南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司具備光電芯片測試的實力和經驗，能夠提供光電集成芯片在片耦合測試、集成微波光子芯片測試等專業服務。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司擁有先進的測試設備和設施，能夠高效準確地完成各種測試任務。公司的研發團隊不斷追求技術進步，以提高測試的精度和效率。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司致力于為客戶提供高質量的測試服務，為光電芯片領域的創新發展提供有力支持。芯谷高頻研究院的高功率密度熱源產品，可為客戶定制化開發各種熱源微結構及功率密度。遼寧化合物半導體芯片加工

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司提供InGaAs太赫茲零偏SBD技術開發服務，該芯片具備低勢壘高度與高截止頻率的特點，支持零偏壓毫米波、太赫茲混頻、檢波電路的應用。這有助于降低電路噪聲、提高電路動態范圍，并簡化系統架構。在太赫茲安檢和探測等應用場景中，零偏太赫茲檢波模塊扮演著至關重要的角色。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司致力于為客戶提供專業的技術解決方案，涵蓋整個技術開發周期，包括需求分析、方案設計以及器件制造等各個環節。浙江光電芯片定制開發芯谷高頻研究院在背面工藝方面，擁有鍵合機、拋光臺、磨片機等，可以進行晶片的減薄、拋光以及劃片工藝。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司致力于為客戶提供太赫茲放大器系列芯片技術開發服務。公司自主研發的太赫茲半導體固態器件及單片集成電路，頻率覆蓋范圍包括140GHz、220GHz、300GHz和340GHz等。公司的產品齊全，涵蓋了驅放、功放、低噪放等多種類型，并可為客戶提供全套的太赫茲芯片解決方案。這些太赫茲芯片在太赫茲安檢、無損探測、太赫茲高速通信系統等多個領域有著應用，為安全檢測和無損檢測提供了強有力的支持。作為太赫茲領域的專業研發機構，公司將持續投入研發力量，推動技術創新，為客戶提供更好的產品和服務。堅信通過不懈的努力，公司能為太赫茲領域的發展做出積極貢獻，推動相關技術的進步和應用拓展。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司專注于光電器件及電路技術開發，具備先進的光電器件及電路制備工藝。公司為客戶提供定制化的技術開發方案和工藝加工服務，致力于滿足客戶在光電器件及電路領域的多樣化需求。研究院致力于研發光電集成芯片，以應對新體制微波光子雷達和光通信等領域的發展需求。光電集成芯片是當前光電子領域的重要發展方向，具有廣闊的應用前景。通過不斷的技術創新和工藝優化，研究院在光電集成芯片的研發方面取得了較大成果，為通信網絡和物聯網等應用提供了強有力的支撐。在技術研發方面，研究院始終秉持高標準，追求專業。通過引進國際先進的技術和設備，以及培養高素質的研發團隊，研究院在光電器件及電路技術領域取得了多項突破性成果。同時，研究院不斷加強與國內外企業和研究機構的合作與交流，共同推動光電器件及電路技術的創新與發展。在工藝制備方面，研究院嚴謹務實，注重細節。通過對制備工藝的不斷優化和完善，研究院成功制備出了高質量的光電器件及電路產品，滿足了客戶對性能、可靠性和穩定性的要求。同時，研究院不斷探索新的制備工藝和技術，為未來的技術進步和市場拓展奠定了堅實的基礎。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供Si基GaN微波毫米波器件與芯片技術開發服務。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供GaAs太赫茲SBD管芯技術開發服務。這款芯片具備結電容小、截止頻率高等特點，是高截止頻率電子元器件的理想選擇。同時，該系列芯片展現出低寄生、高頻響的優勢。針對不同應用場景，公司可以根據客戶需求定制不同規格的單管、對管、等變阻、變容管芯。這款芯片廣泛應用于太赫茲通信、雷達、測試等領域中的毫米波、太赫茲各頻段混頻、倍頻、檢波電路。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司致力于不斷提升該芯片的性能水平，為客戶提供更專業的服務。芯谷高頻研究院的熱物性測試儀可有效解決無法實現大尺寸、微米級厚度、及其超高熱導率等材料的熱評估難題。吉林熱源器件及電路芯片加工

芯谷高頻研究院的CVD用固態微波功率源產品可依據客戶要求進行各類微波功率大小和功率頻率的設計與開發。遼寧化合物半導體芯片加工

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司在異質異構集成技術服務方面具有專業能力和豐富經驗，能夠進行多種先進集成材料的制備和研發。以下是公司在集成材料方面的主要能力和研究方向：1、單晶AlN、LiNbO3壓電薄膜異質晶圓：這些材料用于制造高性能的射頻濾波器，如SAW（聲表面波）濾波器、BAW（體聲波）濾波器和XBAR濾波器等。這些濾波器在通信、雷達和其他高頻應用中發揮著關鍵作用。2、厚膜LiNbO3、薄膜LiNbO3異質晶圓：這些材料用于構建低損耗的光學平臺，對于光通信、光學傳感和其他光子應用至關重要。3、AlGaAs-on-insulator，絕緣體上AlGaAs晶圓：這種材料用于新一代的片上光源平臺，如光量子器件等。這些平臺在量子通信和量子計算等領域有重要應用。4、Miro-Cavity-SOI，內嵌微腔的絕緣體上Si晶圓：這種材料用于制造環柵GAA（GaN on Insulator）和MEMS（微電子機械系統）等器件平臺。5、SionSiC/Diamond：這種材料解決了傳統Si襯底功率器件散熱低的問題，對于高功率和高頻率的應用非常重要。6、GaNonSiC：這種材料解決了自支撐GaN襯底高性能器件散熱低的問題，對于高溫和高功率的電子器件至關重要。7、支持特定襯底功能薄膜材料異質晶圓定制研發。遼寧化合物半導體芯片加工