級聯是串聯還是并聯在電氣工程領域，特別是防雷技術中，級聯策略被視為確保電氣系統安全運行的關鍵。級聯，無論是串聯還是并聯，都是將多個組件或系統按特定方式連接起來以實現更高性能、可靠性或效率的方法1。串聯級聯串聯級聯是指將設備首尾相連，電流依次流過每個設備。這種設計能避**一防雷器因過載而失效的。包括逐級降壓，確保雷電流在到達敏感設備前被逐步削減，減少對末端設備的影響；冗余保護，即使某一級防雷器出現故障，后續級別的保護依然，提高了系統的整體可靠性1。并聯級聯并聯級聯則是在同一節點部署多個防雷器，它們共同承擔雷電流的沖擊。這種策略特別適用于高流量和高能量的環境，如大型數據中心或工業設施。包括快響應，可以同時處理雷電流，***縮短了系統響應時間，提高了防護效率；負載均衡，多個防雷器共享負載，減少了單個設備的壓力，延長了設備壽命1。結論綜上所述，級聯既可以是串聯也可以是并聯，具體取決于應用場景和設計需求。在防雷系統中，串聯級聯和并聯級聯各有優缺點。 7-10串鋰電池保護NTC/SSOP20 多節鋰電池保護——二級保護XBM7102。蘇州XBM5773賽芯現貨

 XBM4530系列產品內二級保護芯片、置高精度的電壓檢測電路和延遲電路，是一款用于可充電電池組的二級保護芯片，通過檢測電池包中每一節電芯的電壓，為電池包提供過充電保護和過放保護1。功能特點高精度電池電壓檢測功能：過充電檢測電壓-（步進50mV），精度±25mV；過充電電壓0-（步進50mV），精度±50mV；過放電檢測電壓-（步進100mV），精度±80mV；過放電電壓0V-（步進100mV），精度±100mV1。保護延時內置可選：可根據不同應用場景選擇合適的保護延時1。內置斷線保護功能（可選）：增加了電池使用的安全性1。輸出方式可選：有CMOS輸出、N溝道開路漏級輸出、P溝道開路漏級輸出三種方式1。輸出邏輯可選：動態輸出H、動態輸出。蘇州XBM5773賽芯現貨3~4串集成均衡/NTC/Sense XBM5244.

XBM2138內置MOS內置均衡器高精度電壓檢測電路和延時電路，用于2節串聯鋰離子/鋰聚合物可再充電電池的保護。適合對2節串聯可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進行保護。各延遲時間由內部電路設置（不需外接電容），連接充電器的端子采用高耐壓設計（CS端子和OC端子，***額定值是33V），還具備向0V電池充電功能，可選擇允許或禁止。內置MOS在高負載時可能發熱，需優化PCB散熱（如增加銅箔面積） 內置MOS，集成均衡功能

XBM7101集成均衡NTC/Sense保護芯片、10串鋰電池保護芯片介紹,功能基本保護功能：對兩節節串聯可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進行保護，同時具備電池反接保護功能，這些功能對于鋰電池的安全使用極其重要。過電流保護閾值調節：10串鋰電池的保護芯片電路的過電流保護閾值由開關MOS管決定，如果覺得該閾值較小，可以將多個開關MOS管進行并聯操作，以增大過流電流，將兩節鋰電池保護芯片電路和兩節鋰電池的充電電路連接在一起，可組成一個充放電工作的電路。若再加上鋰電池輸出電路，鋰電池就可以實現邊充邊放的功能鋰保PCB應用注意事項-布局。

10 串鋰電池保護芯片介紹,XBM7101集成均衡NTC/Sense保護芯片功能基本保護功能：對兩節節串聯可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進行保護，同時具備電池反接保護功能，這些功能對于鋰電池的安全使用極其重要。過電流保護閾值調節：10串鋰電池的保護芯片電路的過電流保護閾值由開關MOS管決定，如果覺得該閾值較小，可以將多個開關MOS管進行并聯操作，以增大過流電流，將兩節鋰電池保護芯片電路和兩節鋰電池的充電電路連接在一起，可組成一個充放電工作的電路。若再加上鋰電池輸出電路，鋰電池就可以實現邊充邊放的功能適用范圍：適用于標稱電壓3.7V，充滿電壓4.2V的鋰電池。2組電池的容量/內阻越接近越好。蘇州XBM4451賽芯代理

移動電源soc芯片 DS5136B+EPP無線充 22.5W 單串移動電源+無線充.蘇州XBM5773賽芯現貨

    PCBLayout參考---兩顆芯片并聯兩個同型號的鋰電保護可以直接并聯，實現幾乎是直接翻倍的帶載能力，降低內阻，提高效率，但布板清注意：①兩個芯片盡量對稱，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM盡量大面積鋪地，減小布線內阻和加強散熱。③，每片鋰電保護IC都需要一個。100Ω電阻**好共用一顆電阻，并且布的離VDD近些，盡量與兩個芯片距離差不都。④VDD采樣線可以略長些，也無需多粗，但需要繞開干擾源-VDD采樣線里面沒有大電流。PCBLayout參考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封裝較小，PCB板上，封裝焊盤略大一些，避免虛焊。②，走線經過電阻后，先經過電容再到芯片的VDD。③電容的GND盡量短的回到芯片的GND，使整個電容環路**小。④芯片的GND（B-）到VM建議預留一個C2（）電容位置，C2電容可以提高ESD和抗干擾能力。⑤芯片的EPAD，建議連接芯片的GND（B-）或者懸空。 蘇州XBM5773賽芯現貨