無(wú)掩模激光光刻:科研效率的revolution性提升!Polos-BESM系列采用無(wú)掩模激光直寫(xiě)技術(shù),用戶可通過(guò)軟件直接輸入任意圖案,省去傳統(tǒng)光刻中掩膜制備的高昂成本與時(shí)間。其405 nm紫外光源和亞微米分辨率(most小線寬0.8 μm)支持5英寸晶圓的高精度加工,特別適合實(shí)驗(yàn)室快速原型開(kāi)發(fā)。閉環(huán)自動(dòng)對(duì)焦系統(tǒng)(1秒完成)和半自動(dòng)多層對(duì)準(zhǔn)功能,remarkable提升微流體芯片和MEMS器件的研發(fā)效率62。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。光學(xué)超材料突破:光子晶體結(jié)構(gòu)precise制造,賦能超透鏡與隱身技術(shù)研究。北京德國(guó)POLOS光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸
Polos-BESM XL Mk2專為6英寸晶圓設(shè)計(jì),寫(xiě)入?yún)^(qū)域達(dá)155×155 mm,平臺(tái)雙向重復(fù)性精度0.1 μm,滿足工業(yè)級(jí)需求。其搭載20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭,支持實(shí)時(shí)觀測(cè)與多層對(duì)準(zhǔn)。配套的BEAM Xplorer軟件簡(jiǎn)化了復(fù)雜圖案設(shè)計(jì)流程,內(nèi)置高性能筆記本電腦實(shí)現(xiàn)快速數(shù)據(jù)處理,成為微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)和光子晶體研究的理想工具。無(wú)掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化,無(wú)需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒(méi)有任何妥協(xié)的情況下,將該技術(shù)帶到了桌面上,進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)。陜西德國(guó)桌面無(wú)掩模光刻機(jī)分辨率1.5微米Polos-BESM XL:130mm×130mm 曝光幅面,STL 模型直接導(dǎo)入,微流控芯片制備周期縮短 40%。
對(duì)于納 / 微機(jī)械系統(tǒng)的研究與制造,德國(guó) Polos 光刻機(jī)系列展現(xiàn)出強(qiáng)大實(shí)力。無(wú)掩模激光光刻技術(shù)賦予它高度的靈活性,科研人員能夠快速將創(chuàng)新設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)化為實(shí)際器件。在制造微型齒輪、納米級(jí)懸臂梁等微機(jī)械結(jié)構(gòu)時(shí),Polos 光刻機(jī)可precise控制激光,確保每個(gè)部件的尺寸和形狀都符合設(shè)計(jì)要求。? 借助該光刻機(jī),科研團(tuán)隊(duì)成功研發(fā)出新型微機(jī)械傳感器,其靈敏度和響應(yīng)速度遠(yuǎn)超傳統(tǒng)產(chǎn)品。并且,由于系統(tǒng)占用空間小,即使是小型實(shí)驗(yàn)室也能輕松引入。Polos 光刻機(jī)以其低成本、高效率的特性,成為納 / 微機(jī)械系統(tǒng)領(lǐng)域的制造先鋒,助力科研人員不斷探索微納世界的奧秘。
Polos系列通過(guò)無(wú)掩模技術(shù)減少化學(xué)廢料產(chǎn)生,同時(shí)低能耗設(shè)計(jì)(如固態(tài)激光光源)符合綠色實(shí)驗(yàn)室標(biāo)準(zhǔn)。例如,其光源系統(tǒng)較傳統(tǒng)DUV光刻機(jī)能耗降低30%,助力科研機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)碳中和目標(biāo)。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。無(wú)掩模技術(shù)優(yōu)勢(shì):摒棄傳統(tǒng)掩模,圖案設(shè)計(jì)實(shí)時(shí)調(diào)整,研發(fā)成本直降 70%。
一所高校的電子工程實(shí)驗(yàn)室專注于新型傳感器的研究。在開(kāi)發(fā)一款超靈敏壓力傳感器時(shí),面臨著如何在微小尺寸上構(gòu)建高精度電路圖案的難題。德國(guó) Polos 光刻機(jī)的引入解決了這一困境。其可輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光的特性,讓研究人員能夠根據(jù)傳感器的特殊需求,設(shè)計(jì)并制作出獨(dú)特的電路結(jié)構(gòu)。通過(guò) Polos 光刻機(jī)precise的光刻,成功制造出的壓力傳感器,靈敏度比現(xiàn)有市場(chǎng)產(chǎn)品提高了兩倍以上。該成果已獲得多項(xiàng)patent,并吸引了多家科技企業(yè)的關(guān)注,有望實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,為可穿戴設(shè)備、智能機(jī)器人等領(lǐng)域帶來(lái)新的發(fā)展機(jī)遇。德國(guó) SPS Polos:深耕微納加工 35 年,專注半導(dǎo)體與生命科學(xué)領(lǐng)域,全球布局 6 大技術(shù)中心,服務(wù) 500 + 科研機(jī)構(gòu)。陜西德國(guó)桌面無(wú)掩模光刻機(jī)分辨率1.5微米
微型傳感器量產(chǎn):80 μm開(kāi)環(huán)諧振器加工能力,推動(dòng)工業(yè)級(jí)MEMS傳感器升級(jí)。北京德國(guó)POLOS光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸
某材料實(shí)驗(yàn)室利用 Polos 光刻機(jī)的亞微米級(jí)圖案化能力,在鋁合金表面制備出仿荷葉結(jié)構(gòu)的超疏水涂層。其激光直寫(xiě)技術(shù)在 20μm 間距的微柱陣列上疊加 500nm 的納米脊,使材料表面接觸角達(dá) 165°,滾動(dòng)角小于 3°。該涂層在海水環(huán)境中浸泡 30 天后,防腐蝕性能較未處理表面提升 10 倍。其靈活的圖案編輯功能還支持在同一樣品上實(shí)現(xiàn)超疏水與超親水區(qū)域的任意組合,被用于微流控芯片的液滴定向輸運(yùn),液滴驅(qū)動(dòng)電壓降低至傳統(tǒng)方法的 1/3。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。北京德國(guó)POLOS光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