光子集成電路 (Photonic Integrated Circuit，PIC) 與電子集成電路類似，但不同的是電子集成電路集成的是晶體管、電容器、電阻器等電子器件，而光子集成電路集成的是各種不同的光學(xué)器件或光電器件，比如激光器、電光調(diào)制器、光電探測(cè)器、光衰減器、光復(fù)用/解復(fù)用器以及光放大器等。集成光子學(xué)可較廣地應(yīng)用于各種領(lǐng)域，例如數(shù)據(jù)通訊，激光雷達(dá)系統(tǒng)的自動(dòng)駕駛技術(shù)和YL領(lǐng)域中的移動(dòng)感應(yīng)設(shè)備等。而光子集成電路這項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，尤其是微型光子組件應(yīng)用，可以很大程度縮小復(fù)雜光學(xué)系統(tǒng)的尺寸并降低成本。光子集成電路的關(guān)鍵技術(shù)還在于連接接口，例如光纖到芯片的連接，可以有效提高集成度和功能性。類似于這種接口的制造非常具有挑戰(zhàn)性，需要權(quán)衡對(duì)準(zhǔn)、效率和寬帶方面的種種要求。針對(duì)這些困難，科學(xué)家們提出了寬帶光纖耦合概念，并通過(guò)Nanoscribe的雙光子微納3D打印設(shè)備而制造的3D耦合器得以實(shí)現(xiàn)。聚焦Nanoscribe中國(guó)分公司-納糯三維科技（上海）有限公司，給您講解灰度光刻技術(shù)。黑龍江2PP灰度光刻設(shè)備

現(xiàn)代光電設(shè)備在系統(tǒng)的復(fù)雜化與小型化得到了巨大改進(jìn)。一種應(yīng)用需求為使用定制的透鏡陣列來(lái)準(zhǔn)直和投射來(lái)自線性排列的邊緣發(fā)射激光二極管以形成復(fù)合激光線。消費(fèi)類相機(jī)和投影模塊中的微型光學(xué)元件通常需要多個(gè)元件才能滿足性能規(guī)格。復(fù)雜的組裝對(duì)于需要組合成具有微米間距的線性陣列提出了額外的挑戰(zhàn)。塑料模型元件可以提供特殊的曲率需求，盡管可用的折射率會(huì)導(dǎo)致高度彎曲的表面產(chǎn)生球面像差，從而抑制準(zhǔn)直性能。硅灰度光刻技術(shù)可以在單個(gè)高折射率表面上實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的透鏡形狀，同時(shí)還可以在多個(gè)孔之間提供精確的對(duì)準(zhǔn)和間距。多孔徑透鏡陣列設(shè)計(jì)用于沿快軸準(zhǔn)直激光，并在慢軸上提供±3°發(fā)散角。陣列中的每個(gè)元素還包含偏心和衍射項(xiàng)，以偏置主光線角并與發(fā)散的光錐重疊以形成連續(xù)的激光線。黑龍江2PP灰度光刻設(shè)備雙光子灰度光刻無(wú)掩模光刻系統(tǒng)Quantum X，適用于制造微光學(xué)衍射以及折射元件。

Nanoscribe稱，QuantumX是世界上**基于雙光子灰度光刻技術(shù)（two-photongrayscalelithography，2GL）的工業(yè)系統(tǒng)，目前該技術(shù)正在申請(qǐng)專利。2GL將灰度光刻技術(shù)與Nanoscribe的雙光子聚合技術(shù)相結(jié)合，可生產(chǎn)折射和衍射微光學(xué)以及聚合物母版的原型。該系統(tǒng)配備三個(gè)用于實(shí)時(shí)過(guò)程控制的攝像頭和一個(gè)樹(shù)脂分配器。為了簡(jiǎn)化硬件配置之間的轉(zhuǎn)換，物鏡和樣品夾持器識(shí)別會(huì)自動(dòng)運(yùn)行。多層衍射光學(xué)元件（diffractiveopticalelement，DOE）可以通過(guò)在掃描平面內(nèi)調(diào)制激光功率來(lái)完成，從而減少多層微制造所需的打印時(shí)間。Nanoscribe表示，折射微光學(xué)也受益于2GL工藝的加工能力，可制作單個(gè)光學(xué)元件、填充因子高達(dá)100%的陣列，以及可以在直接和無(wú)掩模工藝中實(shí)現(xiàn)各種形狀，如球面和非球面透鏡。

