針對碳化硅（SiC）功率模塊的柵極刻蝕難題，Polos 光刻機的激光直寫技術實現了 20nm 的邊緣粗糙度控制，較傳統光刻膠工藝提升 5 倍。某新能源汽車芯片廠商利用該設備，將 SiC MOSFET 的導通電阻降低 15%，開關損耗減少 20%，推動車載逆變器效率突破 99%。其靈活的圖案編輯功能支持快速驗證新型柵極結構，使器件研發周期從 12 周壓縮至 4 周，助力我國在第三代半導體領域實現彎道超車。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。Polos-BESM XL：加大加工幅面，滿足中尺寸器件一次性成型需求。天津桌面無掩模光刻機光源波長405微米

微流體芯片制造的core工具！Polos光刻機可加工80 μm直徑的開環諧振器和2 μm叉指電極，適用于傳感器與執行器開發。結合雙光子聚合技術（如Nanoscribe的2PP工藝），用戶可擴展至3D微納結構打印，為微型機器人及光學超材料提供多維度解決方案37。其與Lab14集團的協同合作，進一步推動工業級光學封裝技術創新3。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。浙江德國桌面無掩模光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸用戶案例broad：全球超500家科研機構采用，覆蓋高校、研究所與企業實驗室。

柔性電子是未來可穿戴設備的core方向，其電路圖案需適應曲面基底。Polos 光刻機的無掩模技術在聚酰亞胺柔性基板上實現了 2μm 線寬的precise曝光，解決了傳統掩模對準偏差問題。某柔性電子研究中心利用該設備，開發出可貼合皮膚的健康監測貼片，其傳感器陣列的信號噪聲比提升 60%。相比光刻膠掩模工藝，Polos 光刻機將打樣時間從 72 小時壓縮至 8 小時，加速了柔性電路的迭代優化，推動柔性電子從實驗室走向產業化落地。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。

Polos光刻機與德國Lab14集團、弗勞恩霍夫研究所等機構合作，推動光子集成與半導體封裝技術發展。例如，Quantum X align系統的高對準精度（100 nm）為光通信芯片提供可靠解決方案，彰顯德國精密制造與全球產業鏈整合的優勢。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。電子學應用：2μm 線寬光刻能力，第三代半導體器件研發效率提升 3 倍。

單細胞分選需要復雜的流體動力學控制結構，傳統光刻難以實現多尺度結構集成。Polos 光刻機的分層曝光功能，在同一片芯片上制備出 5μm 窄縫的細胞捕獲區與 50μm 寬的廢液通道，通道高度誤差控制在 ±2% 以內。某細胞生物學實驗室利用該芯片，將單細胞分選通量提升至 1000 個 / 秒，分選純度達 98%，較傳統流式細胞儀體積縮小 90%。該技術已應用于循環tumor細胞檢測，使稀有細胞捕獲效率提升 3 倍，相關設備進入臨床驗證階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。Polos-BESM XL：大尺寸加工空間，保留緊湊設計，科研級精度實現復雜結構一次性成型。上海德國POLOS桌面無掩模光刻機讓你隨意進行納米圖案化

空間友好設計：占地面積小于 1.2㎡，小型實驗室也能部署高精度光刻系統。天津桌面無掩模光刻機光源波長405微米

某半導體實驗室采用 Polos 光刻機開發氮化鎵（GaN）基高電子遷移率晶體管（HEMT）。其激光直寫技術在藍寶石襯底上實現了 50nm 柵極長度的precise曝光，較傳統光刻工藝線寬偏差降低 60%。通過自定義多晶硅柵極圖案，器件的電子遷移率達 2000 cm2/(V?s)，擊穿電壓提升至 1200V，遠超商用產品水平。該技術還被用于 SiC 基功率器件的臺面刻蝕，刻蝕深度均勻性誤差小于 ±3%，助力我國新能源汽車電控系統core器件的國產化突破。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。天津桌面無掩模光刻機光源波長405微米