晶間腐蝕,合金元素與雜質影響:合金成分對晶間腐蝕有重要影響,例如碳含量增高會使晶間腐蝕傾向愈嚴重;鉻、鉬含量增高,可降低碳的活度,有利于減弱晶間腐蝕傾向;鎳、硅等元素會提高碳的活度、降低碳在奧氏體中的溶解度,促進碳化物的析出。此外,一些雜質元素的存在也可能促進晶間腐蝕的發生。熱處理與加工影響:金屬材料的熱處理溫度與時間、加工工藝等也會影響晶間腐蝕。例如不銹鋼在不同溫度區間受熱以及冷卻速度不同,其晶間腐蝕傾向不同;焊接等熱加工過程可能使材料在熱影響區產生碳化物析出等情況,增加晶間腐蝕的敏感性。低倍組織熱酸蝕腐蝕,緊湊的酸蝕槽,完全可與抽風柜配合使用,增加工作環境的舒適性。晶間腐蝕價格多少
晶間腐蝕試驗方法,各標準對試驗細節均有詳細規定。
試驗方法 |
試驗標準 |
試驗周期 |
備注 |
不銹鋼晶間腐蝕A法 |
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4天 |
草酸法 |
不銹鋼晶間腐蝕B法 |
7天 |
硫酸-硫酸鐵 120h |
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不銹鋼晶間腐蝕C法 |
13-15天 |
硝酸法 5*48h |
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不銹鋼晶間腐蝕D法 |
4天 |
硝酸-氫氟酸 2*2h |
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不銹鋼晶間腐蝕E法 |
4天 |
硫酸-硫酸銅 16h |
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鎳基合金晶間腐蝕A法 |
GB/T 15260-1994 |
7天 |
硫酸-硫酸鐵 120h |
鎳基合金晶間腐蝕B法 |
3(5)天 |
銅-硫酸銅-硫酸 24h或72h |
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鎳基合金晶間腐蝕C法 |
10-12天 |
鹽酸法 168h |
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鎳基合金晶間腐蝕D法 |
13-15天 |
硝酸法 5*48h |
電解拋光腐蝕,電解浸蝕參考資料
試驗材料 |
浸蝕液配比 |
電解參數 |
時間 |
陰極材料 |
備注 |
鋁和鋁合金 |
蒸餾水 90ml磷酸(1.71) 10ml |
1~8V |
5~10秒 |
不銹鋼 |
純鋁,鋁一銅,鋁一?鋁一?硅合金 |
銅 |
正磷酸/蒸餾水=2:1 |
0.8V 24。C |
30秒 |
銅 |
除錫青銅外的合金 |
黃銅 |
正磷酸/水=3:5 |
0.01A/cm2 16~27。C |
幾秒 |
銅 |
α黃銅,β黃銅 |
黃銅 |
正磷酸/水=4:6 |
0.08~0.012A/cm2 24。C |
幾秒 |
銅 |
α黃銅 |
黃銅 |
正磷酸/硫酸(濃)/蒸餾水=67:10:23 |
0.8V 24。C |
30秒 |
銅 |
含Sn≤6%的青銅 |
青銅 |
正磷酸/硫酸(濃)/蒸餾水=47:20:33 |
0.8V 24。C |
30秒 |
銅 |
含Sn≤6%的青銅 |
晶間腐蝕,安裝方法,腐蝕機臺安裝:將支撐桿固定在機臺上,螺紋旋緊。在將十字架與燒瓶夾及傳感器放置架固定在支撐桿上。放置燒瓶放在加熱器上,調整好燒瓶夾位置,然后固定好燒瓶。然后將冷凝器插入燒瓶上口,調整好燒瓶夾位置將其固定。連接冷凝器的進出水管,進水管一端連接在進水閥門上,另一端連接在冷凝器下端接口,排水管一端連接在排水閥對應的接頭上,另一端連接至冷凝器上端接口,管路連接可靠,排布好看,進水管應留長,避免取燒瓶時不能移動冷凝器。安裝主進水管和排水管,先將排水管固定到排水接口,擰緊管箍,在將進水管固定到進水接口,另一端固定到水龍頭。(可選擇接頭和4分接口接頭);然后通水,檢測是否有漏水,若有及時處理。低倍組織熱酸蝕腐蝕,樣品托盤可完全取出,清洗容易。
晶間腐蝕,合金檢測的要求不一樣一般檢測清潔度、晶粒大小、晶粒分布是否均勻、晶粒有無明顯的堆積、是否有夾雜物等根據金相圖譜檢驗:無過燒;分布均勻程度;晶粒大小我想也學習一下鋁合金金相,各元素在顯微鏡下是表現什么狀態。不過可以看看國標,里面只是告訴怎樣判斷: GB/T3246-82 鋁及鋁合金加工制品顯微組織檢驗方法; GB/T3247-82 鋁及鋁合金加工制品低倍組織檢驗方法 ; GB/T10849-89 鑄造鋁硅合金變質; GB/T10850-89 鑄造鋁合金過燒;GB/T10851-89 鑄造鋁合金孔。晶間腐蝕,會破壞晶粒間的結合,大幅降低金屬的機械強度。晶間腐蝕價格多少
電解拋光腐蝕,電壓、電流隨時間變化的曲線。晶間腐蝕價格多少
電解腐蝕,與傳統的機械拋光相比,電解拋光在處理某些復雜形狀的樣品時效率更高。機械拋光對于形狀不規則的樣品,如帶有小孔、凹槽或者復雜曲面的金屬部件,很難將每個部位都拋光均勻。而電解拋光是一種化學溶解過程,電解液能夠均勻地作用于樣品表面,不受樣品形狀的限制。例如,對于具有復雜內部結構的金屬鑄造件,電解拋光可以迅速地對整個表面進行處理,減少了因反復調整拋光角度和位置而花費的時間,提高了樣品制備的工作效率。晶間腐蝕價格多少