我們往往需要通過(guò)灰度光刻的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)微透鏡陣列結(jié)構(gòu)，灰度光刻的就是利用灰度光刻掩膜版（掩膜接觸式光刻）或者計(jì)算機(jī)控制激光束或者電子束劑量從而達(dá)到在某些區(qū)域完全曝透，而某些區(qū)域光刻膠部分曝光，從而在襯底上留下3D輪廓形態(tài)的光刻膠結(jié)構(gòu)（如下圖4所示，八邊金字塔結(jié)構(gòu)）。微透鏡陣列也是類似，可以通過(guò)劑量分布的控制來(lái)控制其輪廓形態(tài)。需要注意，灰度光刻方法獲得的微透鏡陣列的表面粗糙度相比于熱回流和噴墨法獲得的透鏡要大的多，約為Ra=100nm，前兩者可以會(huì)的Ra=50nm的球面。微納3D打印這種方法與灰度光刻有點(diǎn)類似，但是原理不同，我們常見(jiàn)的微納3D打印技術(shù)是雙光子聚合，利用該技術(shù)我們理論上可以獲得任意想要的結(jié)構(gòu)，不僅只是微透鏡陣列結(jié)構(gòu)（如下圖5所示），該方法的優(yōu)勢(shì)是可以完全按照設(shè)計(jì)獲得想要的結(jié)構(gòu)，后續(xù)可以通過(guò)LIGA工藝獲得金屬模具，并通過(guò)納米壓印技術(shù)進(jìn)行復(fù)制。Nanoscribe中國(guó)分公司-納糯三維科技（上海）有限公司為您講解灰度光刻的特點(diǎn)和應(yīng)用。

國(guó)際上，激光直寫(xiě)設(shè)備是光掩模制備的主要工具，尤其在高世代TFT-Array掩模的平面圖形，面積可達(dá)110英寸（瑞典MICRONIC）單價(jià)高于1.5億元/套，制備一個(gè)線寬分辨率1.5微米的110吋光掩模單價(jià)500萬(wàn)RMB；然而，這種激光直寫(xiě)設(shè)備并不適用于微納3Ｄ形貌結(jié)構(gòu)和深紋圖形制備。已有的基于藍(lán)光405nm直接成像光刻（DIL）適合光刻分辨率較低的圖形，也不適用于3D結(jié)構(gòu)的灰度光刻。因此，面向柔性光電子材料與器件的需求，必須攻克大面積3D形貌的微結(jié)構(gòu)的高效高精度制備，解決海量數(shù)據(jù)高效率轉(zhuǎn)化、高精度數(shù)據(jù)迭代與疊加曝光，高速率飛行直寫(xiě)技術(shù)的難題。關(guān)于雙光子聚合（2PP）和雙光子灰度光刻（2GL ?）的問(wèn)題，咨詢請(qǐng)致電Nanoscribe中國(guó)分公司-納糯三維。黑龍江2PP灰度光刻設(shè)備

如需了解德國(guó)Nanoscribe雙光子灰度光刻技術(shù)，請(qǐng)咨詢Nanoscribe中國(guó)分公司-納糯三維科技（上海）有限公司。黑龍江2PP灰度光刻設(shè)備

    在計(jì)算成像領(lǐng)域中有一個(gè)重要的分支，即光場(chǎng)成像。而光場(chǎng)成像中的中心光學(xué)元件，即為微透鏡陣列。其材質(zhì)為透明玻璃，表面刻有很多微小的透鏡，組成陣列結(jié)構(gòu)，用來(lái)成像。目前比較成熟的制作石英微透鏡的工藝是光刻膠制作圖形配合刻蝕的方法，但該方法存在著各種各樣的問(wèn)題。常用的光刻膠制作圖形配合刻蝕的方法在透鏡的設(shè)計(jì)時(shí)需通過(guò)掩膜板圖形確定，無(wú)法自由調(diào)節(jié)，且成本高，周期長(zhǎng)。這項(xiàng)技術(shù)的關(guān)鍵是在高速掃描下使激光功率調(diào)制和動(dòng)態(tài)聚焦定位達(dá)到準(zhǔn)同步，這種智能方法能夠輕松控制每個(gè)掃描平面的體素大小，并在不影響速度的情況下，使得樣品精密部件能具有出色的形狀精度和超光滑表面。該技術(shù)將灰度光刻的性能與雙光子聚合的jing確性和靈活性*結(jié)合，使其同時(shí)具備高速打印，完全設(shè)計(jì)自由度和超高精度的特點(diǎn)。從而滿足了復(fù)雜增材制造對(duì)于優(yōu)異形狀精度和光滑表面的極高要求。 黑龍江2PP灰度光刻設(shè)備