異質結電池整線生產設備，l在擴散的過程中，pn結p區一側出現負電荷區，n區一側出現正電荷區，其形成空間電荷區，在空間內部形成內建電場，載流子做漂移運動，阻礙電子與空穴的擴散，達到平衡，能帶停止相對移動，p區能帶相對于n區上移，n區能帶相對于p區下移，pn結的費米能級處處相等，即載流子的擴散電流和漂移電流相互抵消；pn結勢壘區存在較強的內建電場（自n區指向p區），則p區的電子進入n區，n區的空穴進入p區，使p端電勢升高，n端電勢降低，在pn結兩端產生光生電動勢，即為PN結的光生伏特效應。同理，由于光照在PN結兩端產生光生電動勢，即在PN結兩端加上正向偏壓V，則產生正向電流IF，在PN結開路時，光生電流等于正向電流，PN結兩端建立起穩定的電勢差VOC，即光電池的開路電壓，這就是光電池的基本原理。光伏異質結是一種綠色能源技術，生產過程中不產生污染物，符合可持續發展的要求。河南雙面微晶異質結PVD

光伏異質結是一種利用半導體材料的光電效應將太陽能轉化為電能的技術。其效率是指將太陽能轉化為電能的比例，通常用百分比表示。光伏異質結的效率受到多種因素的影響，包括材料的選擇、結構設計、光譜響應、溫度等。目前，光伏異質結的效率已經達到了較高水平。單晶硅太陽能電池的效率可以達到22%左右，而多晶硅太陽能電池的效率則在18%左右。此外，還有一些新型材料的光伏異質結，如鈣鈦礦太陽能電池、有機太陽能電池等，其效率也在不斷提高，已經達到了20%以上。雖然光伏異質結的效率已經很高，但仍有提高的空間。未來，隨著新材料、新技術的不斷涌現，光伏異質結的效率有望進一步提高，從而更好地滿足人們對清潔能源的需求。河南雙面微晶異質結PVD異質結電池主工藝之一：PVD設備。

異質結電池為對稱的雙面結構，主要由 N 型單晶硅片襯底、正面和背面的本征/摻雜非晶硅薄膜層、雙面的透明導電氧化薄膜(TCO) 層和金屬電極構成。其中，本征非晶硅層起到表面鈍化作用，P型摻雜非晶硅層為發射層，N 型摻雜非晶硅層起到背場作用。HJT電池轉換效率高，拓展潛力大，工藝簡單并且降本路線清晰，契合了光伏產業發展的規律，是有潛力的下一代電池技術。HJT電池為對稱的雙面結構，主要由 N 型單晶硅片襯底、正面和背面的本征/摻雜非晶硅薄膜層、雙面的透明導電氧化薄膜(TCO) 層和金屬電極構成。其中，本征非晶硅層起到表面鈍化作用，P型摻雜非晶硅層為發射層，N 型摻雜非晶硅層起到背場作用。

高效異質結電池整線解決方案，TCO的作用：在形成a-Si:H/c-Si異質結后，電池被用一個~80納米的透明導電氧化物接觸。~80納米薄的透明導電氧化物（TCO）層和前面的金屬網格。透明導電氧化物通常是摻有Sn的InO（ITO）或摻有Al的ZnO。通常，TCO也被用來在電池的背面形成一個介電鏡。因此，為了理解和優化整個a-Si:H/c-Si太陽能電池，還必須考慮TCO對電池光電性能的影響。由于其高摻雜度，TCO的電子行為就像一個電荷載流子遷移率相當低的金屬，而TCO/a-Si:H結的電子行為通常被假定為類似于金屬-半導體結。  TCO的功函數對TCO/a-Si:H/c-Si結構中的帶狀排列以及電荷載流子在異質結上的傳輸起著重要作用。此外，TCO在大約10納米薄的a-Si:H上的沉積通常采用濺射工藝；在此，應該考慮到在該濺射工藝中損壞脆弱的a-Si:H/c-Si界面的可能性，并且在工藝優化中必須考慮到。高效異質結電池PECVD設備是制備微晶硅的設備，其工藝機理復雜，影響因素眾多，需要專業公司制備。

高效HJT電池整線裝備，物理的氣相沉積，PVD優點沉積速度快、基材溫升低；所獲得的薄膜純度高、致密性好、成膜均勻性好；濺射工藝可重復性好，精確控制厚度；膜層粒子的散射能力強，繞鍍性好；不同的金屬、合金、氧化物能夠進行混合，同時濺射于基材上；缺點：常規平面磁控濺射技術靶材利用率不高，一般低于40％；在輝光放電中進行，金屬離化率較低。反應等離子體沉，RPD優點：對襯底的轟擊損傷小；鍍層附著性能好，膜層不易脫落；源材料利用率高，沉積速率高；易于化合物膜層的形成，增加活性；鍍膜所使用的基體材料和膜材范圍廣。缺點：薄膜中的缺陷密度較高，薄膜與基片的過渡區較寬，應用中受到限制（特別是電子器件和IC）；薄膜中含有氣體量較高。光伏異質結電池PVD設備連續完成正背面TCO鍍膜，產能高。廣州異質結

光伏異質結技術可以與其他先進技術相結合，如微晶硅鈍化、選擇性發射極等，進一步優化電池性能。河南雙面微晶異質結PVD

異高效質結電池HJT是HeterojunctionTechnology的縮寫，是一種N型單晶雙面電池，具有工藝簡單、發電量高、度電成本低的優勢。異質結太陽能電池使用晶體硅片進行載流子傳輸和吸收，并使用非晶/或微晶薄硅層進行鈍化和結的形成。頂部電極由透明導電氧化物（TCO）層和金屬網格組成。異質結硅太陽能電池已經吸引了很多人的注意，因為它們可以達到很高的轉換效率，可達26.3%，由隆基團隊對HJT極限效率進行更新為28.5%，同時使用低溫度加工，通常整個過程低于200℃。低加工溫度允許處理厚度小于100微米的硅晶圓，同時保持高產量。河南雙面微晶異質結PVD