前端儲能濾波電容的參數設計。在這兩個板之間保留著一個非導體。南京化成分容電壓傳感器詢問報價

第二階段的仿真是在***次仿真的基礎上，加入了高頻變壓器以及負載部分。第二階段仿真時針對整個電路的仿真，主要目的是對控制方案給以理論研究。閉環反饋控制中采用典型的PID控制模式，仿真過程通過對PID參數的調試加深對控制方案的理解，以便在后續主電路調試過程中能更有目的性的調試參數。主要針對輸出濾波電路的參數、PID閉環參數的設置以及移相控制電路的設計進行研究。仿真電路中輸出電壓設定值為60V，采樣值和設定值作差，偏差量經過PID環節反饋至移相控制電路。移相電路基于DQ觸發器，同一橋臂上PWM驅動脈波設置了死區時間，兩個DQ觸發器輸出四路PWM波分別驅動橋臂上四個開關管。杭州磁通門電壓傳感器廠家將電流限值在毫安級，此電流經過多匝繞組之后。

輸出濾波電容 C 和輸出電壓中的交流分量關系很大。由于 C 和負載并聯，再加 上容抗的頻率特性， 頻率較高的電流成分主要通過 C，負載中流過的很少。C 兩端的 電壓Vc 除直流分量Vo 外,還有交流分量，與輸出電壓紋波大小對應。為了減小紋波， 加大 C 是有好處的，但過分加大沒有必要。Lf是輸出濾波電感量，fs是開關頻率，Vpp是輸入直流電壓比較大，脈動值，Vo(min)是輸出電壓最小值，Vin(max)是輸入電壓最小值，K是高頻變壓器變比，VL是輸出濾波電感紋波壓降，VD是輸出整流二極管的通態管壓降。代入各個參數值計算可得cf=9.4UF。

基于移相全橋的工作原理，變壓器副邊占空比的丟失是其固有的特性。副邊占空比丟失是指變壓器副邊的占空比比原邊的占空比小。不同于其他全橋的橋臂開關管的導通過程，移相全橋的對稱橋臂上的開關管導通和關斷過程始終是不同步的，并且在實際的調整輸出的大小就是通過調整不同步的程度。只要存在不同步，則變壓器副邊輸出電壓就會在不同步的時段內變為零，從占空比的角度來說是變壓器副邊占空比的丟失，并且原邊不同步的程度直接影響變壓器副邊占空比的丟失程度。它可以測量交流電平和/或直流電壓電平。

對于前端儲能電容還需要考慮的參數是其耐壓值，直流母線上電壓峰值為373v，留一定裕量，可以選擇耐壓值為500v的電解電容作為儲能電容。在電力電子變換和控制電路中，都是以各種電力半導體器件為基礎的。我們在設計電路時，也有很多可供選擇的電力半導體器件，BJT、MOSFET、GTO、GTR、IGBT等。但是每種元件都有其自身特點以及**適合應用場合。例如MOSFET開關頻率高，動態響應速度快，但其電流容量相對小，耐壓能力低，適用于低功率、高頻的場合[13][14]。門級可關斷晶閘管具有自關斷能力、電流容量大、耐壓能力好，適用于大功率逆變場合。IGBT的性能相對來說是介于兩者之間，有較高的工作頻率（20K以上），有較大的電流容量和較好的耐壓能力。在本實驗中，裝置的功率在10kW以下，頻率在20K以下可以滿足要求，故而綜合考慮選用全控、壓控型器件IGBT作為開關管。當交流電壓通過這些極板時，由于電子通過對面極板電壓的吸引或排斥作用，電流將開始通過。武漢大量程電壓傳感器設計標準

其他的可以產生幅度調制、脈沖寬度調制或頻率調制輸出。南京化成分容電壓傳感器詢問報價

磁現象是物理界中**為基本的現象之一，人們發現，在磁場中，原子、分子的電子態能量和磁矩都發生了變化，于是在科學研究中，很多的實驗都將磁場環境作為實驗的研究背景，磁場也成為了許多科學研究的基本工具。在以強磁場為實驗環境的研究領域，人們已經取得了眾多重大的科研成果，強磁場在現代科學研究中占有越來越重要的位置。作為一種極端的科學研究條件，強磁場在高溫超導體、材料學、原子分子研究、化學以及生命科學等領域的研究都提供了極端的研究環境。除了科學研究領域，強磁場在工業工程領域也發揮著重要作用。因此對強磁場的研究無論是對于我們探索自然奧秘，還是促進人類文明進步都有極其重要的意義。南京化成分容電壓傳感器詢問報價