可編程微流控芯片需要集成電路控制與流體通道，傳統工藝需多次掩模對準，良率only 30%。Polos 光刻機的多材料同步曝光技術，支持在同一塊基板上直接制備金屬電極與 PDMS 通道，將良率提升至 85%。某微系統實驗室利用該特性，開發出可實時切換流路的生化分析芯片，通過軟件輸入不同圖案，10 分鐘內即可完成從 DNA 擴增到蛋白質檢測的模塊切換。該成果應用于 POCT 設備，使現場快速檢測系統的體積縮小 60%，檢測時間縮短至傳統方法的 1/3。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。多材料兼容性：同步加工陶瓷 / PDMS / 金屬，微流控芯片集成電極與通道一步成型。重慶POLOSBEAM光刻機不需要緩慢且昂貴的光掩模

細胞培養芯片需根據不同細胞類型設計表面微結構，傳統光刻依賴掩模庫，難以滿足個性化需求。Polos 光刻機支持 STL 模型直接導入，某干細胞研究所在 24 小時內完成了神經干細胞三維培養支架的定制加工。其制造的微柱陣列間距可精確控制在 5-50μm，適配不同分化階段的細胞黏附需求。實驗顯示，使用該支架的神經細胞軸突生長速度提升 30%，為神經再生機制研究提供了高效工具，相關技術已授權給生物芯片企業實現量產。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。河北POLOSBEAM光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸德國技術基因：融合精密光學與自動化控制，確保設備高穩定性與長壽命。

德國Polos-BESM系列光刻機采用無掩模激光直寫技術，突破傳統光刻對物理掩膜的依賴，支持用戶通過軟件直接輸入任意圖案進行快速曝光。其亞微米分辨率（most小線寬0.8 μm）和405 nm紫外光源，可在5英寸晶圓上實現高精度微納結構加工18。系統體積緊湊，only占桌面空間，搭配閉環自動對焦（1秒完成）和半自動多層對準功能，大幅提升實驗室原型開發效率，適用于微流體芯片設計、電子元件制造等領域。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優勢。

在航空航天科研中，某科研團隊致力于研發用于環境監測和偵察的微型飛行器。其中，制造輕量化且高性能的微機械部件是關鍵。德國 Polos 光刻機憑借無掩模激光光刻技術，助力團隊制造出尺寸precise、質量輕盈的微型齒輪、機翼骨架等微機械結構。例如，利用該光刻機制造的微型齒輪，齒距精度達到納米級別，極大提高了飛行器動力傳輸系統的效率和穩定性。基于此，科研團隊成功試飛了一款新型微型飛行器，其續航時間和飛行靈活性遠超同類產品，為未來微型飛行器在復雜環境下的應用奠定了堅實基礎。Polos-BESM XL：130mm×130mm 曝光幅面，STL 模型直接導入，微流控芯片制備周期縮短 40%。

植入式神經電極需要兼具生物相容性與導電性能，表面微圖案可remarkable影響細胞 - 電極界面。Polos 光刻機在鉑銥合金電極表面刻制出 10μm 間距的蜂窩狀微孔，某神經工程團隊發現該結構使神經元突觸密度提升 20%，信號采集噪聲降低 35%。其無掩模特性支持根據不同腦區結構定制電極陣列，在大鼠海馬區電生理實驗中，單神經元信號識別率從 60% 提升至 85%，為腦機接口技術的臨床轉化奠定了硬件基礎。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。電子學應用：2μm 線寬光刻能力，第三代半導體器件研發效率提升 3 倍。河北POLOSBEAM光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸

未來技術儲備：持續研發光束整形與多材料兼容工藝，lead微納制造前沿。重慶POLOSBEAM光刻機不需要緩慢且昂貴的光掩模

石墨烯、二硫化鉬等二維材料的器件制備依賴高精度圖案轉移，Polos 光刻機的激光直寫技術避免了傳統濕法轉移的污染問題。某納米電子實驗室在 SiO?基底上直接曝光出 10nm 間隔的電極陣列，成功制備出石墨烯場效應晶體管，其電子遷移率達 2×10? cm2/(V?s)，接近理論極限。該技術支持快速構建多種二維材料異質結，使器件研發效率提升 5 倍，相關成果推動二維材料在柔性電子、量子計算領域的應用研究進入快車道。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。重慶POLOSBEAM光刻機不需要緩慢且昂貴的光掩模